Управляемый полупроводниковый ограничитель

Скачать ZIP архив.

Текст

364994 О П И С А Н И ЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Соеетских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваН 16 1 (М 1679419/26-9 Заявлено 14.711,с присоединением заявкиКомитет по делам изобретений и открытий при Совете Министрое СССРПрею ритетОпубликов УДК 621.372.852088,8) Х 11.1972. Бюллетень5 за 1973 ния описания 21.11.1973, С. Воронцова, И. М, Котелянский,д и Е. Н. Хазанов и электроники АН СССР НИКОВЫЙСТИ РАНИЧИ Изобретение относится к технике СВЧ. Устройство может быть использовано в цепях распространения электромагнитных сигналов.Известны управляемые полупроводниковые ограничители мощности, состоящие из кри сталла полупроводника, помещенного в линию передачи, и источника управляющего напряжения.Цель изобретения - расширение динамического диапазона ограничителя мощности. 10 Это достигается тем, что предлагаемый ограничитель выполнен в виде нелинейного усиливающего пьезопроводникового кристалла с нанесенными на его торцы пленочными электроакустическими преобразователями. 15Схема устройства представлена на чертеже.Ограничитель содержит нелинейный усиливающий пьезополупроводниковый кристалл 1 с нанесенными на его торцы пленочными элек троакустическими преобразователями 2, помещенный в линию передачи 3, и источник управляющего напряжения 4.Поступающая по линии передачи электромагнитная волна преобразуется входным пле ночным электроакустическим преобразователем в ультразвуковую волну, распространяющуюся в кристалле 1. Электрическое поле источника управляющего напряжения 4 создает Авторыизобретения П. Е. Зильберман, С, Н, ИваноГ. Д. МансфЗаявитель Институт радиотехни УПРАВЛЯЕМЫЙ ПОЛУП Мсверхзвуковой дрейф электронов в кристалле, и ультразвуковая волна по мере про. хождения в кристалле усиливается. Затем она вновь преобразуется выходным пленочным электроакустическим преобразователем в электромагнитную и распространяется по линии передачи 3.В ряде полупроводников, например анти. мониде индия, в которых длина звуковой волны много меньше длины свободного пробега электронов, усиление ультразвуковых волн при приложении управляющего напряжения сопровождается нелинейными эффектами, связанными с сильным нарушением равновесия электронов по импульсам. Эти эффекты приводят к уменьшению усиления ультразвуковой волны с ростом мощности звукового потока. Ограничение мощности состоит в том, что при некоторой пороговой мощности входного сигнала режим усиления звукового потока в кристалле становится нелинейным, в кристалле устанавливается режим стационарной звуковой волны, распространяющейся без усиления и ослабления, что приводит к независимости выходной СВЧ мощности от мощности на входе кристалла. Динамический диапазон ограничения уровня мощности определяется длиной кристалла: чем длиннее кристалл, тем шире динамический диапазон.364994 Предмет изобретения Составитель Г, ЧелейТехред Л. Богданова Корректоры: Л, Царьковаи Г. Запорожец Редактор В, федотов Заказ 301/13 Изд,92 Тираж 780 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб д. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 Управляемый полупроводниковый ограничитель мощности, состоящий из кристалла полупроводника, помещенного в линию передачи, и источника управляющего напряжения, отличающийся тем, что, с целью расширения динамического диапазона, ограничитель выполнен в виде нелинейного усиливающего пьезополупроводникового кристалла с нане сенными на его торцы пленочными электроакустическими преобразователями.

Смотреть

Заявка

1679419

Авторы изобретени П. Е. Зильберман, С. Н. Иванов, Е. С. Воронцова, И. М. Котел нский, Г. Д. Мансфельд, Е. Н. Хазанов вительИнститут радиотехники, электроники СССР

МПК / Метки

МПК: H01P 1/22

Метки: полупроводниковый, управляемый, ограничитель

Опубликовано: 01.01.1973

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-364994-upravlyaemyjj-poluprovodnikovyjj-ogranichitel.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Управляемый полупроводниковый ограничитель</a>

Похожие патенты