Способ определения толщины пленочных слоев
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1803733
Автор: Рыбалко
Текст
(19 у (11) 5/ 51)5 О 0 ИСАНИ ОБРЕТЕН И АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ ктронного ма СССР 3.11.7 М 86/О 64,Я ТОЛ ИНЫ ентге ки то спек- оплеИзобретение относится к измерительной технике, в частности к рентгеноспектральным способам диагностики тонкопленочных покрытий, и может быть использовано для технологического контроля эпитаксиальных структур в производстве изделий микроэлектроники.Целью изобретения является повышение точности определения толщины слоев . сложного состава из материалов с малым средним атомным номером,С этой целью в качестве зондирующего излучения используют поток электронов, а в качестве вторичного излучения - характеристическое рентгеновское излучение материала тонкопленочного слоя, облучая объект контроля, регистрируют спектр характеристического излучения, выбирают в спектре по крайней мере одну линию наибольшей интенсивности, увеличивают энергию элекГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНВЕДОМСТВО СССР(71) Московский институт элшин остроения(54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИПЛЕНОЧНЪХ СЛОЕВ(57) Изобретение относится ктральным методам диагнос ночных покрытии и может быть использовано для технологического контроля эпитаксиальных структур в производстве изделий микроэлектроники. С целью повышения точности определения толщины слоев сложного состава из материалов с малым средним атомным номером образец облучают потоком электронов и регистрируют в спектре по крайней мере одну линию наибольшей, интенсивности рентгеновского характеристического излучения, При этом увеличивают энергию электронов до достижения регистрируемой интенсивности вели- . чины насыщения. Далее по амплитуденасыщения определяют толщины слоя. тронов до насыщения интенсивности выбранной линии спектра и по величине интенсивности насыщения указанной линии определяют толщину пленочного слоя,Способ поясняется примером конкрет- . О ного выполнения на процедуре определе- СЙ ния толщины тонкопленочного покрытия, Ц представля 1 ощего собой твердью растр, яв- (,А) ляющийя исходной структурой для форми- ( Ъ рования тонкопленочных слоев ниобата лития в производстве изделий функциональной электроники. Пленочный слой сформирован на арсенид-галлиевой подложке. Образец облучают потоком электронов с энергией 10 кэВ. Снимая спектр характеристического излучения, регистрируют пики соответствующие Сак 1(3,65 кэВ) и Акд (1,486 кэВ). Исходные значения интенсивности соответственно: 490 и 710. Далее монотонно увеличивают энергию1803733 Составитель В. КлимоваТехред М, Моргентал Корректор 3. Салко Редактор О. Стенина Заказ 1048 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 ь Производственно-издательскни комбинат "Патент", г. Ужгород, ул, Гагарина, 101электронов до выхода в насыщение зависимости интенсивностей линий спектра. Эта энергия соответствует 15 кэВ. Значениями интенсивностей, приближающихся к насыщению, являются для линии Сак - 640 для 5 А к - 930, Приближение к насыщению однозначно указывает на тот факт, что пробег электронов не менее определяемой толщины слоя. Далее по калибровочной зависимо 10 сти, определяют толщину слоя, Она соответствует 0,16 мкм,Формула изобретенияСпособ определения толщины пленочных слоев. заключающийся тем, что на обь ект контроля направляется первичное излучение, регистрируют поток вторичного излучения. по величине которого определяют толщину слоев, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения точности определения толщин слоев сложного состава из материалов с малым средним атомным номером, в качестве первичного излучения используют поток электронов, а в качестве вторичного излучения - характеристическое рентгеновское излучение материала тонкопленбчного слоя, регистрируют спектр характеристического излучения, выбирают в спектре по крайней мере одну линию наибольшей интенсивности, увеличивают энергию электронов до насыщения интенсивности выбранной линии спектра и по величине интенсивности насыщения указанной линии определяют толщину пленочного слоя,ч
СмотретьЗаявка
4843996, 29.06.1990
МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОГО МАШИНОСТРОЕНИЯ
РЫБАЛКО ВЛАДИМИР ВИТАЛЬЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01B 15/02
Метки: пленочных, слоев, толщины
Опубликовано: 23.03.1993
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1803733-sposob-opredeleniya-tolshhiny-plenochnykh-sloev.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения толщины пленочных слоев</a>
Устройство для увеличения интенсивности излучения индукционного ускорителя электронов
Номер патента: 174290
Опубликовано: 01.01.1965
Автор: Томский
МПК: H05H 9/02
Метки: излучения, индукционного, интенсивности, увеличения, ускорителя, электронов
...или на ускорительной камере, и он создает дополнительное магнитное поле, изменяющее радиус равновесной орбиты. Определенные трудности возникают при размещении контракторной обмотки в рабочем зазоре ускорителя и устранении влияния работы схемы смещения на контрактор.С целью упрощения конструкции и снижения стоимости такого устройства предлагает ся выполнять его в виде сердечника с прямоугольной петлей гистерезиса, установленного в круге равновесной орбиты ускорителя.На чертеже схематически показана конструкция предложенного устройства и его рас положение в рабочем зазоре ускорителя,Устройство представляет собой дополнительный ферромагнитный сердечник 1, установленный в центральном воздушном зазоре 2 в круге радиуса равновесной орбиты,...
