Датчик для определения аммиака в газовой среде
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
,80, 1 С 01 Х 27/02 НИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ иССР к по элемен ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИИ АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(71) Отделение химии поверхнИнститута физической химии А(54) ДАТЧИК ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯВ ГАЗОВОЙ СРЕДЕ(57) Изобретение относитсяпроводниковым чувствительным там и может быть использовано дляопределения аммиака. Цель изобретения состоит в повьппении избирательности к аммиаку, увеличении чувствительности и быстродействия датчика.В качестве полупроводникового элемента применяют германий п-типа сокисным слоем, в одну из плоскостейкоторого вплавлена легирующая добавка индия. Причем толщина слоя окисигермания находится в пределах от0,8 до 1,0 мкм. Так как максимальноеизменение сопротивления р-п-переходанаблюдается при этих толщинах, то селективность и чувствительность датчика увеличиваются. 1 ил.272199 15 ся до первоначального значения. Формула и з обретения Составитель Г, Боровик Редактор Н. Рогулич Техред В.Кадар Корректор О. ЛуговаяЗаказ 6331/41 Тираж 7/8 Подпис ное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г, Ужгород, ул. Проектная, 41Изобретение относится к областигазового анализа, в частности к полупроводниковым чувствительным элементам, используемым для опредепения аммиака.Цель изобретения - повышение селективности к аммиаку, увеличениечувствительности и быстродействия,На чертеже изображен датчик дляобнаружения аммиака,Чувствительный элемент выполнениз последовательно расположенныхполупроводникового кристалла 1 германия п-типа, слоя 2 металлическогоиндия и поверхностного окисногослоя 3. Слой индия и электрод длясоздания омического контакта с поверхностью кристалла 4 расположенына противоположных поверхностяхкристалла германия и к ним прикреплены соединительные выводы 5 и 6. Устройство работает следующим образом,При воздействии аммиака на чувствительный элемент датчика происходит донорно-акцепторное взаимодействие адсорбированных молекул аммиака с носителями заряда в полупроводнике. В результате этого взаимодействия происходит электрическое заряжение поверхности полупроводника, что приводит к изменению его электрофизических свойств. Наиболее чувствительной мерой изменения электрофиэических свойств полупроводника в эависимости от состояния его поверхности при адсорбции аммиака является изменение проводимости рперехода в полупроводнике. По величине изме нения проводимости р -н-перехода полупроводника можно судить о концентрации ЙН в анализируемой среде.Изменение проводимости Р -и-перехода измеряется с помощью соответствующего прибора (например, омметра), шкала которого отградуирована в единицах концентрации. После снятия воздействия аммиака проводимость чувствительного элемента восстанавливаетДатчик для определения аммиака в 20 газовой среде, содержащий полупроводниковый элемент и электроды, нанесенные на противоположные стороныэлемента, о т л и ч а ю щ и й с ятем, что, с целью повышения селективности обнаружения аммиака, увеличения чувствительности и быстродействия, в качестве вещества полупроводникового элемента используют примесный германий и-типа проводимос ти, между электродами и одной изсторон элемента размещена легирующаядобавка индия, причем на поверхностиполупроводникового вещества, свободного от легирующей добавки индия,нанесен слой окиси германия толщиной0,8-1,0 мкм.
СмотретьЗаявка
3886247, 13.03.1985
ОТДЕЛЕНИЕ ХИМИИ ПОВЕРХНОСТИ ИНСТИТУТА ФИЗИЧЕСКОЙ ХИМИИ АН УССР
ШИЯБОВ ИЛЬЯ ШАРИПОВИЧ, САФРО ГЕННАДИЙ ПИНХОСОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01N 27/02
Метки: аммиака, газовой, датчик, среде
Опубликовано: 23.11.1986
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1272199-datchik-dlya-opredeleniya-ammiaka-v-gazovojj-srede.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Датчик для определения аммиака в газовой среде</a>
Датчик гиперболоидного масс-спектрометра типа трехмерной ловушки
Номер патента: 999867
Опубликовано: 27.07.1997
Авторы: Гуров, Колотилин, Шеретов
МПК: H01J 49/42
Метки: гиперболоидного, датчик, ловушки, масс-спектрометра, типа, трехмерной
Датчик гиперболоидного масс-спектрометра типа трехмерной ловушки, включающий один кольцевой и два торцевых электрода, представляющий собой гиперболоиды вращения, источник электронов, содержащий катод, управляющий и формирующий электроды, отличающееся тем, что, с целью увеличения чувствительности, катод источника электронов расположен между управляющим электродом и одним из электродов датчика, являющимся формирующим электродом источника.
