Стекло

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 680650 А о 5 С 03 С 8/02, 3/064 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ологический институтг(56) Авторское сеидейЬ 1165652, кл, С 03Авторское свидеВ 1046206, кл. С 03 Изобретение относится к технологии силикатов и предназначено для формирования толстопленочных диэлектрических элементов коммутационных плат на металлическом основании, используемых в радиоэлектронной аппаратуре.Цель изобретения - повышение температурного коэффициента линейного расширения и кристаллизационной способ- . ности, снижение температуры обжига.Синтез стекла проводят в газовой пламенной печи при 1300 С с выдержкой при этой температуре 1 ч.В качестве сырьевых материалов используют кварцевый песок, глинозем, бор. ную кислоту, углекислый барий, углекислый кальций, углекислый стронций, оксиды хрома (И) и молибдена.П р и м е р. Состав стекла мас.: 8102 5,6 АЬОз 7,0; ВгОз 16-8; ВаО 61,0; СвО 6,3; ЗгО 1,5 Сг 20 з 0,3; МоОз 1,5,(54) СТЕКЛО(57) Изобретение относится к технологии силикатов и предназначено для создания толстопленочных диэлектрических элементов коммутационных плат на металлическом основании. С целью повышения температурного коэффициента линейного расширения и кристаллизационной способности. снижения температуры обжига стекло имеет следующий химический состав, мас,: 3102 2,2 - 8,0; А 20 з 6,1-7,0; В 20 з 14,8-18,8; ВаО 58,1 - 63,0; СаО 5,4 - 6,3; ЯГО 0,3 - 1 0; МоОз 0,5-2,0. КТР стекла (105-108) 10 1/град, температура обжига 650 С. температура кристаллизации 640-650 С, 1 табл. Сырьевые материалы взвешивают на технических весах и тщательно перемешивают. Шихту засыпают воруЪдизовые тигли и помещают в газовую печь. Скорость подъема температуры в печи 200-250 С в 1 ч. Максимальная температура варки 1300 С, выдержка при данной температуре 1 ч, Сваренную стекломассу выливают на воду для получения гранулята. Гранулят высушивают и размалывают в планетарной мельнице до порошка с удельной поверхностью 6000 - 7000 см/г,/Нанесение диэлектрических элементов на подложку проводят методом трафаретной печати из паст на основе порошка стекла. Подложки с нанесенными элементами сушат в муфельной печи при 100 С в течении 30 мин. Вжигание толстопленочных диэлектрических элементов производят в конвейерной электропечи при 650 фС, подъем температуры и охлаждение со скоростью 50 С/мин. В процессе обжига про.) 102 А 120 з В 20 з Ва 0 СаО ЗгО Сг 20 з МоОз 5,4 3,0 1,0 05 0,3 1,5 1300 540 530 б 65 е кристали 650 0,5 10 1014 4,2 1014 исходит кристаллизация стекла с выделением в качестве основных кристаллических фаза-цельзиана и барата бария.Изготовление образцов для определения физико-механических свойств стекол осуществляют методом отливки в стальные формы с последующим отжигом при 490 С в течение 2 ч в электрической муфельной печи.Синтез стекол остальных составов и формирование диэлектрических толстопленочных элементов на их основе проводится аналогично приведенному примеру,Составы стекол и их физико-механические свойства приведены в таблице,Использование предлагаемого стекла позволяет создать совместимую систему элементов коммутационных плат на металлодизлектрической подложке и повысить таким образом надежность интегральной Р 205Физико-механическиесвойстваТемпература варки, С Температура размягчения дилатометрическая, С Температурный коэффициент линейного 7 оасширения (20-300 С) а 10, КТемпература кристаллизации, С (по ДТА)Температура обжига покрытий, СУдельное обьемное электросопротивление рч (100 С), Ом мТангенс угла диэлектрических потерь (25 С, 10 Гц), т а 104 схемы, обеспечивает снижение энергоемкости производства, повышение степениинтеграции коммутационных плат на металлодиэлектрической подложке, следова 5 тельно, обеспечивает повышение степенинадежности и улучшение массогабаритных характеристик радиоэлектронной аппаратуры.Формула изобретения10 Стекло, включающее БО 2, А 120 з, В 20 з,ВаО, СаО, ЯгО, Сг 20 з, отл и ча ю щ ее с ятем, что, с целью повышения температурного коэффициента линейного расширения икристаллизационной способности, сни 15 жения температуры обжига, оно дополнительно содержит МоОз при следующемсоотношении компонентов, мас,о: 5102-2,28; А 20 з,1-7; В 20 з,8-18,8; Ва 0-58,1-63;Са О -5, 4-6,3; Я г 0-1,5-4; С г 20 з - 0,3-1;20 МоОз,5-2,