Способ измерения толщины слоев в процессе их осаждения
Номер патента: 1202461
Опубликовано: 25.07.1995
МПК: H01L 21/66
Метки: осаждения, процессе, слоев, толщины
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТОЛЩИНЫ СЛОЕВ В ПРОЦЕССЕ ИХ ОСАЖДЕНИЯ, включающий регистрацию временной зависимости интенсивности собственного теплового монохроматического излучения образующейся структуры I(t) и определение толщины слоя по числу полупериодов этой зависимости и значению показателя преломления осаждаемого слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и расширения класса контролируемых слоев, перед осаждением измеряют излучательную способность и интенсивность собственного теплового излучения нагретой до температуры процесса осаждения исходной структуры на длине волны монохроматического излучения и искомую величину определяют, используя вычисленный по следующей форме показатель преломления h:
Способ измерения толщины слоев двухслойного материала
Номер патента: 1768970
Опубликовано: 15.10.1992
Авторы: Абелтинь, Граудин, Конончук, Муссонов
МПК: G01B 15/02
Метки: двухслойного, слоев, толщины
...- -211 ст 1 ах/цгс, чта может быть реализовано установкой непразра Наго па отношению к первичному лзлучению экрана между источникам и де 8 ктарам либО саатВ 8 тству" КЩГЧГЧ РаЗМЕЩЕ:- Ие г:;ОЛЛ.;Л.:ПОРОВ ДетеКтаРОВ ИЛИ ИСТОЧ;ИКОВ.Способ может бь ь реализсван различнымл устрас Вагли, схеь,ы нескаськ.1 х;чз них привед 8 ны на фиг.1,2 и 3,Устаайсгво, изабражегное на фиг,1. содержит источник ", и два дс 1 ектара 2 и 3, перед детектором 3 установлен экран 4, непрозрачный к первичноглу излучению, Еиоина с 4 экрана должна Оьть не менее чем 2 г 1 гпах/т 9 гс, чта легко рассчигывается изеаме грии.Ус. райства, иллюстрируемое фиг,2, содержиг два толщинамера, работающих на Обратна ат. экенном излучении. Содержит источник 1, в горой источник 2,...
Способ измерения толщины слоев многослойных изделий
Номер патента: 1383195
Опубликовано: 23.03.1988
Автор: Лауринавичюс
МПК: G01N 27/90
Метки: многослойных, слоев, толщины
...слое изделия 2, и возбуждающим преобразователем 3 полем Ь , записывается как тензорное соотношениеЬ=4 Ь, (3)лгде 4, - тензор относительной магнитной проницаемости полупроводникового слоя;Ь - возбуждающее магнитное поле,усредненное по толщине Йслоя;Ь - поле в слое, усредненное потолщине Й. Это соотношение связывает возбуждающее и возбужденные поля через параметры полупроводникового материалаи параметры электромагнитной волны.Если приложено постоянное магнитноеполе, индукция В 1 К 1 Е, где К -,Й = ФМ РО (4)о оУстановлено, что компонентапропорциональна активному сопротивлению, вносимому в преобразователь 3полем стоячих геликонных волн в слое. 10Компонента р представляет собойряд резонансных максимумов, соответствующих...
Устройство для автоматического контроля толщины слоев многослойных покрытийеиблус iка
Номер патента: 173958
Опубликовано: 01.01.1965
Авторы: Глаговский, Горбань, Лозновский, Ройтштейн, Хаит, Яшин
МПК: G01B 15/02
Метки: iка, многослойных, покрытийеиблус, слоев, толщины
...и 14 производится запоминание суммарных Подписная группа1 Известны устройства для автоматического коггроля толин,ы многослой 1 ых покрытцй в пооцесее цх напесе 1 п 1 я, например слоя лака и зерна ца основе шлцфовальгой шкурки. Оци содержат радцоактивць е толщццомеры, построенные по автоматической компенсационной схеме с физической ил 1 Электрическо 11 компенсацией, осуществляемой электродвигателями, ц имеющие электрический выход ца регистрирующие электронные потечциометры, Чтобы исключи и запаздывание при сравнении результатов измерений толщины основы ц основы с покрытием, эти устройства имеют блок вращающихся конденсаторов, который запоминает значение сигнала суммарной толщины и подает его на схему сравнения.Цель изобретения -...
Предыдущий патент: Устройство для контроля параметров объектов
Следующий патент: Интерференционный способ контроля геометрических параметров изделий
Случайный патент: Способ очистки молочной сыворотки при получении лактозы