Датчик гиперболоидного масс-спектрометра типа трехмерной ловушки
Номер патента: 999865
Опубликовано: 23.03.1987
МПК: H01J 49/42
Метки: гиперболоидного, датчик, ловушки, масс-спектрометра, типа, трехмерной
...от центрат, ггсистемы до краев канала на торцовом электроде, соответствующего каналу на кольцевомэлектроде;уаК= -- коэффициент эллипсносХг,ти электродной системы.На фиг. 1 показано схематично 35 предлагаемое устройство; на фиг.2 схематическая конструкция предлагаемого датчика, в котором каналы ввода и вывода заряженных частиц и компенсирующие каналы совмещены, на фиг,3- 40 зависимость относительной ошибки отклонения потенциала в центре датчика от идеального до величины 2 /д прик гр 2, /У Й, 1 , Пунктиром показано знатчение 2,р/Й, соответствУющее соотно шению (1).Датчик состоит из кольцевого электрода 1, торцовых электродов 2, канала 3 для ввода заряженных частиц в кольцевом электроде и соответствующих компексирующих каналов 4 в...
Датчик гиперболоидного масс-спектрометра типа трехмерной ловушки
Номер патента: 999866
Опубликовано: 27.07.1997
Авторы: Колотилин, Самодуров, Сафонов, Шеретов
МПК: H01J 49/42
Метки: гиперболоидного, датчик, ловушки, масс-спектрометра, типа, трехмерной
1. Датчик гиперболоидного масс-спектрометра типа трехмерной ловушки содержащий один кольцевой, два торцевых электрода и детектор, отличающийся тем, что, с целью повышения относительной чувствительности и уменьшения фонового сигнала, в датчик введен отражательный электрод, а детектор выполнен на основе микроканальных пластин и имеет центральное сквозное отверстие, при этом отражающий электрод расположен у входной поверхности микроканальных пластин.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что между торцевым электродом и детектором электронов расположен экран, имеющий отверстие, соосное с отверстием в детекторе.3. Устройство по пп.1 и 2, отличающееся тем, что между торцевым электродом и экраном расположены диафрагма и управляющий...
Датчик гиперболоидного масс-спектрометра типа трехмерной ловушки
Номер патента: 1140643
Опубликовано: 20.11.1999
Авторы: Гуров, Колотилин, Сафонов, Шеретов
МПК: H01J 49/42
Метки: гиперболоидного, датчик, ловушки, масс-спектрометра, типа, трехмерной
1. Датчик гиперболоидного масс-спектрометра типа трехмерной ловушки, содержащий подключенные к источникам постоянного и высокочастотного напряжения два торцевых и один кольцевой полеобразующие электроды при этом рабочая поверхность кольцевого электрода образована осесимметричным гиперболоидом вращения, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности и повышения надежности за счет снижения требований к стабильности отношения амплитуды высокочастотного напряжения к величине постоянного напряжения, рабочая поверхность по крайней мере одного из торцовых электродов выполнена конусной с вершиной, совпадающей с точкой пересечения плоскостей симметрии электродной системы, а образующая...
Датчик для определения концентрации аммиака в газовой среде
Номер патента: 1141326
Опубликовано: 23.02.1985
МПК: G01N 27/02
Метки: аммиака, газовой, датчик, концентрации, среде
...датчик для определения концентрации аммиака в газовой среде, содержащий чувствительный элемент, проводимость которого изменяется в зависимости от концентрации аммиака в среде, и электроды, установленные на ЗО его поверхности. Для регенерации чувствительного элемента используют нагрев его до 50-60 С в течение 10 мин на воздухе, после чего его свойства восстанавливаются 2. 35Недостатками известного датчика являются невозможность обеспечения непрерывных измерений, связанная с необходимостью регенерации чувствительного элемента, и его инерцион ность.Целью изобретения является снижение инерционности датчика и обеспечение непрерывности измерений.Поставленная цель достигается теМ, что в датчике для определения концентрации аммиака в газовой...
Предыдущий патент: Способ количественной электронной оже-спектроскопии для анализа состава зернограничных, межфазных и поверхностных сегрегаций
Следующий патент: Способ определения состава каменноугольного пека
Случайный патент: Устройство для окрашивания изделий