Электронно-оптический преобразователь

ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ ОБРЕТЕН ОПИСАН Н датоЕСН 0 М СВИДЕТЕЛЬСТВУ 18 Бюл. В 34 евА.П.С вченко ифизикио отдел 832(08 полупроводнения АН СССР88)ектронно-оп(54)(57) ЭЛЕКТРОННО-ОПТИЧЕСКИЯ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ, содержащий фотокатод с отрицательным электронным средством из полупроводникового материала ,семейства А 3 В и экран, заключенные в вакуумную оболочку, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения чувствительности и долговечности прибора; экран выполнен .из монокристаллической пластины полупроводникового материала семейства А З В , причем наиболее летучий компонент материала экрана совпада:ет с наиболее летучим компонентом материала фотокатода.1042106 ВНИИПИ Заказ 7138/53 Тираж 703 Подписное Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к электронной технике, в частности к электронно-оптическим преобразователем,предназначенным для усиления яркостиизображения или перевода изображения из одной спектральной области 5в другую.Известен однокамерный двухэлекуродный электронно-оптический преобразователь (ЭОП) с прямым переносомиэображения (би - планарный ЭОП). 10Известный ЭОП содержит параллельныеблизко расположенные фотокатод иэкран, заключенные в вакуумную обо-.лочку. В известном,ЭОПе используютсякислородно-серебряно-цезиевые,сурьмяно-.цезиевые или мультищелочныефотокатоды, а материалом экрана являются аморфные или поликристаллические слои веществ типа ЕпЯ, ЕпЯСц,ЕпЯО 4 и др Г 1 3.Недостатком известного ЭОПа является его низкая чувствительность,обусловленная невысоким квантовымвыходом фотокатодов, особенно винфракрасной области спектра.Наиболее близким к изобретениюявляется электронно-оптическийпреобразователь, содержащий фотокатод с отрицательным электроннымсродством, из полупроводниковогоматериала семейства А з Ви экрана, ЗОзаключенных в вакуумную оболочку.В качестве материала экрана исполь"зуютсяаморфные или поликристаллические слои вещества типа ЕпЯ,ц ЕпЯО 4 ЕпЯСфСц и др В качеве материала фотокатода иснользуется монокристаллическая пластинкаполупроводника семейства А З В(например, Са Аз), поверхность которойобработана специальным образом для 40получения отрицательного электронного сродства(ОЭС). Квантовый выход ОЭС фотокатодов может в несколько раз превышать квантовый выходизвестных классических фотокатодов, 45что приводит к увеличению чувствительности прибора без усложнения егоконструкции, увеличения габаритов 23Однако материал классическогоэкрана имеетаморфную или иоликрис-таллическую.структуру с весьма развитой поверхностью. Обеэгаживаниетакого экрана сопровождается ийтенсивным и длительным выделением ад"сорбированных веществ и летучихкомпонентов основных веществ экрана,Во-первых, это затрудняет получениевакуума на уровне 10 9- 10 фмм,рт.ст.,необходимого для приготовления ОЭСфотокатодов. Во-вторых,. из-за близкого расположения фотокатода .и экра-на в бипланарном ЭОПе значительнаячасть веществ, выделяющихся с экрана при его обезгаживании, достигает.фотокатода и загрязняет. его. Этизагрязнения не удаляются полностьюпри последующей очистки фотокатода,что затрудняет получение ОЭС"фото"катода, и, следовательно, бипланарного ЭОПа с высокой чувствительностью. Небольшой срок бипланарногоЭОПа, обусловлен загрязнением поверхности фотокатода атомами, .выбиваемыми из зкрана высоко-энергетическими электронами в процессе работы прибора, Поскольку химическаяприрода вещества классического экрана и ОЭС-фотокатода различны, тозагрязнение поверхности фотокатодачужеродными атомами приводит к быстрому падению его чувствительности,Цель изобретения - повышениечувствительности и долговечностиприбора;Цель достигается тем, что в электронно-оптическом преобразователе,содержащем фотокатод с отрицательнымэлектронным средством из полупроводникового материала семейства А з Ви экран, заключенные в вакуумнуюоболочку, экран выполнен из монокристаллической пластинки полупроводникового материала семействаА з В, причем наиболее летучий компонент материала экрана совпадаетс наиболее летучим компонентомматериала фотокатода,В качестве материала экрана используется монокристаллическая пластинаполупроводникового семейства АЗ В(например, А 1 хСА 1 АЯ), природа которого близка к природе материалаОЭС-фотокатода (в данном случаеСаАз). Монокристалличность материалаэкрана во много раз уменьшает газовыделение при его обеэгаживанйи,. аблизость химической природы материалов фотокатода и экрана приводит ктому, что летучий компонент матерна ла экрана (в данном случае Ав-мышьяк)выделяющийся в результате частичного разложения экрана иэ А 1 х Са х Аэ при его обезгаживации в процессе изготовления или при бом" бардировке электронами в процессе работы, не ухудшает свойств поверхности фотокатода из ОаАв. Другие возможные пары: :фотокатод пР - экран СаР, фотокатод 1 пх. Оау хАв экран А 1 Оа Аз.к т.д,1-у