Аттенюатор

Номер патента: 1244678

Опубликовано: 15.07.1986

Авторы: Бокша, Семенычев

МПК: G06G 7/19

Метки: второго, корреляционных, моментов, отношения, оценки, первого, порядков

...процессов х.) и у1 с 1 1,К - -Т1с 1 ь 1 ь- ЮОгде р - ноРмиРованная взаимокор.реляционная функция процессов.Целью изобретения является повышение точности устройства,Параметр К является самостоятельной характеристикой форм взаимокорреляционной функции р) . Кроме того,если у с) . -) и ) х с - и) йи, т . е . ее.оляется выходом линейного звена с импульсной характеристикой Ь(о), топодставляя, производя замену перемен.ных, можно показать, чтоМг Ь) Мо(Ь) Мг(х)К = +ЖМ,(Ь) ЙО) М,(х)где М (Ь) = и"Ь(ц)йгг, - моменты имипульсной характеристики;1;:М(х) =1К (т)ДФ - момент корре)оляционной функции Квходного проацесса х,Таким образом, имеется воэможностьоценивать параметр линейного звена,что весьма важно при диагностике, ресурсных испытаниях,...

Номер патента: 1099337

Опубликовано: 23.06.1984

Авторы: Коровкин, Скрежендевский, Цыганкова

МПК: H01P 3/08

Метки: линий, микрополосковой, скрещивание, щелевой

...диэлек-,трическую подложку, на одной сторонекоторой нанесен токонесущий проводник, а на другой - за.земляющее основание, в котором выполнена щель, щельв зоне перекрытия токонесущего проводника выполнена в форме полуволновой петли, плечи которой параллельныи расположены симметрично относительно продольной оси токонесущего проводника, при этом ширина И токонесущего проводника, ширина 5 щели и расстояние д между плечами связаны соотношением 58 ( дХ,На чертеже показано скрещивание 50микрополосковой и щелевойлиний.Скрещивание микрополосковой и щелевой линий содержит диэлектрическуюподложку 1, на одной стороне которой нанесен токонесущий проводник 2, ана другой - заземляющее основание 3,в котором выполнена щель 4. Шель 4 взоне перекрытия...

Номер патента: 1767511

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Балакин, Сичовый

МПК: G08C 19/28

Метки: двухпроводной, информации, линии, передачи, приема, связи

...элемента 24 конденсатор 42 быстро разряжается через диод 31. На коротких импульсах конденсатора 42 не успевает зарядиться до величины напряжения, соответствующего логической единице, и элементом И-НЕ 28 импульсы не фиксируются. Аналогичным образом работает схема выделения "СИ" из логического нуля кодовой последовательности (см. 44, фиг, 4), На выходах элементов И-НЕ 28 и 29 на фиг. 4 показаны выделенные "СИ" из логической единицы и логического нуля кодовой последовательности, соответственно, На элементах И-НЕ 30 они логически перемножаются (см. 30, фиг. 4) и поступают на часть схемы, выполненную на инверторе 27, конденсаторе 45, резисторе 35, диоде 40 для обеспечения фазового сдвига импульсов синхропоследовательности с последующим...

Номер патента: 1061266

Опубликовано: 15.12.1983

Авторы: Баканов, Колбеченков, Трубин, Тютюнюк, Хаиров, Чулин

МПК: H04B 3/00

Метки: двухпроводной, линии, передачи, связи, сигналов

...В противном случае, передается информация об обрыве линии связи.Цель изобретения - увеличение количества передаваемых сигналов.Для достижения поставленной цели в устройство передачи сигналов по двухпроводной линии связи, содержащее на передающей стороне первый и второй контактные датчики, первые контакты которых соединены между собой, а также первый диод, анод которого соединен с катодом второго диода, причем катод первого диода соединен с вторым контактом первого контактного датчика, а анод второго диода соединен с вторым контактом второго контактного датчика,;а на приемной стороне источник питания, первое и второе реле, первые входы которых соединены между собой, а также третий диод, анод которого соединен с катодом четвертого диода,...

Номер патента: 1737571

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Лебедев, Прохоров, Скоробогатов, Угничев, Шнитников

МПК: H01P 1/15

Метки: мощности, ограничитель, свч

...полосок соответственно,, установленных параллельно широкимстенкам отрезка прямоугольного волновода, а второй конец третьего металлического проводника подключен кодному электроду полупроводниковогодиода, при этом вторые концы первойи второй металлицеских полосок под"клюцены к металлизации, выполненнойна первой поверхности диэлектрическойполложки по,ее периметру, другои электрод полупроводникового диода подключен к второму концу четвертойметаллической полоСки. Кроме того, сцелью упрощения контроля параметровограничителя, введена контактнаяплощадка с присоединенным дополнительным полупроводниковым диодом,причем другой электрод первого полупроводникового диода подключен кконтактной площадке, а другой электрод дополнительного...