Способ создания искусственной газоносностикернов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 281367
Авторы: Молчанов, Москаленко, Московский, Перминов, Смол, Харьковский
Текст
281367 ОПИСАН И Е ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ боюз Советских Социалистических Республик(Ля 1329648/22 л. 5 д, 7/О с присоединением заяПриоритетОпубликовано 14,1 Х.19 ПК Е 2117 Воюитвт оо двлатв изобретений и открытий ври Совете хвинистроо СССРУДК 622,411,3(088.8 70, Бюллетеньата опубликования описания 8.Х 11,197 вторыобретения М, Москаленко, И, А. Молчанов, Б, Т. Ха и, Г, Смолянинов и Б. Н, Пермин ский московский горный институт аявител ОСОБ СОЗДАНИЯ ИСКУССТВЕННОИ ГАЗОНОСНОСТИ КЕРНОВ2 т изобретени здания искусстне принималось , которое испыстественных ус 5 ых способах ссности керновгорное давлениый массив в носном,скусс асыщ Способ соз ности кернов отличающийся эффективност ности, керн п с последующе ком под давл мой газоносно ностиюотосооа заключаетя эффективности ности, керн подс последующей ом под давлениой газоносности,емого спо повышени ой газонос обжатию ым поток м требуем едлаг для ственн мному етано вующиПри извественной газоново вниманиетывает угольнловиях,Отличие прся в том, чтосоздания естевергают объеобработкой мем, соответст дания и твенно путем н ениятем, что, с целью и создания естествен одвергают объемнов й обработкой метан ением, соответствую сти. й газ их мета повыш ной газ у обж овым щим тр
СмотретьЗаявка
1329648
Э. М. Москаленко, И. А. Молчанов, Б. Т. Харьковский, Н. Г. Смол нинов, Б. Н. Перминов, Московский горный институт
МПК / Метки
МПК: E21F 7/00
Метки: газоносностикернов, искусственной, создания
Опубликовано: 01.01.1970
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-281367-sposob-sozdaniya-iskusstvennojj-gazonosnostikernov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ создания искусственной газоносностикернов</a>
Предыдущий патент: Рудничный ионизационный фильтр
Следующий патент: Устройство для поворота скрепера
Случайный патент: Способ очистки изделий из токопроводящих материалов