157538

Номер патента: 518707

Опубликовано: 25.06.1976

Автор: Кумачев

МПК: G01N 27/22

Метки: влажности, датчик, емкостной, почвы

...виде двух совмещенных сдвинутшага один относительно друго ном направлении тонкостенных элементов.На чертеже изображен предлвг емкостный датчик влажности.Датчик выполнен из двух шне ментов 1 и 2, электрическиизол один от другого. Изоляция дости счет размещения шнековых элем цилиндрическом стержне 3го мвтеривлв, Стержень 3креплен в нижнем конце пус и ,4 с делениями,Элементы 1 и 2 сдвинуты один относительно другого в продольном направлениина полшага шнека, один из элементов элек 1 трически соединен со штангой, а другойс центральным электродом 5, расположенным внутри штанги коаксивльно, при этом ,шнековые элементы 1 и 2 выполняют роль ,пластин электрического конденсатора.Благодаря малой толщине стенок шнека и большой разнице в диаметрах...

Номер патента: 542948

Опубликовано: 15.01.1977

Авторы: Пшеницын, Чемякин

МПК: G01N 27/22

Метки: влажности, датчик, емкостной

...работы предлагаемый датчик снабжен заслонкой, перекрывающей желоб, рычагом с опорой и исполнительным механизмом, причем заслонка укреплена на незакрепленном плече рычага, а рычаг с исполнитель ным механизмом и опорой соединен шарнирами так, что центр тяжести системы рычаг - заслонка смещен в сторону разгрузочного конца желоба относительно шарнира, связанного с исполнительным механизмом.20 На чертеже приведена схема предлагаемогодатчика, содержащего корпус 1 с электродами 2, заслонку 3, жестко соединенную с шарнирно закрепленным рычагом 4, и исполнительный механизм 5.25 Конструкция устройства такова, что центртяжести системы рычаг - заслонка смещен относительно шарнирной опоры рычага в сторону разгрузочного конца желоба. Это...

Номер патента: 966571

Опубликовано: 15.10.1982

Авторы: Голли, Ошурков

МПК: G01N 25/56

Метки: влажности, грунта, датчик

...1 - высота 1-го слоя грунта, расположенного выше датчика влажности" вертикальное напряжение отвоздействия здания или ссоружения, передаваемое вышележащим грунтом на исследуемый,Благодаря тому, что уплотняющее устройство может быть выполнено из герметичной упругой оболочки, заполненной газом, например в виде кольцевой оболочки из каучука, заполненной воздухом, расположенной между чувствительным элементом и датчиком деформаций, оно выполняет две функции: уплотняет чувствительный элемент и одновременно изолирует датчик деформаций от попадания в него влаги и частиц материала чувствительного элемента.В другом варианте датчик влажности может содержать влагопроводный жесткий корпус, преимущественно сферической Формы, и расположенный в нем...

Номер патента: 989422

Опубликовано: 15.01.1983

Авторы: Воронин, Ларичева

МПК: G01N 25/56

Метки: влажности, датчик, температуры

...Толщина диэлектрической подложки превышает размеры пор в диэлектрике.Расстояние а изменяется от 0,01 До 10 мкм, ширина полоски меандра лежит в пределах 0,1-0,5 мм, высота е полосы меандра 9 = 20 мкм. Меандр снабжен контактными площадками 4. формула изобретения Примером изготовления датчиков можетслужить предлагаемая техноло гия, по которой пластины Р-кремния с ориентацией (111) толщиной 0,3 мм подготавливаются к напылению стандартным способом и на них методом вакуумного напыления с одной стороны наносится контактный металл, алюминий толщиной 0,8-2 мкм, который затем вжигается при 520 С в течение 10- 15 мин в потоке водорода, прошедшего палладиевую очистку с точкой росы -70 ОС для создания хорошего омйческого контакта, Затем...

Номер патента: 1249424

Опубликовано: 07.08.1986

Авторы: Вахминцев, Иванова, Мельниченко, Орлов

МПК: G01N 27/02

Метки: влажности, гидрометрический, датчик

...предприятие, г. Ужгород, ул, Проектная, 4 1249Изобретение относится к влагометрии, в частности к гигрометрии, и может найти применение в приборостроении, машиностроении.Цель изобретения - повышение чувст-вительности и устойчивости характеристик гигрометрического датчика влажности во времени при эксплуатации в агрессивных средах.На чертеже схематически изображе- О но устройство гигрометрического датчика влажности.Датчик содержит металлическое основание 1 на основе титана, например из сплава титана, служащее пер вым эЛектродом, на котором известными способами нанесены влагочувствительный слой 2 из окиси титана и второй электрод 3, выполненный в виде пленки из титана толщиной домкм. 20 Датчик электрически соединен с...