Способ измерения параметров замагниченнойплазмы
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 205169
Авторы: Колесников, Краснушкин, Радченко
Текст
ОПЙСАНИЕ ИЗОБРЕГЕЙИЯ Сова Советских Социалистических Республик, 21 д, 18/10 МП 1( Н 05 д Комитет по делам иеебретений н открытий прн Совете МинистровУДК 533.9.082.74: :550.388 (088,8) Дата опубликования описания 3.1.19 Авторыизобретения Е, Краснушкин и Н, Н, Радчен олеснико явитель СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ЗАМАГНИЧЕНН ПЛАЗМЫ2 от ( 0,2 ос, 0,1 о( магнитная частота э Данные об актив тах проводимости с ванин известных с проводимостей сил (зондов) с использ рений. позволяют вмы. ос -(0,2 о, где о - гиро. лектронов.ной и реактивной компоненреды, полученные на оснооотношений для входных ьно укороченных антенн ованием результатов измеычислить параметры плаз 5 в том, что зондироваодновременно на двух занных соотношениями Известны радиочастотные способы диагностики плазмы с помощью зондов путем определения диэлектрической проницаемости и электропроводности среды. При этом в одном опыте определяют лишь два параметра - концентрацию электронов и их эффективную частоту столкновений. Однако для более полной характеристики свойств ионизованной среды нужны более подробные сведения о параметрах плазмы.Данный способ позволяет в одном опыте определить четыре основных параметра плазмы: электронную и ионную концентрации, эффективные частоты столкновений электронов и ионов, по которым нетрудно подсчитать значение частот столкновений электронов с ионами и нейтральными атомами, а также давление в среде.Способ заключаетсяние среды производятчастотах о 1 и о 2, свя Предмет изобретенияСпособ измерения параметров замагниченной плазмы, например нижней ионосферы, с определением диэлектрической проницаемости и электропроводности среды путем ее зондирования электоическими сигналами, отличиющийы тем, что, с целью повышения информативности измерений, зондирование производят на двух частотах о 1 и о, связанных соотношением о, (0,2 о;, 0,1 он ос-:.0,2 о, где о - гиромагнитная частота электронов,
СмотретьЗаявка
1051512
Н. Л. Колесников, П. Е. Краснушкин, Н. Н. Радченко
МПК / Метки
МПК: G01R 27/22, H05H 1/00
Метки: замагниченнойплазмы, параметров
Опубликовано: 01.01.1967
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-205169-sposob-izmereniya-parametrov-zamagnichennojjplazmy.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ измерения параметров замагниченнойплазмы</a>
Предыдущий патент: Аэрозольный радиометр
Следующий патент: Фотоэлектрический приемник
Случайный патент: Способ получения лигатуры алюминий-бор в алюминиевом электролизере