Тно. tiii • тга•. “»»• •
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 266932
Авторы: Вишневецкий, Гринбаум
Текст
Союз Советскик Социзлистичвскил РеспувликЗаявлено 20.1 Х.1968 ( 1276096/18-1с присоединением заявкиКомитет по лелем изобретвииА и открытиЯ при Совете Министров СССР. Вишневецкий и М. Б. Гринбаум а явите ОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ЕМКОСТИ (ИНДУКТИВНОСТИИ ДОБРОТНОСТИ РЕАКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ 2 мет изобретен сти) тем уктивно тов пурезонанса,озможности я точности, контур панс по перизменению ий и велит о доброт- реактивного Изобретение относится к области электро- измерительной техники и предназначено для динамических измерений электрических и не- электрических величин с помощью емкостных и индуктивных датчиков.Известены способы измерения емкости (индуктивности) и добротности реактивных элементов путем использования параметрического резонанса. Однако такие способы не позволяют производить измерения параметров в динамике их изменений, автоматически записывать результаты измерений и передавать их по линиям связи.Предлагаемый способ отличается от известных тем, что испытуемый объект включают в контур параметрона, настроенного в резонанс по первой субгармонике накачки, и по изменению амплитуды генерируемых колебаний и величине смещения параметрона судят соответственно о добротности и емкости (индуктивности) реактивного элемента.Это обеспечивает возможность измерений параметров датчиков в динамике их изменений и повышает точность измерений.Предлагаемый способ основан на зависимости амплитуды генерируемых параметроном колебаний от величины нагрузки и расстройки его контура относительно первой субгармоники накачки,При подключении к параметрону испытуемого,конденсатора (катушки индуктивности) изменяется характер генерируемых колебаний первой гармоники, а амплитуда их уменьшается на величину, прямо пропорциональную внесенному в контур затухания.Разность значений амплитуд генерируемыхколебаний является мерой добротности подключенного объекта. Под действием обратной связи, возвращающей параметрон к резонансу, изменяется величина его смещения, кото рая отражает реактивные свойства объекта,В процессе динамических измерений всякоеизменение емкости (индуктивности) и добротности будет сопровождаться соответствующими изменениязти амплитуды генерируемых ко лебаний и величины смещения, используемойдля подстройки контура параметрона. 20 Способ измерения емкости (инд и добротности реактивных элемен использования параметрического отличающийся тем, что, с целью в измерений в динамике и повышени25 испытуемый объект включают в раметрона, настроенного в резона вой субгармонике накачки, и по амплитуды генерируемых колебан чине смещения параметрона судяЗо ности и емкости (индуктивности) элемента, соответственно.
СмотретьЗаявка
1276096
А. И. Вишневецкий, М. Б. Гринбаум
МПК / Метки
МПК: G01R 27/26
Опубликовано: 01.01.1970
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-266932-tno-tiii-tga.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Тно. tiii • тга•. “»»• •</a>
Предыдущий патент: Устройство для измерения емкости туннельныхдиодов
Следующий патент: 266933
Случайный патент: Устройство для магнитно-импульсной штамповки