Способ выращивания лимонника китайского
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1496702
Автор: Киковка
Текст
)4 А 01 С 1/00 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ВСЕСОЗОЗНМ ПАТЕНТВЭ- ТЕ 4 ЪЧЕСИЙ БИБЛИО СгА28 Плеханов е незнакомцы абочий ковс ИЯ ЛИМОННИКА(57) Изобретение кому хозяйству. Цявляется улучшени тносится к сельслью изобретения та, ика условии ршения лимо развития и плодонкитайского на любмонний китайский х видах поч высаживают в Изобретение относи зяйству, а именно кет быть использо вании лианообразных ся к сельско плодоводству,ано при вырамож растении, вляется улучтия и пло изобретен овий рост разви итайс шени го н лимонии оношен любых видах и в.ображена яма для поНа фиг. 1 и садки лианообр ности лимонник вдоль траншеи; траншеи. Траншея 1 с 2, заполненног 1 почвы с органифиг ечени стоит из нижнего сло смесью плодороднойно в новыи пит евращается постепеельный слой. Этот сл еменно защитным сл й является одноем от потери влагилагающиеся и зимой ским удобрением верхний слой 3 льного перегноя соотношении 1: стоит.из расти ерегрева летом, а ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ.80,. 1496 02 шеи, выполненные в форме трапеции, которые заполняют смесью плодородной почвы и органического удобрения, а сверху - слоем мульчи, состоящей из растительного перегноя. В торце траншеи выкапывают дренажный колодец, дно которого выстилают водонепроницаемой пленкой. Дренажный колоец служит для сброса лишней воды из траншеи, а водонепроницаемая плен-. ка позволяет сохранять воду в ней для возможности повторного ее использования для полива растений, Изобретение позволяет выращивать лимонник китайский на любых видах почв, а многократное использование поливнойЮ воды снижает возможность загрязнения грунтовых вод, 2 з.п, ф-лы, 2 ил. разлагающихся остатков растении, листьев, стеблей (по принципу компостной ямы). В торце траншеи расположен дренажный колодец 4, дно которого выстилают водонепроницаемой пленкой 5.Нижний слой 2 служит для посадки и питания корней сеянца или саженца. Верхний слой 3 служит для возможности развития поверхностных корней, Остатки растений в любое время складируются в траншее, Слой 3 постепенно утолщается и благодаря жизнедеятельности червей и микроорганизмовтьев корни китайского лимонника в траншее продолжают нарастать и зимой.Траншею один раз заполняют слоем 2, а верхний слой 3 пополняется постоянно. Такой прием дает воэможность формировать траншеи на любой поверхности земли, даже в отвалах, где уже ничего не может расти на любом истощенном или бесплодном грунте,Многократное использование воды снижает возможность загрязнения грунтовых вод. ф о р м у л а изобретения 5ь Г.Бростюкравчук Корректор Л,Па оставит ехред А,Редакт Бандур аказ 4347/3 Тираж 621 ПодписноеНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 10 1496702 остатки растений выделяют биотепло, которое создает условия для корней лимонника китайского, подобные природным условиям на его родине (Даль 5 ний Восток), где он растет. в долинах рек и на водоразделах.При.посадке в траншею 1 корни не дают поросли за пределами траншеи.Дренажный колодец 4 необходим для стока лишней воды в траншее, а полиэтиленовая .пленка 5 в яме позволяет сохранить воду в ней для возможности повторного ее использования для поливки растений. 15Старые корни, как и все остальные органы лимонника китайского, имеют в своем составе много органических соединений, легко растворимых в воде. Отмирая, они быстро разлагаются и 20 обогащают почву органическими легко усваемыми соединениями. Продукты разложения легко вымываются из почвы во время поливов, поэтому поливы в начале листопада должны быть умерен ными. Молодые корни быстро разрастаются, в основном, в верхнем слое 2, поэтому форма ямы выполнена с сечением в форме трапеции, что увеличивает площадь основного питающего 30 лиану верхнего слоя 2, Увеличивающиеся запасы органического питания в почве от разложившихся листьев при наличии тепла и влаги в траншее создают условия для наращивания большего 35 количества новых корней, Начиная с середины августа до устойчивых морозов поверхностных корней наращивается больше, чем за весь вегетационный сезон. При надежной шубе из лис(По 8 ериж яь почбн 1. Способ выращивания лимонника китайского, включающий посадку в ямы, заполненные обогащенной удобренной почвой, полив, устройство дренажа и мульчирование верхнего слоя, отличающийся тем, что, с целью улучшения условий роста, развития и плодоношения на любых видах почв, ямы для посадки выполняют в форме траншеи, в торцовой части которой выкапывают дренажный колодец с заглублением его дна ниже дна траншеи.2. Способ по .п.1, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью сниже - ния трудозатрат, траншея выполнена в форме трапеции.3. Способ по пп.1 и 2, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с целью снижения расхода поливной воды и уменьшения загрязнения грунтовых вод, дно дренажного колодца изолируют водонепроницаемым материалом и воду из него используют для полива
СмотретьЗаявка
4282963, 21.07.1987
В. И. Киковка
КИКОВКА ВИКТОР ИВАНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: A01G 1/00
Метки: выращивания, китайского, лимонника
Опубликовано: 30.07.1989
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1496702-sposob-vyrashhivaniya-limonnika-kitajjskogo.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ выращивания лимонника китайского</a>
Предыдущий патент: Измельчитель корнеклубнеплодов
Следующий патент: Способ диагностики функционального состояния растений
Случайный патент: Установка для прививки черенков