Способ разработки русла канала

Номер патента: 1117364

Опубликовано: 07.10.1984

Авторы: Голубев, Меламут, Осокин

МПК: E02B 5/02

Метки: канала, разработки, русла

...части напорного пульпопровода,Кроме того, выпуск пульпы, отбираемой из Верхней части напорного1 Ульпопр овод ОсуществляОт рассредоточецо Вдоль бровки русла канала.На фиг. 1 показана схема разработки русла канала в плане; нафиг, 2 - сечение Л-А на фиг. 1,Сгособ осуществляют следующимобразом,Немлесоспнми снарядами 1, например параллельными полосами 2, разраба нвают Выемку 3 русла канала 4с перебором 5 грунта в нижней б части откоса и недооором 7 грунта вВерхней 8 его части. Необходимостьразработки выемки русла канала с перебором 5 грунта в нижней б частиОткоса и недобором 7 грунта в верхней 8 его части, .е, по принципуравновеликих объемов , вьзвана тем,что существующими земснарядами невозможно отработать проектный поперечный профиль...

Номер патента: 1242565

Опубликовано: 07.07.1986

Авторы: Бабин, Бакыев, Крикоров-Григорьянц, Лавроненко, Медведев, Рыманова, Шапиро

МПК: E02B 1/00, E02B 5/02

Метки: канала, русла, формирования

...трудо сывают в водоток 2 по сбросному каназатрат в условиях использования в ка- лу 6, которую также можно учесть причестве приемника наносонесущего пото- расчете транспортирующей способности,ка открытого водотока, Деление расхода наносов производятНа чертеже изображен план участка посредством деления расхода воды, приместности с водоисточником, водотоком 1 О чем в боковой отвод направляют частьи сооружениями для формирования русла его, равнуюканала,ц Ил.й (-Рп.й -Рт, ь) - ДВ(Рт.в, - Ро.ь)Между водоисточником - водным баск Рп,Р.сейном 1 и приемником наносонесущегопотока - водотоком 2 выполняют в грунгце Ярд, - расход воды, отводимый вте пионерную траншею 3 (возможно ис- котлован-отстойник,пользование для этой цели существую- Я 11 р -...

Номер патента: 1418401

Опубликовано: 23.08.1988

Авторы: Айзман, Богатов, Кавков, Лысенко

МПК: E02B 5/02

Метки: грунтопленочного, канала, образования, русла, экрана

...грунтомс одновременной разработкой второйзахватки; на фиг. 5 " схема. укладкипленочного экрана на второй захваткеи засыпки его грунтом с одновременной 25разработкой третьей захватки; нафиг. 6 - то же, на четвертой и третьейзахватках; на фиг. 7 в . схема соедине ния смежных полотнищ пленки междусобой; на фиг, 8 - схема присыпки зон 30соединения пленочных полотнищ и окончательной доводки сечения канала допроектйых отметок,,Способ образования грунтопленочного экрана русла канала осуществляютследующим образом.Русло каналапервоначально разрабатывают до проектных отметок 1, затем,начиная с начала или конца канала(взависимости от конкретных условий 40строительства) производят разработкупервой поперечной захватки 2 грунтадо отметок 3 под...

Номер патента: 1386636

Опубликовано: 07.04.1988

Авторы: Аббасов, Лощенов, Меликов, Рзаев, Щербинин

МПК: C10G 33/00

Метки: воды, нефтяной, потоке, содержания, эмульсии

...потока 11 через диспергатар 10 непрерывно поступает в нижнюю часть емкости 3 и через свободный слив с верхней части отверстия отводится па трубопроводу 2, При изменении содержания воды в потоке 11 изменяется плотность эмульсии в емкости 3. В нижнюю часть емкости 4 па трубопроводу 5 непрерывно поступает пластовая вада плотностью одинаковой с водой, содержащейся в нефтяной эмульсии. Отвод пластовой воды осуществляется через свободный слив по трубопроводу 16. Сжатый воздух по линиям 13 и 7 подается в щелевые пьезоэлектрические датчики 1 и 2 расположенные в емкостях 3 и 4. При выходе иэ этих датчиков сжатый воздух встречается с сопротивлениями, создаваемыми слоями нефтяной эмульсии (в емкости 3) и соленой пластовой водой (в емкости 4) При...

Номер патента: 361399

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вител, Шевич

МПК: G01K 17/20

Метки: газовому, коэффициента, металлической, насадки, омывающему, потоку, теплоотдачи

...мягким припоем к токоподводящим пластинам 7. Последние, в свою очередь, имеют надежный электрический контакт с токоподводящими медными шпильками б, к которым подводится переменный ток того или иного напряжения в зависимости от намечаемой программой тепловой нагрузки насадки.Наличие токораспределяющих пластин, выполненных из меди, имеющей высокий коэффициент теплопроводности, вызывает искажение температурного поля насадки вблизи этих пластин. Глубина искажения температурного поля насадки также зависит от режима испытания и максимальна при больших тепловых нагрузках и малых скоростях газового потока для данной насадки.С целью исключения искажающего влияния пластин на измеряемые термодатчиками величины в предлагаемой установке значения...