Устройство для магнитно-импульсной обработки
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНИХРЕСПУБЛИН 103 1026 еи подключен к а а контактами - в о т л и ч а ю щ с целью поженил индуструкции,установленщей про ыец ивн лоски в кла одсои ом иэ обраее ороны нове том устроиство тел ьнои еезолееруюразмещенной в упвода индуктора,ных стоек контак ного узла и ег становлены с дов индуктораедственчого потенциал наружнои стор с возможностьконтакта с ним ьныи ы вы ееепо ССУД АРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИИ(71) Харьковский политехнический институт им. В,И,Ленина.(54)(57)УСТРОЙСТВО ДЛЯ МАГНИТНО-ИМПУЛЬСНОЙ ОБРАБОТКИ, содержащее индуктор с плоскими выводами, контактный узел, выполненный в виде размещенееьех на плите плоских вертикаль.ных стоек, раэмещенпого между нимипотенциального вывода и контактов,а также изоляционные прокладки нэлектрическую цепь, включающую накопитель .и коммутатор, при этом контактный узел вертикальными стойкаыводам индуктораэлектрическую цепе е с я тем, что,я КПД эа счет снисти и упрощения коне выводы иеедукторантакте .с иэолируаразмещенной междувыводов индуктораенных друг другуолнена выемка, приснабжено дополнищей прокладкой,омянутой выемке выа одна из вертикаль1210310 Состайитель И.СимакинаТехред Т.Тулик Корректор Л.Патай Редактор Н.Юрчикова Заказ 1898 Тираж 496 Подписное ВНИИПИ Гасударственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, ЖРаушская паб., д,4/5Филиал ППП Патент, г., Ужгород ул,Проектная, 4 Изобретение относится к обработкеметаллов давлением и может быть использовано при магнитно-импульснойобработке.Целью изобретения является повышение КПД устройства за счет снижения индуктивности и упрощения конструкции,На чертеже схематично изображено описываемое устройство,Описываемое устроиство для магнитно-импульсной обработки содержит индуктор 1 с плоскими выводами2 и 3, контактный узел выполненныйв виде размещенных на массивной плите 4 плоских вертикальнь.х стоек 5 иб и расположенного между ними потенциального вывода 7,В описываемом устройстве контактпый узел с упомянутыми вертикальными стойками подключен к выводам индуктара, а контактами 8 и 9 - в электрическую цепь, включающую емкостный накопитель 10 и коммутатор 11,Описываемое устройство также содержит изоляционные прокладки 12 и13, одна из которых 12 установленаме;кду выводами индуктора в выемке,выполненной в одном из выводов, адругая изоляционная прокладка 13размещена между потенциальным выводом и вертикальной стойкой. Поджатие потенциального вывода к выводам индуктора осуществляется посредством винта 14.Описываемое устройство работает следующим образом.В момент замыкания коммутатора 11 и цепи, образованной емкостным накопителем 10, потенциальным выводом 7, плоскими выводами 2, 3 индукторавертикальной стойкой 5 и контактом 8, возникает затухающий колебательный разряд. Ток, протекающий по индуктору 1 наводит вихревые то-Фки в заготовке размещенной в рабосТ чем отверстии индуктора 1, приводт к деФормираианию заготовки.Поскольку изолятор 12 одновременна изолирует потенциальный вывод 7 и плоский вывод 2 индуктора 1 благодаря наличию углубления в выводе индуктора, то в узле воздушный зазор отсутствует между плоскими выводами 2, 3 индуктора 1 и контактным устрой. стиом магнитно-импульсного устройства. Устранение воздушных зазоров и полостей в контактном узле снижает индуктивность последнего, а следовагельно, устраняет потери энергии на создание потоков в воздушных зазорах. Все это повышает КПД контактного узла и всего магнитно-импульсного устройства и цепом,
СмотретьЗаявка
3730060, 21.04.1984
ХАРЬКОВСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. В. И. ЛЕНИНА
ХИМЕНКО Л. Т, ЛЕГЕЗА А. В, МЕЖУЕВ А. Т, РАГУЛИНА И. Е
МПК / Метки
МПК: B21D 26/14
Метки: магнитно-импульсной
Опубликовано: 23.04.1991
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1210310-ustrojjstvo-dlya-magnitno-impulsnojj-obrabotki.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для магнитно-импульсной обработки</a>
Предыдущий патент: Устройство для измерения давления газа в герметичных изделиях
Следующий патент: Устройство для выращивания монокристаллических лент сапфира
Случайный патент: Устройство для подачи поверхностной воды в глубинные слои водоема