Способ измерения напряженнос магнитного поля

Номер патента: 291173

Автор: Симоненко

ZIP архив

Текст

29 ИУЗ ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 19.1.1970 ( 1395006/18-10) МПК б 01 г 33/02 с присоединением заявк йомитет по делам нзеоретвний и открытий при Советв Министров СССРоритет ДК 621.317.42(0 Опубликовано 06.1.1971. оллетень3ания 24.11.1971 та опубликования опи Автор зобретения, Симоненко явит ПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ НАПРЯЖЕННО МАГНИТНОГО ПОЛЯВ известных способах измерения напряженности магнитного поля, основанных на отклонении магнитным полем носителей тока в однородных полупроводниковых пластинках, например из германия или кремния, на результатах измерения сказывается нестабильность источников питания датчиков напряженности.Предлагаемый способ отличается от известных тем, что плоскость пластинки располагают параллельно силовым линиям исследуемого поля, облучают одну из ее сторон стабильным потоком заряженных частиц и по разности потенциалов на краях пластинки судят об искомой величине.Благодаря этому повышается стабильность 15 результатов измерения. Для проведения измерении согласно описываемому способу однородную полупроводниковую пластинку из германия или кремния 20 помещают в исследуемое магнитное поле параллельно направлению его силовых линий. Одну из сторон пластинки подвергают облучению потоком а-частиц, испускаемых, например, препаратом плутония, или потоком 2 ь р-частиц, испускаемых, например, препаратом 8, +тоо. При этом заряженные частицы проникают внутрь кристаллической решетки полупроводника и создают градиент концентрации носителей тока, направленный вдоль потока заряженных частиц, т. е. перпендикулярно к облучаемой плоскости и направлению магнитного поля, Внутри пластинки возникает диффузионный так носителей, также направленный перпеникулярно к направлению магнитного поля. П хд действием силы Лоренца изменяется направление движения носителей тока, в результате чего возникает разность потенциалов;га краях пластинки, величина которой, при постоянной интенсивности облучения, линейно зависит от напряженности магнитного поля.Предмет изобретенияСпособ измерения напряженности магнитного поля, основанный на отклонении магнитным полем носителей тока в однородной полупроводниковой пластинке, например, из германия или кремния, от.гггчаюгггиг 7 ся тем, что, с целью повышения стабильности результатов измерений, плоскость пластинги располагают параллельно силовым линиям исследуемого поля, облучают одну из ее сторон стабильным потоком заряженных частиц и по разности потенциалов на краях пластинки судят об искомой величине.

Смотреть

Заявка

1395006

Д. Л. Симоненко

МПК / Метки

МПК: G01R 33/02

Метки: магнитного, напряженнос, поля

Опубликовано: 01.01.1971

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-291173-sposob-izmereniya-napryazhennos-magnitnogo-polya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ измерения напряженнос магнитного поля</a>

Похожие патенты