Амплитудный модулятор

Номер патента: 129682

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Волков

МПК: H03K 3/55

Метки: импульсный, контуров, магнито-ламповый, модулятор, противорезонансных, устройством, формирующим

...1 достигнет максимума, коммутирующий тиратрон 6 поджигается. Емкость 1 резонансно перезаряжается на накопительные емкости 7 и 8 формирующего устройства, включенные параллельно. При этом ем кость 7 заряжается по цепи: земля, вторичная обмотка трансформатора 3, линейный дроссель 9, задающий частоту перезаряда, земля, а емкость 8 - по цепи: земля, вторичная обмотка трансформатора 4, линейный дроссель 10, индуктивности противорезонансных контуров 11 и насыщен. ный в положительном направлении нелинейный дроссель 12,При заряде накопительных емкостей 7 ц 8 нелинейный коммутирующий дроссель 5 выводится цз состояния положительного насыщсция .: цр достжсции а цх максма;11 ного ца 1 ряжсцц 5 Произойдет цасыщ ние его в противоположном...

Номер патента: 1826120

Опубликовано: 07.07.1993

Авторы: Ахматов, Беляков, Глушенко

МПК: H03C 3/28

Метки: конденсаторного, контур, микрофона, модулятора

...с вольтфарадной характеристикой закрытого р-п-перехода, изменяя частоту резонанса контура Ь, и, следовательно частоту генератора 1,Предлагаемая схема контура модулятора позволяет исключить микрофонный усилитель конденсаторного микрофона и необходимые в обычной схеме преобразователи динамического диапазона в тракте низкой частоты передатчика. При этом создается воэможность увеличения отношения сигнал/шум радиомикрофона.Поясним следующее подробнее, 1, Крутизна модуляционной характеристики модулятора определяется отношением, где ЛС 1 изменениеЬС 1Со.емкости С 1 от переменного, запирающего Р-и переход, напряжения, индуцированного электроакустическим преобразователем. С 1 СгСо- С + суммарная емкость конС 1+ Сгтура модулятора,где Сг -...

Номер патента: 107573

Опубликовано: 01.01.1957

Автор: Чехарин

МПК: H01C 1/06, H01C 13/00

Метки: нагрузочное, сопротивление, широкополосное

...СОПРОтПВЛЕПИЕМ ПроЙ СТУПЕНИ; тт сопротивление нагрузки равное Волновому;- длина сопротивления;1 Г 2волновое сопротивление отрезка линии, образованной сопро ивлениеь и цилиндрическим экранОм длРНОЙ- х, 51 В 1 яющееся ВолОвым сопротивлением второй ступени,х Г И,а =-= -- ; в= Ь = - "=ф ф 2 ф- параметры согласования) зующий частотнополосныс свойства,= -- параметр, характ ),Если величины парамет 1) отношение длинь пе д = - 0,4815,2) ОтНОШеЧИЕ ВОЛНОВОГ счупени в = 0,25,то:сей длине сопротивления ов выораны та вой ступени к рвой ступени кэ второй опротивления1053 3) отношение величины номинала сопротивления к волновому сопротивлению второй .ступени Ь = 1,198 (ступени, очсчитываются оТ короткозамкнутого конца), то коэффициент бегущей волны -...

Номер патента: 456307

Опубликовано: 05.01.1975

Авторы: Гандин, Рябов, Фель, Юха

МПК: H01C 11/00

Метки: водоохлаждаемое, нагрузочное, сопротивление

...1, закрепленных в уплотнительных коробках 2. Коробки 2 присоединяются к стальным коллекторам 3, установленным на электроизоляционных основаниях4, монтируемых на каркасе 5. К коллекторам 30 3 приварены патрубки 6 подвода и слива охлаждающей воды.Концы труб 1 в уплотнзаливаются эпоксидно-тидом 7, в котором образоналы 8 для охлаждающе"паунда значительно выст делки труб.Заливка труб компаундом обеспечивает надежное гидравлическое уплотнение и электрическую изоляцию труб друг от друга и от корпусов коллекторов.Электрическое соединение труб между обой производится медными контактными олодками 9, закрепляемыми стяжными болтами 10,Соединение с клеммной платой 11 осуществляется шинами 12, подключаемыми к контактным колодкам 9.При работе...

Номер патента: 766000

Опубликовано: 23.09.1980

Авторы: Веденеев, Вигдорчик, Еременко, Сукманов, Токарев

МПК: H03K 7/08

Метки: модулятор, обратной, связью, токовой, управляемый, широтно-импульсный

...первого силового транзистора 1 подключена к второй вторичной обмотке 10 трансформатора 3 тока, третья вторичная обмотка 11 и четвертая вторичная обмотка 12 соединена последовательно через. переход база-коллектор второго силового транзистора 13 и включены между объединенными выводами нагрузки 9 с второй вторичной обмоткой 10 и общей шиной устройства, с которой соединены эмиттеры обоих силовых транзисторов 1,13, вход ключа 8 переменного тока соединен с шинами 14,15 однополярных импульсов. Схема работает следующим образом, Силовые транзисторы 1,13 включаются по сигналу, поступаемому по шинам 5,6 на обмотку 4 от источника двуполярных импульсов, причем очередность их работы определяется полярностью сигнала, а частота переключе . ния...