Теплообменник

Номер патента: 666598

Опубликовано: 05.06.1979

Автор: Проценко

МПК: H02G 1/08

Метки: проводов, протягивания, пучка, трубах

...с проушиной 8 жима 10 для проводов. В корпусе раэм нирно соединенный имодействующей со у овленной на н в ненной на корббб 598 б д У ф Составитель А.ИоноваРедактор А,Мурадян Техред Н. Бабурка Корректор С.Шекма аз 3 2 Тираж 85 б ЦНИИПИ Государственно по делам изобретен 3035, Москва, Ж, РаушПодписикомитета СССи открытийкая набд,4/ Филиал ППП Патент, г,ужгород,оектная,4 Приспособление работает следующим образом.Концы пучка проводов в зажиме 10 для проводов вводятся в пространство между муфтой 14 и скобой 13, про" дольная ось которой расположена перпендикулярно продольной оси корпуса 5 9 и призмы 12. Введенные концы проводов огибаются вокруг скобы 13 муфты 14, корпус 9 по резьбе вводится в муфту 14 со скобой, шток 11, шарнирно соединенный с...

Номер патента: 247558

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Козаченко

МПК: G01K 1/20, G01K 7/16

Метки: компенсации, погрешностиизмерений, температурной

...тем, что, с целью повышения точности измерений, электрический сигнал измеритель ного термосопротивления изменяют пропорционально величине сигнала компенсационного термосопротивления, при этом ток, протекающий через измерительное термосопротивление, поддерживают постоянным, а через ЗО компенсационное термосопротивление пропускают максимальный ток, не вызывающий его нагрева. с присоединением заявкиПриоритет Изобретение относится к области измерейий параметров газов и жидкостей,Известны способы компенсации температурной погрешности измерений, например, параметров газов и жидкостей, проводимых с использованием измерительного и компенсацион. ного термосопротивлений прямого подогрева, имеющих различную чувствительность, путем...

Номер патента: 516977

Опубликовано: 05.06.1976

Авторы: Гринберг, Марчук, Мдивани, Штец, Шуляковский

МПК: G01R 33/00

Метки: гальваномагниторекомбинационного, компенсации, нестабильности, преобразователя, температурной

...3 и корректора 4. ГМРП питают т источника 2 в режиме заданного Итока. Сопротивление преобразователя 1,помещенного в переменное магнитное поле,будет представлять из себя практическичистое сопротивление преобразователя, имекшего место в отсутствии магнитного поля. 20Сопротивление ГМРП определяется равновесной концентрацией носителей заряда и,следовательно, является функцией температуры его, Б некоторой, весьма незначительной степени сопротивление преобразователя 25будет определяться и функцией величиныизмеряемого магии.ного поля и температуры. Формируются две составляюшиекоторые и посгупают на корректор 4,в соответствии с изменением постоянной ЗОсоставляюшей происходит компенсация температурной погре:ности переменной...

Номер патента: 641308

Опубликовано: 05.01.1979

Авторы: Измайлов, Кокаев, Павельчак

МПК: G01N 3/10

Метки: испытания, напряженном, сложном, состоянии, труб

...2, средство (на чертеже не показано) создания гидравлнческогодавления в камере 1 (для создания гидравлического давления внутри испытуемой трубы 2 жидкость может подаваться внутрь последней), уплотняющие заглушки 3, соединенные с помощью шарниров 4 с центральным сердечником 5, центрируемым в трубе 2 эластичными элементами 6. Между трубой 2 и заглушками 3 предусматривается рабочий в зазор 7. Для созданияизгибающей нагрузкив корпус камеры 1 вмонтировано приспособление,которое выполнено, например в виде гидравлического цилиндра 8 с поршнем 9, штоком 10 и упорной лапой 11, установленной с возможностью перемещения в штоке 10. Труба 2 устанавливается в камере 1 на опоГрах 12.Устройство работает следующим образом, Испытуемую трубу 2 нагружают...

Номер патента: 746218

Опубликовано: 05.07.1980

Авторы: Воробьев, Заседателев, Лепин, Яковлев

МПК: G01L 9/04

Метки: давлений, датчиков, зависимости, интегральных, компенсации, малых, механической, температурной, чувствительности

...(алюминиевые) выводы 5, кремниевую пластину- заготовку б.В качестве исходной пластины-заготовки б используется монокристаллический кремний марки КЭФтолщиной 250 мкм, ориентированный в плоскости (100), Термическим окислениемопри 1200 С образуется слой двуокиси кремния толщиной 0,72 мкм, который используется н качестве маскирующего слоя на операциях формирования тензочувствительных элементон 4 (дийфузионые тензорезисторы р-типа с поверхностным сопротивлением 200 ом/и иглубиной диФфузии 1,8 мкм) и алюминиевых вынодов 5. Тонкие квадратныекремниевые мембраны 1 формируютсяпутем анизотропного травления пластины-заготовки б н кипящем гидразинеГидрате Ид НН 0 марки ЧДА, причемстороны мембрай ориентированы покристаллографическим...