Устройство для возведения в степень

Номер патента: 362445

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Анпилов

МПК: H03F 1/04, H03K 5/13

Метки: импульсный, транзисторах, усилитель

...3 закрывается, так как на его базу25 поступает положительный потенциал с точки15 делителя через открытый переход эмиттерколлектор транзистора 2. Транзисторы 4 и 5открываются и через нагрузки 12 и 13 протекает рабочий ток от источника коллекторного30 питания,На чертеже изображена схем усилителя.Усилитель содержит входной кад на полевом транзисторе 1, кады на транзисторах 2 и 3 и кады на транзисторах 4 и 5, Д а импульсног ключевои касключевые касвыходные каслитель смещеИзвестен усилитель, состоящий из нескольких усилительных каскадов на транзисторах с непосредственными связями, источника напряжения смещения и делителей смещения. Для запирания каждого транзистора в таком усилителе необходим отдельный делитель напряжения смещения, а...

Номер патента: 731554

Опубликовано: 30.04.1980

Авторы: Баскин, Калинин

МПК: H03F 1/32

Метки: транзисторе, усилитель

...увеличении скачком мощности, рассеиваемой в транзисторе 1, на выходе дат чика 6 и на выходе вычцтателя 4 появитсяположительный скачок напряжения, который интегрируется инерционной цепью 3, последняя регулируется так, чтобы ее постоянная времени была равной постоянной 20 времени процесса нагревания кристаллаполупроводника в транзисторе 1. Поэтому на выходе инерционной цепи 3 появится напряжение, изменяющееся с той же постоянной времени, что ц температура крцстал ла в транзисторе 1, то есть синхронно сией.Это напряжение подается в течение всего переходного процесса прогрева кристалла как дополнительное смещение на базу транзистора 1. Прп этом регулируется его вели чина и полярность. Таким образом, измене731554 3 Составитель Е,...

Номер патента: 581571

Опубликовано: 25.11.1977

Авторы: Белоусов, Тюрин

МПК: H03H 7/20

Метки: вч-усилителя, защиты, мощности, транзисторов

...1 и входом датчикачик 3 рассоглв- Ддя повышения надежности вспомогателный усидитель 9 может быть, в частности,сования через дополнктельно введенные 10первый коммутатор и второ о7 й к ммутатор выполнен нв полевых транзисторах, которыек замыкающим контактам которых подкдвдкдю иэ-за отсутствия явления вторичного пробои,8, к эвмыквюшинного биполярным транзисторам, нечены соответственно вход и выход вспомога- . свойственного иподввдяющему вь восприимчивы и рассогдасоввнию нагрузки.тельного усилителя 9 а к управляющему щ 4Таким об азом, в предлагаемом устройсяхоа бп ока 4 усипения и формирования сигнв аким разом, в преходу пока уве не возникает ограничений на степень раола рассогласования подключены управляющиесогласования нагрузки, что...

Номер патента: 264483

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Фисенко

МПК: H03G 3/30

Метки: транзисторах, усилитель

...делитель, определяющий входное сопротивление четырехполюсника. Для управления током в цепи управления используется ограничивающий резистор 8.Эмиттерные резисторы 6 и 7 балансируюткоэффициенты передачи обоих четырехполюс 5 ников. Резистор 9 балластный,Параметр транзистора по постоянному току д., пропорционален коллекторному току.Токи через транзисторы 1 и 2, как и достижимые коэффициенты передачи четырехполюс 10 ников, собранных на этих транзисторах, регулируются управляющим напряжением Ур,подведенным к точке соединения их коллекторов.Так как транзисторы противоположных ти 15 пов проводимостей, верхний (по схеме)четырехполюсник преимущественно управляем значениями 1 р (О, нижний С,.р )О.В случае изменения полярности Уур...

Номер патента: 297110

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Алексеев, Говорухин, Ленинградский

МПК: H03F 1/42

Метки: распределенным, транзисторах, усилением, усилитель

...секций, каждая из которых (за исключением последней) полностью аналогичнадвум первым, описанным выше. В приведеннойсхеме это относится к третьей секции.Последняя секция усилителя, в данном случае четвертая, как и предыдушие, содержиттранзистор 18, база которого через разделительный конденсатор 19 подключена к отводуотрезка искусственной длинной линии 20 (аналогично отрезкам линии 9 и 17), принадлежащего третьей секции усилителя. Эмиттер транзистора 18 присоединен к заземленному проводу 3 через параллельную ЙС-цепочку 21, состоящую из сопротивления 22 и конденсатора 23,Коллекторы транзисторов, как и в известных схемах, подключаются к выходной линиипередачи. Каждая секция выходной линии передачи содержит две индуктивности (напри 5 мер,...