Измерительный свч-резонатор

СОЮЗ СОВЕТСНИСОЦИАЛИСТИЧЕСНРЕСПУБЛИН 91 (И) 51) 6 О 1 М 2200 Й ИЗОБРЕТЕНИЯСВИДЕТЕЛЬСТВУ е ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ГО делАм изОБРетений и ОтнРыти ПИСАНИЕ(56) 1, Авторское свидетельство СССРХ 0 496515, кл. 6 О 1 В 31/26, 1973,2. Авторское свидетельство СССР 50896524,кл. 6 01 й 22/ОО, 1979 (прототип).:содержащий отрезок запредельного прямоугольного волйовода с емкостным штырем, расположенным на широкой стенке. волновода, измерительное отверстие, выполненное в противоположной широкой стенке, в которое введен свободный конец емкостного штыря,источник оптического излучения, подключенный к источнику напряжения, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью повышенияточности измерений параметров цолупроводни-.ков, емкостной ппырь выполнен полым, аисточник оптического излучения выполненв виде полупроводниковой светоизлучающейструктуры, п.область которой контактирует.сторцом емкостного штыря, а р-область расположена внутри емкостного штыря и соединенас источником напряжения, при зтом диаметрп-области равен диаметру емкостного штыря,1137379 Составитель Р. КузнецоваТехред М. Кузьма Корректор Е, Сирохман Редактор Н, Киштулинец Заказ 10514/32 Тираж 898ВНИИПИ Росударственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Подписное ул. Проектная,. 4 Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения параметров полупроводников.Известен измерительный СВЧ-.резонатор дляисследования полупроводников, содержащий . 5отрезок запредельного волновода и емкостнойштырь, установленный на широкой стенке отрезка запредельного волновода 111,Однако известный измерительный СВЧ резонатор не позволяет производить фотоэлектрические исследования,Наиболее близким к предлагаемому является измерительный СВЧ-резонатор, содержащийотрезок запредельного прямоугольного волновода с емкостным штырем, расположенным 15на широкой стенке волновода, измерительноеотверстие, выполненное в противоположнойширокой стенке. волновода, в которое введенсвободный конец емкостного штыря, источникоптического излучения, подключеннный к источнику напряжения 21.Однако известный измерительный СВЧ-резонатор не обеспечиваетвысокую точностьизмерений параметров полупроводников,Цель изобретения - повышение точности 25измерения параметров полупроводников.Поставленная цель достигается тем, что визмерительном СВЧ-резонаторе, содержащемотрезок запрепельного прямоугольного волновода с емкостным штырем, ,расположеннымна широкой стенке волновода, измерительное Отверстие, выполненное в противоположной широкой стенке волновода в котороевведен свободный конец емкостного штыря,источник оптического излучения, подключенныйк источнику напряжения, емкостной штырьвыполнен полым, а источник оптическогоизлучения выполнен э виде полунроводниковой светоизлучающей структуры, и-областькоторой контактирует с торцом емкостного4 Дштыря, а р-область расположена внутри емкостного штыря и соединена с источникомнапряжения, при зтом диаметр и-Области равен диаметру емкостного штыря,На чертеже приведена конструкшля измери 45тельного СВЧ-резонатора.Измерительный СВЧ-резонатор содержитотрезок 1 запредельного прямоугольного волфилиал ППП "Патент", г. Ужгород,новода с емкостным штырем 2, расположен.ным на широкой стенке, измерительное Отверстие 3, источник 4 оптическоо н,учения,выполненный в виде полулроводниковойсветоизлучающей структуры, п.область 5 которого контактирует с торцом емкостногоштыря 2, а р-область 6 расположена внутриемкостного штыря 2 и соединена с источникомнапряжения (не показан) с помощью проводника 7, причем и-область выполнена из полупроводника с максимально возможной проводимостью, прозрачной для используемой длиныволны оптического излучения,Измерительный СВЧ-резонатор работает следующим образом.При приложении между отрезком 1 запре.: лельного прямоугольного волновода и проводником 7 разности потенциалов через полупроводниковую светоизлучающую структуру проте. кает ток и его и-р-переход излучает свет, который возбуждает неравновесную проводимость в исследуемом образце 8 полупроводника. Изменение проводимости образца 8 полупроводника приводит к изменению добротности измерительного СВЧ-резонатора, что позволяет с применением различных схемотехнических снособов исследовать фотоэлектрические характе. рпстики полупроводников. Применение изобретения позволяет повысить чувствительность и точность измерительного СВЧ-резонатора из-за наиболее полного вклю. чения образцов полупроводника в емкостной зазор., счизнть трудоемкость процесса измерения за счет исключения необходимости от. крывания и закрывания измерительного СВЧ- резонатора при смене образца и,. что более су 1 цественно, исключить необходимость настрой. ки измерительного СВЧ-резонатора (генератора на максимум измеряемого сигнала которыя достигается при совпадении частоты генератора накачки с резонансной частотой резонатора), так как в предлагаемом измерительном СВЧ- резонаторе резонансная частота при смене образца практически не изменяется при любых толщинах чсследуемых пластин полупроводклка.