Способ определения неодима в гранате

(51)5 С 01 Я 21/6 НИЕ ИЗОБРЕТЕН ЕЛЕНИЯ НЕО(57) Изобрет ческим спосо лазерных мат й униноповьппе ьной ко ости ла облучаю ния рх т егистрирую инесценцииА-лы апазонах. Определение концентрации неодима по величине отношения интенсивностей указанных спектральных компонент для исследуемого кристалла, нормированной на величину аналогичного отношения для нормировочного кристалла, позволяет исключить нестабильность спектральных характеристик устройств, применяемых для разделения и регистрации спектральных компонент люминесценции.П р и м е р 1. Возбуждаю несценцию кристалла иттрийвого граната, активированно мом излучением в области 210-240 нм в локальной области поверхности кристалла. Одновременно или последовательно измеряют интегральную интенсивность люминесценции неодима в диапазонах 390-630 нм и 860-1500 нм, Определяют отношение укаэанных интенсивт люмиалюминиего неодири возбужц ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯ ПРИ ГКНТ СССР Н А ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 1(56) Авторское свидетельство СССРР 1026040, кл. С 01 М 21/64, 1981.Базилевская Т.А. Концентрационные зависимости фото- и рентгенолюминесценции активированных оксидныхлазерных материалов и люминесцентныйконтроль их состава: Авторевю,дисОдесса, 1984, с.11,Изобретение относится к способам контроля свойств лазерных материалов.Цель изобретения - повышение точности определения локальной концентрации неодима на поверхности лазерного кристалла.Способ основан на устойчивой связи между изменением люминесцентных характеристик в спектральных областях 390-630 нм и 860-1500 нм и содержанием неодима в кристаллических матрицах при возбуждении в полосу Г-Й- переходов неодима. Указанная связь может быть объяснена наличием кроссрелаксационных процессов, приводящих к перераспределению эаселенностей излучательных уровней мультиплетов 2Г 22 (группы линий в области 390- 630 нм) и фГ 3/2 (область 860- 1500 нм) п ении в области 210-240 нм ние относится к оптиам контроля свойств: риалов. Цель изобретение точности определения центрации неодима на поерного кристалла.Крисоптическим излучением т интегральные сигналыв двух спектральных1636740 Таким образом, способ позволяет с помощью простых средств достичь высокой точности определения локальной концентрации неодима на поверхности лазерных кристаллов. формула изобретения Составитель О.Бадтиева Редактор Л.Зайцева Техред И.Дидык Корректор С.ШевкунЗаказ 811 Тираж 408 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва,. Ж, Раушская наб., д; 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г,ужгород, ул. Гагарина,101 Ф ностей люминесценции. По калибровочной кривой, полученной в идентичных условиях измерения для образцов с известной концентрацией неодима, определяют локальную концентрацию неодима.П р и м е р 2В идентичных условиях выполняют операции по примеру 1 для исследуемого и нормировочного кристалла, а затем нормируют отноше-, ние укаэанных интенсивностей люминесценции для исследуемого кристалла на величину отношения соответствующих интенсивностей люминесценции для норлмировочного кристалла, и определяют локальную концентрацию неодимапо фор-., муле С=К (А), где С - концентрация неоднма в исследуемом кристалле; К - экспериментально определяемый ко эффициент, величина которого зависит от размерности концентрации и типа кристаллической матрицы: А = (11 ц/ /1 ц)/(11 /1) - отношение интенсивностей люминесценции с Р 3/2 - уровня (1 яц) и с Р 2 щ - уровня (1 яц) для Исследуемого кристалла, нормированное на величину отношения интенсивностей .люминесценции с соответствующих уровней (11 р 1 щ) для нормировочного кристалла. Полученная зависимость в диапазоне концентраций (0,3- 1,7 ат.Е) выражена формулой Со.,(1,14+0,06) ф (А) . Дополнительные измерения показали,что указанная зависимость сохраняетсядля ортоалюмината иттрия. 1. Способ определения неодима вгранате, включающий облучение исследуемого объекта и регистрацию двух сигналов люминесценции, по величине отношения которых с учетом градуировочной зависимости проводится определение, отличающийся тем,что, с целью повышения точностиопределения локальной концентрациинеодима на поверхности лазерного кристалла облучение ведут оптическимизлучением с длиной волны 210240 нм и регистрируют интегральныезначения сигналов люминесценции в .пределах спектральнйх диапазонов390-630 нм и 860-1500 нм, соответствующих переходам с двух энергетических уровней неодима,2. Способ по.1, о т л и ч а ющ и й с я тем, что регистрируют сигналы люминесценции нормировочногокристалла с концентрацией неодима10 - 10ать и определяет искомуюконцентрацию в исследуемом кристаллепо величине отношения сигналов люминесценции исследуемого кристалла,нормированной на величину аналогич-ного отношения для нормировочногокристалла.