Стабилизатор постоянного напряжения

Номер патента: 1064368

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Адамович, Бойчевский

МПК: H02H 7/10

Метки: защиты, коммутационных, перенапряжений, постоянного, цепей

...резистором,:,:,заключающемуся в том, что сравнивают напряжение на демпфирующем конденсаторе гс пороговым напряжением до момента, ког-:да напряжение на демпфирующем конден;саторе превысит пороговое напряжение, пос.ле чего сначала формируют включающий сигнал на узел коммутации демпфирующегорезистора, а затем через фиксированный интервал времени, превышающий время переходного процесса, - отключающий сигнал,сравнивают напряжение иа демпфирующемконденсаторе с пороговым напряжениемО также и после подключения демпфирующегорезистора до момента первого снижения напряжения на демпфирующем конденсаторениже порогового напряжения, после чегоформируют отключающий сигнал на узел1 коммутации демпфирующего резистора, од, новременно блокируя...

Номер патента: 983888

Опубликовано: 23.12.1982

Автор: Инешин

МПК: H02H 7/12

Метки: защиты, ключевого, токовой, транзистора

...или бистабильной (триггер ) схеме, выходнаяцепь формирователя 1 закрыта, и25ключевой транзистор 3, управляющийпереход база-эмиттер которого смещенпод действием отрицательного напряжения резистора 7, находится такжев закрытом состоянии (режим отсечки).При этом под воздействием высокогоколлекторного потенциала закрытогоключевого транзистора 3 по входнойцепи операционного усилителя протекает ток, ограничиваемый на уровнеединиц милиампер токоограничительнымрезистором 4. Выходное напряжениеоперационного усилителя 2, воздействуя на второй отключающий вход Формирователя 1, удерживает его в закрытом состоянии, 40При появлении управляющих импульсов на первом запускающем входе формирователя 1 и отсутствии режима токовой перегрузки...

Номер патента: 1396204

Опубликовано: 15.05.1988

Авторы: Сергеев, Солдатов

МПК: H02H 7/10

Метки: защиты, силового, транзистора

...) за время (г.-г,), Их разряд осуществля - ется ца открьггый силовой транзистор 3.В момент времени (С-, ) начинается спад тоха коллектора силового транзистора 3 (эгюра 1 к). Уменьшение тока 1. приводит к увеличению напряжения ца коллекторе (эпюра .П ,), так как ток, накопленный в индуктивности рассеяния нагрузки 5, остается на этом этапе времени примерно постоянным и не может прекратиться мгновенно. Так как в этот момент времени параллельно коллектору и эмиттеру транзистора 3 подключена разряженная до нулевого напряжения емкость конденсатора , скорость увеличения напряжения коллектор-эмиттер на интервале времениопределяется величиной этой емкости (7) и величиной тока, накопленного в индуктивности рассеяния нагрузки 5. Увеличение емкости...

Номер патента: 1467658

Опубликовано: 23.03.1989

Авторы: Астапов, Касьян, Курощепов, Нейман

МПК: H02H 7/10

Метки: вентилей, включенных, встречно, двух, защиты, импульсных, параллельно, перенапряжений, полупроводниковых, управляемых

...9,Устройство обеспечивает также ограничение возникающих в редких случаях перенапряжений с длинными фронтами за счет наличия емкостного делителяПри этом ограничение импульсных перенапряжений с крутыми фронтами происходит на более низком уровне, чем перенапряжений с длинными фронтами. Так как тиристоры в схеме включены встречно параллельно, осуществляется защита тиристоров от повреждений импульсными перенапряжениями любой полярности, потому что для одного из тиристоров приложенное перенапряжение будет прямой полярности и приведет к его отпиранию в прямом направлении, тем самым предотвратив пробой другого тиристора импульсом переналряжения в обратном направлении. Демпфирунщие цепочки из последовательно соединенных резисторов и конденсаторов...

Номер патента: 1709286

Опубликовано: 30.01.1992

Авторы: Агаджанян, Арутюнян

МПК: G05F 1/569

Метки: защиты, силового, транзистора

...2, уменьшается протекающий через него ток до значения, при котором устанавливаетсяуказанное соотношение. Таким образом, устройство защиты силового транзистора ограничивает ток, протекающий через мощйый транзистор,. в30 зависимости от падения напряжения на переходе коллектор-эмиттер. Ограничениепротекающего, через мощный транзистортока осуществляется в соответствии с графиком области безопасной работы, следо 35 вательно, по гиперболической функции.У мощных транзисторов область без-,опасной работы описывается гиперболической функцией, которая характеризуетсяследующим соотношением:40 аОк.э. + Ьгде а - коэффициеНт, характеризующий крутизну;Ь - смещение по оси Х;45 с - смещение по оси У.В данном устройстве выходное напряжение...