Способ гальванического золочения

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 1) С 25 О 3 ГОСУДАРСТВЕ ННОЕ ПАТЕНТНОВЕДОМСТВО СССР(ГОСПАТЕНТ СССР) РЕТЕН ОП К Д ТОР СКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ ЬВА ЧЕСКОГО ЗОЛ вание: гальва ь изобретен тия иэ цитр на импульсн ностью 2 мА со скошенны й 10 - 10 В/ пульса и пауз%27 орств ническое золочеия: осаждение зоатно-фосфатного ом токе с интег/см, импульсами м задним фрон- С при равной длиы 80 мкс. 1 табл,ное обье ние и А,И,Во И. 21853 вкл. С 25 О Для но-фосф осажден Диц Лим ОртИзобретение относитс микроэлектронике и может быть испо при изготовлении интегральных схем. Целью изобретения. является у ние удельного сопротивления з гальванического покрытия; Поставленная цель достигаетсяпри гальваническом осаждении з электродам ванны прикладывают и напряжения прямоугольной формы шенным задним фронтом, крутизну го устанавливают в диапазон 10 - 1 1вался цитратльванического о состава, г/л: Бап яльзов осаждения ис атныи электро ия золота следианоаурат кал онная кислота офосфорная ки польз лит га ующе меньшеолотого тем, что олота к мпульсы со ско- которота р, На полупроводниковых, етром 60 мм методом вакуния формировали контакта, Затем с использованием торезиста формировали маического осаждения золота, вания качества гальваничезолотые элементы изготавполосков шириной 500 мкм"ЭЛАС"72) Б.А. Нарнов56) Патент ГДР1984,Патент ФР1980. пластинах диам умного напыле ный слой золот позитивного фо ску для гальван С целью исследо ского покрытия , ливались в виде и длиной 40 мм,М 2121150, кл. С 25 О 5/185 Я 1828880 А 54) СПОСОБЧЕНИЯ(57) Использоние. Сущностлотого покры электролитаральной плот напряженийтом крутизнотельности имДля процесса гальванического осаждения к электродам ванны прикладывали прямоугольные импульсы напряжения длительностью 80 мкс с паузой 80 мкс, ско- СО шенным задним фронтом и крутизной заднего. фронта 10 -10 В/С. Импульсы формировали с помощью потенциостата Ю П 50 Ии программатора ПР - 1, Время осаж- ОО дения - 40 мин, интегральная плотность то-О 9 ка 2 мА/см, толщина золотого покрытия - (" 5 мкм. Измерение сопротивления золотых полосков проводили 4-зондовым методом с .использованием зондовой головки ПБЛ фф 7700-4004; Ток и напряжение фиксировались с помощью приборов ЦУИП и 13 МП-001,,Нарновентал Корректор Н. Милюкова Редакт Заказ 2468 Тираж. ПодписноеВНИИПИ Государствейного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ1.13635, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 изводственно-иэдательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 Результаты измерения сопротивления покрытия представлены в таблице.Минимальное сопротивление золотой пленки 2,47 10 Ом м получено при использовании импульса с крутизной заднего фронта 10 В/С. При увеличении крутизны фронта от 10 В/С удельное сопротивление возрастает до 2,810: Ом м. Полученное в этом режиме покрытие имеет менее гладкую поверхность. Уменьшение крутизны заднего фронта до 10 В/С приводит к возрастанию сопротивления до 3,6 10Ом м, цвет покрытия в этом случае темный, пленка имеет слабую адгезию. Покрытие, сформированное в импульсном режиме нулевой крутизной заднего фронта (прототип) имеет сопротивление 3,96 10Ом м, покрытие темное со слабым блеском,Таким образом, наилучшие параметры покрытий по сопротивлению получены при крутизне заднего фронта ормующего импульса в диапазоне 10-10 В/С. аТехнико-зкономическая эффективностьпредлагаемого изобретения заключается вповышении выхода годных приборов приизготовлении изделий микроэлектроники эа5 .счет снижения на 38 сопротивления золотого покрытия,Твк, при использовании способа, приведенного в качестве прототипа, сопротивление гальванической пленки составляет10 3,9610 Омм, а при использовании изобретения (2;47-2,86) 10 Ом м.Формула изобретенияСпособ гальванического золочения,преимущественно из цитратно-фосфатногоэлектролита, включающий осаждение наимпульсном токе прямоугольной формы, о т-.л.и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью сниженияудельного сопротивления покрытия, осаждение ведут при интегральной плотности то 20 ка 2 мА/см импульсами напряжения со.скошенным задним фронтом крутизной.10:10 В/С при равной длительности имгпульса и паузы 80 мкс,