Способ определения времени хранения ультрахолодных нейтронов, накопленных в сосуде

Номер патента: 1835271

Опубликовано: 23.08.1993

Авторы: Квактун, Марчук, Миллер

МПК: A61B 17/12, G09B 23/28

Метки: временного, мозга, пережатия, сосуда, эксперименте

...накладывают посредник (П), выполненный в виде эластичното полнотелого цилиндра, диаметр которого сущесвенно больше диаметра пережимаемого сосуда, Л, затягивают вокруг сосуда и П одновременно, причем достаточность натяжения определяют по началу деформации П,П р и м е р. Под гексенал-уретановым наркозом выполнен. хирургический доступ к ветвям средней мозговой артерии в височной области; Под вторую ветвь подвеДена лигатура на атравматичной игле, Поверх со- ъ суда, параллельно ходу его ствола наложена р полая резиновая трубка. Начато затягивание лигатуры и после деформации просвета резиновой трубки узел зафиксирован. Через 120 мин ишемии для восстановления Ы сосудистого просвета лигатура пересечена глазным скальпелем по трубке и извлечена,...

Номер патента: 773798

Опубликовано: 23.10.1980

Автор: Клещук

МПК: H01M 10/42

Метки: времени, источника, химического, хранения

...для тех температур, 6 где можно получить, в пределах опыта, эа счет самораэряда практически полную релаксацию электрохимичес-кой емкости. Хорошее совпадение данных проверки с результатами опреде- температурный коэффициентьсЕразрядной емкости, А ч/К;р - величина падения ЭДС прихранении, В/сут.ЬСДля определения коэффициента -ЬГ замеряют для каждой .партии ХИТ путем вычисления приращения емкости при изменении температуры .разряда ХИТ в области температуры хранения в интервале ф 10 С.Данный способ проверяется на следующем примере. Взят первичный источник тока системы окись ртути-кадмий. Для этого источника тока с целью определения времени хранения по формуле Ц используют второй, стабильный участок падения ЭДС, Т.е. при непрерывном...

Номер патента: 788235

Опубликовано: 15.12.1980

Автор: Клещук

МПК: H01M 10/42

Метки: времени, источника, химического, хранения

...емкости. Можно выдеть из таблицы хорошее совпадение данных проверки с результатами определения времени хранения по приведенной формуле.Преимущество предлагаемого способа заключается в том, что он во много раз ускоряет процесс определения времени хранения ХИТ и при этом не нуждается в дополнительных источниках питания, применим к любым электрохимическим системам. Этот Способ осуществляется следующим образом.Берут первичный источник тока системыокись ртути - кадмий (РК). Для измеренийс целью определения времени хранения используют первый нестабильный участок падения ЭДС при хранении. При непрерывномизмерении падения ЭДС, которое начинаетсянепосредственно после изготовления элементов, фиксируется момент, когда падениеЭДС...

Номер патента: 1127031

Опубликовано: 30.11.1984

Авторы: Клещук, Никольский

МПК: H01M 6/50

Метки: времени, источника, химического, хранения

...Значение 5 Ж выбирает-."ся, исходя из следующего. Для определения коэффициента щ;необходимо,чтобы полученная в результате разря-.да после хранения емкость С, отли-.чалась от начальной емкости С назначение больше, чем доверительныйинтервал изменения среднего значенияС(ЬСо)., который для большинства ХИТсоставляет около 53 Таким образомСс С -ЬСо. После хранения элементов при температурах Т и Т определяют величины1С С% 1 ф / 11) 1После этого определяют значениекоэффициента е," для Т и Т по формуле (2) (табл. 1)4,10 Ь 2 4 610 -т -Щ 1 а - -,51 8100г3 ОЕлг 3 7 10 ф( д с 11 т Зп 2(е)где С - значение емкости, по отношению к которой определяютвремя хранения;Е 1 - падение ЭДС в процессе хранения на стабильном участкеее изменения.Для...

Номер патента: 1767587

Опубликовано: 07.10.1992

Автор: Шехтман

МПК: G01R 31/36, H01M 10/42, H01M 6/50

Метки: времени, источника, отбраковки, химического, хранения

...степенью достоверности отбраковывает ХИТ с током само- разряда большим; чем 2 К 11 осР, уже при К 1 ) изтемпературы Т, при которой внутреннее сопротивление исочика го(Т) при слаботоковом разряде (с анодной поляризацией (50 мВ) становится вышемаис 1 д 0, де, Тср ности определения наличия в ХИТ саморазряда с током более сильным, чем 1,Р, необходимо понижение температуры от комнатной до такой температуры Т, при которой изменение падения напряжения на 5 внутреннем сопротивлении ХИТ, равное при токе 1 оР величине го(Т)1 оР, во-первых, можно зарегистрировать используемым вольтметром и, во-вторых, оно больше дно(Т) величины характерного среднеквад ратичного разброса значений естественного термодинамического изменения ЭДС ХИТ данного типа при...