Генератор импульсов с милливольтным напряжением питания

. РЕСПУБЛИК ИЮ И 202 А СЮ 4 Н 03 К 3/02 ОМИТЕТ СССР И ОТНРЫТ ВТОРС КОМУ ТЕЛЬСТВО У институтСР СССР 980.ВОЛЬТо 2С . МИЛЛИ ть три спольз Цельгостам стаеннцйГЮ ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИИ ОПИСАНИЕ ИЗОБР(71) Физико-техническийнизких температур АН УС(54) ГЕНЕРАТОР ИМПУЛЬСОВНЫИ НАПРЯЖЕНИЕМ ПИТАНИЯ(57) Изобретение может бьвано, например, в телеме изобретения - получение парафазныхвыходных импульсов, Устройство содержит транзисторы 1 и 2, трансформатор 3 с обмотками 4, 5 и 6, резистор 7, шину 8 питания, общую шину 9.Выходные парафазные импульсы снимаются с нагрузок в коллекторной и. эмиттерной цепях транзистора 1 через разделительные конденсаторы 10 и 11.Достижению поставленной цели способствует введение обмотки 6 и включение ее между эмиттером и коллекторомтранзисторов 1 и 2 соответственно.1 ил1 123820Изобретение относится кимпульсной технике и может быть использовано, например, в телеметрии.Целью изобретения является получение парафазных выходных импульсов.На чертеже представлена принципиальная электрическая схема устройства.Генератор импульсов содержит основной и дополнительный транзисторы 1 и 2, трансформатор 3 с обмотками 1 б 4, 5 и 6, резистор 7 через который база транзистора 2;подключена к шине 8 питания, Обмотка 4 включена между коллектором транэйсторв 1 и шиной 8 началом кколлектору транзистора 1. Базовая обмотка 5 включена между шиной 8 и базой транзистора 1 началом к шине 8. Третья обмотка 6 включена между шиной 8 и базой транзистора 1 и коллектором транзистора 2 согласно с обмоткой 4, т.е. концом к эмиттеру транзистора 1, а началом к коллектору транзистора 2, эмиттер которого соединен с общей.шиной 9.Выходные,парафазные импульсы 2 снимаются с ангрузок в коллекторной и эмиттерной цепях транзистора 1 че рез разделительные конденсаторы 10 и 11.Генератор работает следующим об- З разом. 2 3мирование фронтов парафазных импульсов. В течение некоторого отрезка времени (примерно 40-50 мкс), определяемого временем заряда межвитковых емкостей обмоток трансформатора 3 и емкостей переходов транзисторов 1 и 2, напряжение на коллекторе и эмиттере транзисторов 1 незначительно изменяется - происходит формирование вершин импульсов. Наряду с этим,учитывая, что обмотка 6 трансформатора 3 включена противофазно обмотке 5, сформированный на ней перепад напря-. жения передается на базу транзистора 1 в отрицательной полярностии. вызывает его быстрое закрывание, в результате чего напряжение на коллекторе транзистора 1 - в отрицательной полярности и вызывает его быстрое закрывание, в итоге напряжение на коллекторе транзистора 1 возрастает, а на эмиттере убывает, т.е. происходит формирование спадов импульсов. Время, в течение которого транзистор 1 закрыт, определяется разрядом ем-: костей обмоток 4 и 5 трансформатора 3 и переходов транзистора 1, а затем транзистор 1 снова начинает открыватьсяи процессы в схеме повторяются. Время разряда вышеуказанных емкостей определяет период повторения генеируемых импульсов В результате на агруэках, включенных в цепи коллекора и эмиттера транзистора 1, формиуются парафазные (равные по амплиуде и сдвинутые по Фазе на 180 ф) мпульсы. РНагрузкой в цепи коллектора транзис- н тора 1 является обмотка 4,а нагрузкой в т цепи эмиттера транзистора 1 являются р обмотка 6 и последовательно с ней соеди- т венное сопротивление. участка коллек-и тор"эмиттер транзистора 2. Привключении питающего напряжения возникающий в цепи коллектора транзистора 1 ток, протекая по обмотке 4, участку коллектор-эмиттер транзистора 1, обмотка 6 и далее - через участок коллектор"эмиттер транзистора 2, создают на указанных обмотках (эасчет переменной составляющей тока) падение напряжения, в результате чего напряжение на коллекторе транзистора 1 резко уменьшается, а на его эмиттере возрастает - происходит ФорСоставитель М,Редактор Л. Повхан Техред М.Ходан Формула изобретения Генератор импульсов с милливольтным напряжением питания по авт.св. У 1167703, о т л и ч. а ю щ и й с я. тем, что, с целью получения парафаз- . ных выходных импульсов, трансформатор снабжен третьей обмоткой, которая включена между эмиттером основного и коллектором дополнительного транзисторов, согласно с коллекторной обмоткой основного транзистора. Щедринич Корректор С. Черни Заказ 3302/56 Тираж 816 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб.,д, 4/5 Производственно-полиграФическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4