Способ определения влажности устойчивого завядания растений

Номер патента: 682883

Опубликовано: 30.08.1979

Авторы: Бобер, Плаченов, Фридберг, Ширяев

МПК: G05D 22/00

Метки: влажности, газаносителя, газов, заданной, исследовании, паров, потока, создания, сорбции

...проводов с регулирующими органами-вецтцлямц 10 - 15.Устройство работает следующим образом.При открытых вентилях 9 - 14 и закры том вентиле 15 газ-носитель через дозатор2 и смесцтель 6 подаот в реактор 7 с катализатором цлц оксцдом металла, Часть газового потока через вентиль 9 тонкой регулировки цацравлгпот во влагоацалпзатор 8.23 Катализатор цлц оксид металла нагреваютдо требуемой температуры (например, 400 С) прц использовании в качестве оксида металла оксид меди (И). Вентилем тонкой рсгулировки устанавливают трсбусмый 30 расход анализируемого газа через влаго682883 Формула из обретен и я Составитель О. ЧернухаТехред А. Камышникова Корректор Л, Брахнина Редактор Л. Курасова Заказ 2015/9 Изд, Мв 498 Тираж 1015 ПодписноеН 110 Поиск...

Номер патента: 95740

Опубликовано: 01.01.1953

Автор: Короленко

МПК: A01B 39/02, A01B 39/26

Метки: культиватор, между, междурядьях, навесной, одновременной, почвы, растениями, рядах

...с бесступенчатым редуктором 9, который передает вращение через звездоч.кп 10 и 11 корректировочной цепи 12 с указателямп 13 и контактору 14,включающему и вьдклдочадощему ток в цепи 7 в нужные моменты.С редуктором 9 связан рабочий корректировочный пдтурвал 15, а сдифференциалом в штурв 16 для правильной установки цепи в начале загспки по отношению к растлдддям.При обработке рядка в промежутке между двумя соседпимп растенддями два из восьми ножей 3, составляющих две крестовины 2 нйправленьд друг к другу, сомкнуты и, будучи погружены в почву и заторможеньс стопорным устройством 5, работают как обычные пассивньп,культиваторные лапы.Остальные шесть ножей 3 обращены в разные стороны и не заглуолены в почву.Г 1 ри подходе ножей к границе...

Номер патента: 1708205

Опубликовано: 30.01.1992

Авторы: Крупнов, Лобачев

МПК: A01H 1/04

Метки: высокорослых, полеганию, пшеницы, растений, устойчивых

...растения.П р и м е р. Подбирают родительскиеформы и скрещивают короткостебельную 25высокопродуктивную линию АС - 13 (ген811 - 1) с короткостебельным высокопродуктивнцм сортом Ершовская 32 (неидентифицированный, но неаллельный гену РЬ - 1 генкороткостебельнОсти), усойым к полеганию, получают гибриды и в Г 2 отбираетвысокорослую устойчивую к полеганиюлинию Л - 1375, которую затем самоопыляютдо Рб и размножаютПО прототипу подбирают родительские 35формы и проводят скрещивание между устойчивой к полеганию вцсокопродуктивнойкороткостебельной линией АС - 13 (донор) инеустойчивым к полеганию высокорослымсортом Саратовская 29 (реципиечт), получают гибриды и в готбирают устойчивуе кполеганию высокорослую линию Л - 609, которую затем...

Номер патента: 1724049

Опубликовано: 07.04.1992

Автор: Барсуков

МПК: A01B 79/02

Метки: защиты, парах, почвы, чистых, эрозии

...полосы закладываются в соотношениизасеянной к незасеянной ширине от 1:1 до 41:0,5, а в середине буферных полос во время К)уборки урожая составляют 1-2 рядка расте-,фний до посева следующей культуры. О 1Способ осуществляют следующим обра-рзом,При проходе по полю посевного агрегата в зависимости от культуры, почвенноклиматических условий, ширины захвата ,3почвообрабатывающей и уборочной техни- , 4ки, крутизны склона и так далее буфернуюполосу засевают семенами, рядом оставляют под пар такой же ширины полосу илименьше с соотношением засеянной полосык пару от 1,1 до 1:05,Во время уборки урожаяферной полосы оставляют 1Заказ 1119 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж,...

Номер патента: 195604

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Тузова, Шумицка

МПК: C03C 3/062

Метки: действию, паров, устойчивое, цезия

...ПАРОВ ЦЕЗИЯ 3,5 60 9,Изобретение относится к стеклам, характеризующимся высокой устойчивостью к действию паров цезия.Известны стекла, содержащие 510, А 1.,0 ВаО, которые также отличаются устойчивостью к действию паров цезия.Предложенное стекло обладает по сравнению с известными повышенными диэлектрическими характеристиками, возможностью применять его в среде паров цезия при температуре 600 в 6 С в потоке нейтронов н у-лучей.Достигается это введением в состав стекла следующих компонентов (в % по весу): 810 15,0 - 30,0; А 10 26,0 - 30,0; ВаО 12,0 - 16,0; СаО 23,0 - 25,0; Жа 0 5,5 - 6,5; ГезО;, не более 0,3.Коэффициент термичс - 80 10 т 1/град.ского расширенияв интервале температур 20 - 300 СТемпература размяг+ 15"С,чения Тангенс угла...