Фазосдвигающее устройство

Номер патента: 862342

Опубликовано: 07.09.1981

Авторы: Барабаш, Журевич, Сазонов

МПК: H02M 7/537

Метки: переменное, постоянного, синусоидальной, формы

...работу транзистора 6, который поддерживается в насыщенном состоянии током обмотки обратной связи. При насыщении сердечника дросселя ток в его об" мотке, направленный встречно току обратной связи, резко возрастает, базовый ток транзистора 6 уменьшается и транзистор 6 выходит из насыщения; происходит лавинообразный процесс переключения преобразователя. Транзистор 6 запирается, а транзистор 7 отпирается (интервал 1), полярность 20 напряжений на обмотках трансформатора 5 изменяется, и к обмотке дросселя 2 прикладывается сумма напряжения на обмотках трансформатора и опорного напряжения. Под действием этой суммы происходит пере 25 магничивание сердечника дросселя от +Вя до -В 5 (фиг. 2,б). При его насыщении, когда В = -В, преобразователь...

Номер патента: 917286

Опубликовано: 30.03.1982

Авторы: Барабаш, Сазонов

МПК: H02M 7/537

Метки: переменное, постоянного, синусоидальной, формы

...входу дополнительного интегратора 6. Выходное напряжение дополнительного интегратора 6 изменяется в соответствии с выражениеми-5 ( к(и, - Ц,)дс,(Вгде 5 - коэффициент передачидополнительного интегратора 6,К=У /Уо - коэффициент трансформации;(8) о) име 7Поскольку Оо (Й 1+г ) =0 щ (0) -Ощрг то из выражений (5) и (7) имеем=ЕК(О-О)+О 1,где Т = сл л- йг - период модуляции,Среднее значение выходного напря" жения преобразователя за период модуляции Т равнолОных.о., = -(0(1 - дОдйТ т-,( (о, - до.)о, (9) где К 5=Ч /И - коэффициент трансфор"мации;И 5 ,- число витков выходнойобмотки трансформатора.Преобразовав выражение (8) ьл+" 1 7Кд ,/Ооп с 1 - Ооп( = К / 00 п 1 и подставив левую часть полученногоуравнения в (9), получимКьОых о) = К Ооп,с). (10) 5...

Номер патента: 1661741

Опубликовано: 07.07.1991

Автор: Грегерадский

МПК: G05F 3/08

Метки: балансная, конденсаторах, ограничения, последовательно, соединенных

...конденсаторах 3. 1 и 3,2также сохраняется практически неизменным.При значительном токе утечки второго 3.2 конденсатора, когда не обеспечивается минимальный рабочий токвторого стабилитрона 4.2, напряжение на нем начинает уменьшаться, темсамым уменьшается и суммарное напряжение на первом и втором стабилитроне, Когда это напряжение уменьшаетсядо значения меньшего напряжения междусиловыми шинами 1 и 2 на величинупадения напряжения на прямосмещенном диоде 7, последний отпирается идополнительный ток для поддержаниярежима на втором конденсаторе 3,2поступает в него через развязывающийдиод 7 и первый стабилитрон 4, 1, На-,пряжение на первом конденсаторе 3,1з данном режиме определяется суммойнапряжений на диоде 7 и первом стабилитроке 4,1, а на...

Номер патента: 366536

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Авторы

МПК: H02M 7/519

Метки: напряжение, постоянного, синусоидальное, стабилизированное

...реактора б и ицвертором. 15 Нелинейный реактор состоит из первичной7, конденсаторной 8 и цагрузочной 9 обмоток, расположенных на магннтопроводе 10 без зазора. Магнитопроводы 5 и 10 могут быть выполнены из стандартных сердечников, напри мер, типа ПЛ или ШЛ. Феррорезонансныйконтур образуют конденсаторная обмотка 8, дроссель 11 и стабилизирующий конденсатор 12. Дроссель 11 и конденсатор 12 образуют последовательный резонансный контур, ца строенный ца третью гармонику, Нагрузочнаяобмотка 9 включена последовательно с компенсационной обмоткой 4, к свободным выводам которых подключена нагрузка 13. Параллельный ицвертор напряжения 14 с нулевым 30 выводом содержит тиристоры 15, 1 б, обрат366536 Предмет изобретения Составитель В. Кругло Редак...

Номер патента: 728120

Опубликовано: 15.04.1980

Автор: Шор

МПК: G05F 1/56

Метки: высоким, выходным, нелинейных, повышения, рабочего, сопротивлением-мультитрон, элементов

...7 и диодов б выбрано так, что 40ток коллектора транзистора 7 превышает токбазы транзистора 5 на границе насыщения вовсем допустимом диапазоне токов коллекторатранзистора 5. Напряжение в режиме насьпцениятранзисторов мало, стабилнтроны 8,.9, 10заперты и не оказывают влияния на работусхемы, так как их обратные токи меньшеобратных токов транзисторов (за счет соответствующего соотношения площадей переходов),При уменьшении тока базы ниже границынасьпцения, транзистор 1 переходит в активныйрежим; и напряжечис на нем растет. Когданапряжение на транзисторе 1 приближается кнапряжению пробоя стабилитрона 8, последнийпробивается и уменьшает ток базы транзистора5 в ячейке 2, транзистор 5 переходит в активный режим и далее напряжение на...