Генератор импульсов с милливольтовым напряжением питания

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБ 3/О 4 (51"-ьЩД ОЛИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ ДЕТЕЛЬСТВ АВТОРСКОМ ститут низких ьство СССР2, 1977. ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР пО делАм изОБРетений и ОткРыти(54) (57) ГЕНЕРАТОР ИМПУЛЬСОВ С МИЛЛИВОЛЬТОВЬ 1 М НАПРЯЖЕНИЕМ ПИТАНИЯ по авт. св.1064428, отличаюи 1 ийся тем, что, с целью повышения частоты повторения выходных импульсов, между эмиттером основного транзистора и второй шиной источника питания введен дополнительный транзистор, коллектор которого соединен с эмиттером основного транзистора, база через резистор соединена с первой шиной источника питания, а эмиттер - с второй шиной источника питания.111Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в радиотехнических устройствах различного назначения, например, в вычислительной технике, технике связи, телеметрии и т. д.По основному авт. св. Юо 1066428 известен генератор импульсов с милливольтовым напряжением питания, содержащий транзистор, трансформатор, первая обмотка которого включена между первой шиной источника питания и коллектором транзистора, вторая обмотка трансформатора включена между первой шиной источника питания и базой транзистора, эмиттер которого подсоединен к второй шине источника питания, причем первая и вторая обмотки трансформатора подключены к первой шине источника питания разноименными полюсами 11.Недостаток устройства - низкая частота повторения выходных импульсов.Цель изобретения - повышение частоты повторения выходных импульсов.Поставленная цель достигается тем, что между эмиттером основного транзистора и второй шиной источника питания введен дополнительный транзистор, коллектор которого соединен с эмиттером основного транзистора, база через резистор соединена с первой шиной источника питания, а эмиттер - с второй шиной источника питания.На чертеже представлена принципиальная схема генератора.Схема генератора импульсов содержит основной транзистор 1, между коллектором и базой которого включены соединенные согласно две обмотки трансформатора 2. В цепь эмиттера основного транзистора 1 коллектором подключен дополнительный тразистор 3, эмиттер которого соединен с общей шиной, а база через резистор 4 подключена к источнику питания. Питание к коллектору и базе основного транзистора 1 подведено через обмотки трансформатора 2, а выходной сигнал снимается через конденсатор 5.Генератор работает следующим образом.В момент подачи на схему низкого (порядка десятых долей вольта) напряжения питания, транзистор 3 открыт, так как к его базе относительно эмиттера приложено положительное смещение от источника питания через резистор 4, а транзистор 1 начинает 67703лавинообразно закрываться в силу того, что возникающий в обмотках трансформатора 2 в начальный момент времени ток вызывает появление ЭДС самоиндукции, которая в отрицательной полярности приложена к базе 5и коллектору транзистора 1. Момент максимальной ЭДС самоиндукции, наводимой в обмотках трансформатора соответствует формированию фронта импульса на коллекторе транзистора 1. Одновременно начинают 10 заряжаться емкости переходов коллектор -эмиттер и база-эмиттер транзистора 1 и емкость коллектор в эмитт транзистора 3, В процессе заряда указанных емкостей переходов на коллекторе транзистора 1 формируется вершина импульса. По мере убывания ЭДС самоиндукции в обмотках трансформатора и заряда емкостей переходов транзистор 1 открывается, что соответствует формированию спада импульса. Таким образом описанные процессы приводят к тому, что на коллекторе транзистора 1 формируется импульс напряжения положительной полярности.После открывания транзистора 1 начнется разряд перечисленных выше емкостейпереходов и время, необходимое для разряда, будет определять собой паузу междугенерируемыми импульсами, т. е. период ихповторения.Увеличение частоты повторения импульсов, генерируемых генератором, объясняется30 тем, что емкости переходов коллектор -эмиттер транзисторов 1 и 3 соединены последовательно и,следовательно, результирующая емкость меньше, чем у одного транзистора, как это имеет место в прототипе,поэтому время разряда ее уменьшится, аЗ 5 частота повторения импульсов будет выше.Предлагаемое устройство может работатьне только в автоколебательном режиме, нои в режиме усиления синусоидальных колебаний или генерирования пачек импульсов,40 для чего необходимо на базу транзистора 3подавать соответственно либо синусоидальное напряжение, либо прямоугольное импульсное,Предлагаемый генератор по сравнениюс прототипом обеспечивает повышение час 45 тоты повторения выходных импульсов напорядок и выше.Составитель И. Белякова Редактор И. Ковальчук Техред И, Верес Корректор В, Бутяга Заказ 4443/52 Тираж 872 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4