Двухтактный импульсный усилитель

Номер патента: 320035

Автор: Хлюнев

ZIP архив

Текст

О П 32003 Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 14.11.1970 ( 1403780/26-9) 1 ПК Н 033 с 5/02 с присоединением заявк Пр нори Комитет ло деламобретений н открытийри Совете МинистровСССР ЪДК 621.375,127(088.8) Опубликовано 02.Х 1.1971. Бюллетень33 ания 7.1.1972 та опубликования Авторизобретения люнев Заявите ДВУХТАКТН Ь 1 Й ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛ ИТЕЛ Изобретение относится к области р ники, а именно к двухтактным импу усилителям на транзисторах,Известен двухтактный импульсный усилитель на транзисторах, содержащий входной и выходной трансформаторы. Однако в нем при усилении импульсов с высокой частотой следования значительно понижается к.п.д.В предлагаемом устройстве база каждого нз транзисторов подключена ко вторичной обмотке входного трансформатора через диод, включенный в пепроводящем направлении, и ко вторичной обмотке выходного трансформатора - через последовательно соединенные резистор и диод, включенный в проводящем направлении для тока базы транзистора.На чертеже представлена электрическая схема предлагаемого устройства.Двухтактпый усилитель содержит два транзистора 1 и 2, входной трансформатор 8 со вторичными обмотками 4 и 5 и выходной трансформатор б со вторичными обмотками 7 и 8. Для подключения базовых выводов транзисторов к обмоткам трансформаторов служат диоды 9 - 12. Начальное смещение для диодов и транзисторов образуется посредством делителей, составленных из резисторов И - 18. Резисторы 14 и 17 служат также для ограничения базовых токов транзисторов при работе их в режиме усиления. В исходном состоянии при отсутствии сигнала на входе транзисторы 1 и 2, а также диоды 9 и 10 открыты, а диоды 11 и 12 закрыты напряжением смещения, имеющем место 5 на резисторах 14, 15 и 17, 18 соответственно.При возникновении входного сигнала на первичной обмотке трансформатора д, на конце обмотки 4, подключенном к катоду диода 9, появляется напряжение одного знака, а на 10 конце обмотки 5, подключенном к катоду диода 10, напряжение другого знака.Допустим, что на конце обмотки 4, а сле.довательно, и на катоде диода 9, появляется напряжение со знаком минус. Тогда возника ющий под воздействием появившегося напря.жения ток потечет через диод 9 и резистор 15.Падение напряжения на резисторе 15, обусловленное этим током, снизит потенциал ба.зы транзистора 1 и вызовет спад его коллек торного тока. В результате на концах вторичных обмоток выходного трансформатора б появится напряжение, Прп этом па конце обмотки 8, подключенном к аноду диода 12, появляется напряжение со знаком плюс, а на 25 конце обмотки 7, а следовательно и на анодедиода 11 - напряжение со знаком минус. Под воздействием этих напряжений диод 12 открывается, а диод 11 остается закрытым. Ток, текущий через диод 12 и резисторы 17 и 18, 30 создает на последнем напряжение, смещаю320035 Предмет изобретения Составитель Л. БагянРедактор Е. Гончар Техред 3, Тараненко Корректор 3. Тарас Тираж 473 Подписное рытий при Совете Министров С СР наб., д, 4/5 Изд.1534елам изобретений и отмосква, Ж, 1 заушска Заказ 3795/151 КИ 11 Г 1 И Комитета гпография, пр. Сапунова 3щее эмиттерный переход транзистора 2 в прямом направлении, В результате происходит нарастание коллекторного тока транзистора 2. Изменение токов транзисторов сопровождается переходом транзистора 1 в режим отсечки, а транзистора 2 в режим насыщения,При смене знаков напряжения возбужде ния на концах обмоток 4 и б диод 10 открывается, а диод 9 закрывается, Ток, текущий через диод 10 и резистор 18 снижает потенциал базы транзистора 2. В результате происходит рассасывание избыточных носителей в базе транзистора 2 с последующим спадом его коллекторного тока. При этом происходит смена знаков напряжений на концах обмоток выходного трансформатора, в результате ко торой диод 12 закрывается, а диод 11 открывается. Ток, текущий через диод 11 и резисторы 14 и 1 б, создает на последнем напряжение, смещающее эмиттерный переход транзи. стора 1 в прямом направлении, Это вызывает нарастание коллекторного тока транзистора 1. Изменение токов транзисторов сопровождается переходом транзистора 1 в режим насыщения, а транзистора 2 в режим отсечки. 4При очередной смене знаков напряженияна обмотках входного. трансформатора цикл изменений состояний диодов и транзисторов повторяется.5 Таким образом, исключается возможностьнахождения транзисторов устройства одновременно в состоянии насыщения, исключается излишнее потребление тока и повышается к.п.д,10 Двухтактный импульсный усилитель натранзисторах, содержащий входной и выход ной трансформаторы, отличаощийся тем, что,с целью повышения к,п.д. при усилении импульсов с высокой частотой следования, база каждого из транзисторов подключена ко вторичной обмотке входного трансформатора 20 через диод, включенный в непроводящем направлении, и ко вторичной обмотке выходного трансформатора - через последовательно соединенные резистор и диод, включенный в проводящем направлении для тока базы тран зистора.

Смотреть

Заявка

1403780

Л. И. Хлюнев

МПК / Метки

МПК: H03K 5/02

Метки: двухтактный, импульсный, усилитель

Опубликовано: 01.01.1971

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-320035-dvukhtaktnyjj-impulsnyjj-usilitel.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Двухтактный импульсный усилитель</a>

Похожие патенты