254869
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 254869
Текст
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 254869 Спев Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 08.Ч 11,1967 ( 1170878/26-25)с присоединением заявкиПриоритет Кл, 42(, 3/09 Комитет по цепамизобретений и открыти при Совете Министров МПК 6 01 п ДК 539,219.1.621.38 (088.8) Опубликова. М. Коган, Т, М. Лифшиц, Н. П. ЛихтманВ, И, Сидоров нститут радиотехники и электроники АН СССР аявител ПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОЛИЧЕСТВА И СОСТА ПРИМЕСЕЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ2 Этотное колпримесспектраколичеболее водить раздельте концентрации этом структура ри уменьшении ет, а становится спосоо позволяет про ичественное определен ей разного сорта, прифотопроводимости п тва примесей не исчез еткой. Предмет изобретени Известны способы определения количества и состава примесей в полупроводниках с измерением величины фотопроводимости исследуемого объекта при облучении его светом.Предложенный способ отличается от известных тем, что исследуемый объект облучают светом с энергией фотонов, меньшей энергии ионизации примесей, при этом количество примесей и их природу определяют по высоте и положению линий в спектре фототермической ионизации полупроводника.При этом температура полупроводника подбирается такой, чтобы вероятность термической ионизации возбужденных уровней исследуемой примеси была значительной, а именно, чемпература в энергетических единицах должна быгь близка к /2 - /з разности энергий между энергией красной границы спектра примесной фотопроводимости и энергией, соответствующей данной линии в спектре фототермической ионизации,При использовании этого способа, например, при исследовании германия, образцы помещают в гелиевый криостат, охлаждают до температуры, близкой к температуре жидкого гелия, и затем с помощью длинноволнового инфракрасного монохроматора и усилителя производится запись спектра. 1. Способ определения количества и составапримесей в полупроводниках с измерением величины фотопроводимости исследуемого объекта прн облучении его светом, отличающийся 15 тем, что, с целью повышения чувствительности, исследуемый объект облучают светом с энергией фотонов, меньшей энергии ионизации примесей, при этом количество примесей и их природу определяют по высоте и положению 20 линий в спектре фототермической ионизацииполупроводника.2, Способ по и. 1, отличаюцийся тем, чтотемпературу полупроводника выбирают близкой к / - /з разности энергий между энергией 25 красной границы спектра примесной фотопроводимости и энергией, соответствующей данной линии в спектре фототермической ионизации.
СмотретьЗаявка
1170878
МПК / Метки
МПК: G01N 21/63
Метки: 254869
Опубликовано: 01.01.1969
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-254869-254869.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">254869</a>
Предыдущий патент: Кинетический способ определения фосфора
Следующий патент: Способ определения содержания кислородав металлах
Случайный патент: Ковш карусельного фильтра