Способ записи и стирания оптической информации в щелочно галоидном кристалле
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
1451771 Формула изобретения Способ записи и стирания оптической информации в щелочно-галоидном кристалле, заключающийся в облучении щелочно-галоидного кристалла ультрафиолетовым излучением и стиранием изображения нагреванием щелочногалоидного кристалла при 55010 С в течение 1-2 мин, о т л и ч а ю - щ и й с я тем, что; с целью расширения области применения способа за счет обеспечения возможности регистрации градационного изображения, щелочно-галоидный кРисталл после облучения ультрафиолетовым излучением нагревают до 110-120 С и одновременно проецируют на него градационное изображение видимым светом в течение 5- 20 мин. 45 Составитель С.Самуцевич Редактор Е.Копча Техред Л.Олийнык Корректор В.Бутяга Заказ 7086/51 Тираж 558 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/54 е Производственно-полиграфическое предприятие, г. ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к вычислительной технике, а именно к системаммногократной перезаписи и длительного хранения оптической информации,и может быть использовано в областифотоники в преобразующих, запоминающих и управляющих устройствах электронной техники, а также в качествеспособа регистрации оптической инфор мации в фотографии, рентгенологии,голографии.Цель изобретения - расширение области применения способа за счетобеспечения возможности регистрацииградационного изображения объекта вщелочно-галоидном кристалле,Способ записи и стирания оптической информации в щелочно-галоидном кристалле заключается в том, чтощелочно-галоидный кристалл облучаютультрафиолетовым излучением, а затемнагревают щелочно-галоидный кристаллдо 110-120 С и.проецируют на негоизображение видимым светом в течение 5-20 мин, а стирание осуществляютнагреванием щелочно-галоидного кристалла при 550410 С в течение 1-2 мин.В качестве регистрирующего слояиспользуются монокристаллическиепластины щелочно-галоидного кристалла, сенсибилизированные отжигомв парах матричного катиона. Для записи градационного изображения кристалл предварительно окрашивается путем облучения его поверхности нефильтрованным ультрафиолетовым излучением (диапазон длин волн 210600 нм) в течение 5-10 мин при комнатной температуре. При этом кристалл приобретает спектральную плотность порядка 0,8 (Д =46 Д нм), неизменяющуюся со временем. Записьосуществляется проецированием изображения объекта на нагретый до 110120 С окрашенный кристалл видимымсветом в течение 5-20 мин. Границытемпературного интервала записи информации обусловлены энергиями активаци термических и фотохимических процессов перехода центров окраски в качественно различные состояния. Так, уменьшение температуры кристалола ниже 110 С не позволяет получить изображение, так как кристалл остается равномерно окрашенным. Повыше ние температуры выше 120 С приводит к ухудшению качества получаемого изображения вследствие уменьшения градиента оптической плотности кристалла,При записи информации предлагаемым способом происходит спектральное перераспределение оптической плотности кристалла (исчезает пик с 1 =465 нм и появляется пик с М = = 620 нм) в соответствии с градиентом интенсивности падающего излучения в плоскости изображения.Полученное изображение сохраняется в течение длительного (в эксперименте более двух лет)времени без ухудшения качества. Стирание изображения производится нагреванИем кристалла в течение 1-2 мин при 550о10 С, после чего процесс записи и стирания информации может быть многократно повторен.
СмотретьЗаявка
4260807, 11.06.1987
ВСЕСОЮЗНЫЙ ЗАОЧНЫЙ ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ СВЯЗИ
ПАВЛОВ АНДРЕЙ НИКОЛАЕВИЧ, СЕДОВ ВЛАДИМИР ВИТАЛЬЕВИЧ, ИВЛИЕВ ЮРИЙ НИКОЛАЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 13/04
Метки: галоидном, записи, информации, кристалле, оптической, стирания, щелочно
Опубликовано: 15.01.1989
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1451771-sposob-zapisi-i-stiraniya-opticheskojj-informacii-v-shhelochno-galoidnom-kristalle.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ записи и стирания оптической информации в щелочно галоидном кристалле</a>
Предыдущий патент: Способ оптической записи информации
Следующий патент: Логическое запоминающее устройство
Случайный патент: Устройство для включения нагрузки