Установка для изучения процесса кристаллизации стекла

, Мухин и Н. Г, Гуткина ДЛЯ ИЗУЧЕНИЯ ПРОЦЕССТАЛЛИЗАЦИИ СТЕКЛА УСТАНОВКА КРИСиув)ли)(ов(и)о 1 Извесгны установки лля изучения процесса кристаллизации сгекся, состс;яшис из высокотемпературной печи в ссиетании с Рмикроскс)пом, прелназначеиные для изучения процесса кристал.)изации в какой-либо одной точке печи в узком температурном интерва,е. Подобные установки не дают возможности измерять температуру стекла в наблюда(- мой области и исследовать процесс кристаллизации в маловязких С Р ЕЛ(1 Х.В опись)в;)см:)й) стяновке зти н(.лосгятки стрянены приь)енением градис.нтной печи с продольной щелью, вдоль кс) горой перемещается оптическая система микроскопа, и термопары, вмонтированной в теплоизоляцн(иНую ширмочку. Для исследования маловязких грел прслусмо)ре)го применение платин"вой кюветы с порированным плоским дном, К 010 РМК) З(1 ПОЛН 51 ОТ НСС.,ЕДЕМЫМ ВСН)ССТ 3.1.Разрез гралиснтной печи опи:ывяемой у тяновки приведен на чертеже.Градиентна) Печь содержит жаровой цилиндр 1 с градиентной обыкой нягрсватсля ), Вдоль цилиндра 1 прорезана щель 3. Жаровой 1)илиндрпомещен в металлический кожух 4, я пространство между ними заполнено крошкой из высоког инистого нямотя 5. Вдоль прс)- ЛОЛЬНОЙ ще 1 И 3 ПЕРЕМЕНЕТСЯ ОПТИЧССКая СИСтеМЯ ц)крОСКОПЯ, НЕ ПОКЯ (1 н и 11 51 н яе р т е ж с.Лр 5 уменьшения теилоотдачи печи и д,я и;ключения персгрсванич Онтичс.Скои сР 1 стемы ыикроскоп(1 про(эльная щель .э перекрыт(1 трем 51 слоями стекол 6, 7 и 8 и подвижными тенлоизоляционньми ширмочками 9. НЯР)бо.)ее Олизко к )карово)а 1 цилиндр 1 рас.положено кварцев;)с стекло. В качестве стекол 7 и 8 использовано стекло типа СЗС, корон)о пропускаошее вРлимый свет и сильно поглощающее инфракрасные лучи. Измерение температуры непосредственно в наблюдаемой через ми. кроскоп области осуществляют при помощи вмонтированной в одну н 1 нолвижных ширмоцек 9 термопары 10,;(ля наблюдения процесса кристяллизяции в маловязких средах исс Сдуемос стекло помешан)г в цгатцювук) кювету 11 с цсгирс)ваци.х ло;ким дном, вып;)лцян),ццм ро,ь зсркала, Няблюдсцс,пр 1 э ом ведут в отражснцом свсте,Описанная 1 станОВКО деСт Возможность цроизВОдиь цецосрсдс Веццос микроскопическое наблюдение за процессами кристаллизации стеко, в широком интервале температур Гри температурах до )50 00- мотку нагревателя 2 изготавливают из нцхрома, до 1100 .из сц,авя ОХ 251-05 пс ГОСТ 5 б 32-5 и при темперагуре до 400 цз платины. Г 10 с 05 НсВо ГемцературцОГО ре)кима цепи цоддсркива 10 т цри 1(1;)ши эектроцно 0 тсрмореГл 51 тОря, нс ц 01(1311 ННОГО ца чертежс. Оос" печи. ваОщего термостатировацие с точцостьк =-5. Для удобства наб,:К)деи Окуляр микроскопа усгацавлиВаОт В ГОризОнтяльном погожс.ции сбй( НЕЧИ, СВИЗЫВяя ОГО С ОбЬЕК 11 ВОМ, раСНО,ОЖСННЫМ цяд ц 11 тгЬЮ Пр 1 ПОМО- цш призмы. 11 рсдмст изобретения.Д б 7 8 7 3 2 9 О Комитет по делал изобретений и открытий при Совет" Министров СССР Редактор Н. С. Кутафина Гр, 39; 1701. Установка для 1 зрСИ)1 процесса кристаллизации секла, сос 1051 ше 51 из ВЫСОкотсзце 1)я урцс)1 Нси В сс)етынги с )15 к)оскоцом, 0 тл и ч и ю щ и я с я тем, что, с цсльк одцовременного наблюдения за процессом кристаллизации сгск,я при различных температурах, примене:я радиецтная печь с продольно)1 щелью, вдоль которс 5 перемещается оптическая система микроскопа, при этом продольная щель перекрыта тремя слоями сгскол и подвижными теплоизоляциоццыми ширмочками, и ключяющими псрсгреванис оптцческои системы микроскопа.2. Установка для изучения процесса кристаллизации стекла по и. 1, о т л ц ч а ю щ я я с я тем, что, с целью измерения температуры испо. срсдствсцно в наблюдаемом через микроскоп месте, в одну из подвижных теплоизоляционных ширмочек вмоцтрована тсрмоцара.:). Установка для изучени 5 процесса кристаллизации стекла по и. 1. о т л и и я ю щ а я с я тем, что, с целью осуцествлеция возможности наблюдения процесса кристаллизации в маловязких средах, свободно вытекающих через отверстия малого диаметра, изучаемое стек чо помещается в пл;пцновую кОвечку с полированным плоским дном, выполцяюцсц) рог 1 Ь зеркала, и на о 1 олсцис Вс,11.". с 51 в Отраженно;1 сВС е.