Устройство с отрицательным сопротивлением

(57) Изобретение м,б. испОльэованов г-рах, реле времени, пороговыхустр-вах.Цель изобретения - уменьшение изменения модуля отрицат.сопротивления от измерения коэф,передаЧитранзисторов по току, Устр-во содержит транзисторы (Т) 1 и 2 противоположной структуры, резисторы 3-5,Введение резисторов 6,7 и источника 8 тока, а также снятие отрицат.сопротивления с эмиттеров Т 1 и 2,к-рые являются полюсами устр-ва сотрицат.сопротивлениемпозволяетуменьшить влияние изменения коэф.передачи Т 1 и 2 по току, изменяющих-.ся под действием дестабилизирующихфакторов, на модуль отрицат. дифф.сопротивления. 1 кп. ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙАВТОРСКОМУ СнИДЕТЕЛС(56) Авторское свидетельство СССРВ 1184073, кл. Н 03 Н 11/52, 1980.Арефьев А .АБаскаков Е.Н.,Степанова Л.Н, Радиотехническиеустройства на транзисторных эквивавалентных р-п-р-и структуры. - М.:Радио и связь, с.13, табл.1,2,рис.7,325664 Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться в генеФормула и з о б р е т е н и я Составитель И.МедведевРедактор Г,Гербер Техред А. Кравчук Корректор А.Зимокосов Заказ 3123/54 Тираж 901 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д.4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г,Ужгород ул. Проектная, 4 раторах, реле времени, пороговыхустройствах,Цель изобретения - уменьшение изменения модуля отрицательного сопротивления от изменения коэффициентапередачи транзисторов по току.На чертеже приведена электрическая принципиальная схема предлагаемого устройства.Устройство с отрицательным сопротивлением содержит транзисторы 1 и2 противоположной структуры, первый3, второй 4, третий 5, четвертый 6и пятый 7 резисторы и источник 8тока.Устройство работает следующим образом,В исходном состоянии токи, протекающие от источника 8 тока черезтранзисторы 1 и 2 противоположной.слруктуры, таковы, что транзисторы1 и 2 находятся в открытом состоянии, Необходимый режим работы транзисторов 1 и 2 определяют первый 3второй 4, третий 5. четвертый 6 ипятый 7 резисторы, При пропусканиитока от другого источника питаниямежду полюсами устройства с отрицательным сопротивлением, которыми являются эмиттеры транзисторов 1 и 2,этот ток разветвляется на две составляющие - первая составляющая течетчерез транзистор 1 и второй резистор4, вторая - через первый резистор 3и транзистор 2, За счет падения напряжения на первом 3 и втором 4 резисторах напряжение между коллектором иэмиттером транзисторови 2 умень -шается, поэтому разность потенциаловмежду полюсами устройства с отрицательным сопротивлением понижается,Таким образом, при положительном приращении тока между полюсами устройства с отрицательным сопротивлениемприращение напряжения между полюсами отрицательное, что свидетельструет оналичии отрицательного дифференциального сопротивления между полюсами 5устройства с отрицательным сопротивлением. Использование дополнительных элементов - четвертого 6 и пятого 7 ре- О зисторов и источника тока 8, включенных по предлагаемой схеме, а также снятие отрицательного сопротивления с эмиттеров транзисторов 1 и 2, которые являются полюсами устройства 5 с отрицательным сопротивлением, позволяет уменьшить влияние изменения коэффициентов передачи транзисторов 1 и 2 по току, изменяющихся под действием дестабилизирующих факторов, 2 О на модуль отрицательного дифференциального сопротивления. 25 Устройство с отрицательным сопро. тивлением, содержащее два транзистора противоположной структуры, эмиттеры которых являются полюсами устройства с отрицательным сопротивлением,ЗО при этом коллектор и эмиттер транзистора одной структуры через первый ивторой резисторы соединены с эмиттером и коллектором транзистора противоположной структуры соответственно,а базы соединены через третий резистор, о т л и ч а ю щ е е с я тем,что, с целью уменьшения изменения модуля отрицательного сопротивления отизменения коэффициентов передачи4 О транзисторов по току, введены четвертый и пятый резисторы и источник тока, включенный между коллекторамитранзисторов противоположной структуры, а четвертый и пятый резисторы45 включены соответственно между базойтранзистора одной структуры и коллектором транзистора противоположнойструктуры,