Способ обнаружения внутриглазных металлических

Номер патента: 636563

Опубликовано: 05.12.1978

Авторы: Антощенко, Воробьев, Игнатенко

МПК: G01R 33/00

Метки: датчик, индуктивный, наличия, тел, ферромагнитных

...напряжения наизмерительной обмотке и напряжения,снимаемого с части компенсационной обмотки, начальные фазы их настолько существенно отличаются, что разностноепряжение имеет амплитуду в десятраз превосходящую среднее напряжее на интегрирующей емкости при на 25личии контролируемого металла.Пель изобретения - повышение быстродействия датчика наличия металла.3 та цель достигается тем, что виндуктивный датчик наличия ферромагзображена осциллограмма,оту устройства., При636563 Формула изобретения Составитель ЛРВоронинаРенактор Л.Утехина Техред М.Петко Коррект о 4 акаревич аказ 6933/36 Тираж 1070 ЦНИИПИ Государственного комитета Совет по делам изобретений и открытий 113035 Иосква ТРащская Подписное Иинистров СССРд,4,5 илиал ППП Патент,...

Номер патента: 61565

Опубликовано: 01.01.1942

Автор: Халилеев

МПК: G01N 27/90

Метки: вращения, дефектов, изделиях, металлических, обнаружения, тел, форме

...аолюса магнита, на который набегает изделие; стержневой сердечник, которым она снабжена располагают перпендикулярно к поверхности изделия. При таком,расположении катушки хорошо выявляются продольные (направленные вдоль магнитного поля) трещины, так как они раесекают вихревые токи, возникающие в изделии вблизи края полюса электромаанита (см. осциллограммы на фиг. 5). Повышается также чувствительность к поверхностным поперечным дефектаы,Катушка может перемещаться на салазках к середине междуполюсного пространства. При этом несколько повышается чувствительность к глубоким поперечным дефектам,Регистрирующая часть устройства состоит из однолампового усилителя, собранного по мостиковой схеме, катодного осциллографа, и приспособления для...

Номер патента: 414503

Опубликовано: 05.02.1974

Автор: Лазебник

МПК: G01L 7/02

Метки: давлений, датчик, массивесыпучих, тел

...причем на пластимассой установлен преобразоваческих напряжений, а на пластимассой - преобразователь стпряжений. Это позволяет одноврять динамические и статически ательский институт строительных конструкций щи вакуумированця через заливное отверстие (на чертеже це показано). Одна цз пластин, например верхняя 2, имеет малую толщину и, следовательно, малую массу ц цнерцшо, что 5 достигается изготовлением пластины из легкого металла цлп другого материала. На мембране, встроенной в этой пластине, установлена тензорезцстивная, индуктивная цлц другая преобразовательная система 4, с помощью ко торой можно регистрировать динамические напряжения. Другая пластина, например нижняя 1, массивна, имеет достаточную толщину для установки...

Номер патента: 721096

Опубликовано: 15.03.1980

Авторы: Астахов, Джалиашвили, Фридман

МПК: A61F 9/00

Метки: внутриглазных, инородных, металлических, тел, удаления

...с указанным выше соотношением.На фйг. 1 схематически изображено предлагаемое устройство; на фиг. 2 - разрез А-А на фиг, 1.Устройство для удаления внутриглазных металлических, инородных тел состоит из генератора 1 импульсных токов с емкостным накопителем, выход которого соединен с соленоидом 2, выполненным из одного витка. Короткозамкнутый соленоид 3 в виде трубки установлен внутри изоляционной втулки 4, которая осуществляет фиксацию трубки 3 в концентричном относительно витка 2 положении.Для удаления инородного тела 5 виток 2 вместе со втулкой 4 и трубкой 3 помещают около глаза 6 таким образом, чтобы инородное тело 5 располагалось на оси симметрии трубки 3 в части пространства, ограниченной пунктирной линией (т. н. конус притяжения) ....

Номер патента: 147040

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Прудвиблох, Силин

МПК: G06M 7/00

Метки: высокочастотный, датчик, индуктивный, металла, металлических, обнаружения, счета, частиц

...соединенных емкостей С, и Сз и полупроводникового диода ПП,. При отсутствии металлической детали. схема генерирует и на управляющеи сетке лампы Л образуется отрицательное смещение которое уменьшаст емкость диода ПЛР При приближении металлической детали частота сеточного контура уменьшается, уменьшается генерируемая частота и в результате расстройки контуров уменьшается амплитуда колебаний, а следовательно и смещениенауправляющейсегке. При уменьшении величины смещения, являющегося управля 1 ощим напряжением для диода ЛП увеличивастся емкость этого диода, что приводит к еще болыпей расстройке контуров, в результате чего чувствительность датчика значительно повышается. Величиной сопротивлений Л и Я, устанавливается величина...