Декаметингемицианины в качестве активных сред оптических квантовых генераторов, генерирующих излучение в ближней ик области спектра

Номер патента: 436247

Опубликовано: 15.07.1974

Авторы: Глущекко, Завертанка, Игаль, Изобретени

МПК: G01J 3/00

Метки: видимой, излучения, области, регистрации, спектра

...который обладает свойством 2 преобразовывать действие постоянного или медленно изменяющегося излучения в электрические осцилляции (шумы) низкой часто. Завертанная и В, Г. Мигаль ты, При этом регистрируется переменное напряжение - шум и, следовательно, отпадает необходимость в модуляции светового потока.Схема предлагаемого устройства представлена на чертеже.В исходном состоянии при отсутствии излучения через приемник излучения 1 и нагрузочнос сопротивление 2 протекает темповой ток от источника питания, Он вызывает определенный уровень шумов, которые через разделительный конденсатор 3 поступают на вход усилителя 4 переменного тока. Величину этих шумов можно регулировать, изменяя напряжение питания и добиваясь минимального сигнала...

Номер патента: 1582027

Опубликовано: 30.07.1990

Авторы: Правилов, Сидоров, Федоров, Шестаков, Шульпяков

МПК: G01J 1/50

Метки: вакуумной, излучения, интенсивности, источника, области, распределения, света, спектра, спектрального, ультрафиолетовой

..., (Ьотон/вспьппка) (3)п,опт(2 О ру Величины Яд(210 -предварительно определяют в специальных экспери" ментах.Операция 14. Производят операции6 и 8, облучают актинометр в течение вопт с или пп вспьппками, производят операции, аналогичные операции 4 по Формуле- М (210 - Дф) (4) 40 где Мя ( Я- Я;,) получается делением 1 А( Я; - Я;,) на время облучения или число вспьппек, определяют выход невымораживающихся продуктов фотолиза в области спектра45 Интенсивность излучения в спектральной области определяется по Формуле1,( А) 50) (5)Операция 15. Повторяют операции12-14 вплоть до границы прозрачностиокон кюветы.П р и м е р. Элеменгы устройствадля определения спектрального распределения интенсивности излучения в ВУФобласти спектра изображены на...

Номер патента: 475907

Опубликовано: 25.08.1976

Авторы: Валов, Гончаренко, Марков, Рывкин, Ярошецкий

МПК: H01L 31/14

Метки: измеритель, ик-излучения, мощности

...с направлением распространения света в кристалле, и охватывают фотоприемник по всему периметру.Экспериментапьно уствновпено, что при одной и той же длине и площади фотопри емника отношение сигнвп-шум принимает максимальное значение при ориентации кристаппа дырочного германия в нвпрввпе нии оси 111 и имеет минимальную величину дпя ориентации 11001, При этом отношение сигнап-шум дпя фотоприемников с контактами в направлении оси 1 11 Ц воз растает в 2,5 раза, по сравнению с фотоприемниками с контактами в направлении оси475907 Составитепь Г. КорниловаРедактор Г. Яковлева Техред М. Левицкая Корректор Н, Золотовская Заказ 5226/467 Тираж 963 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и...

Номер патента: 824836

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Васильева, Воровьев, Стафеев

МПК: G02F 1/03, H01L 31/00

Метки: ик-излучения, модулятор

...решетки кристалла) и постоянстве вводимой в кристалл мощности на один носитель заряда е р(р)Е (где р(р) - подвижность дырок, Е - напряженность электрического поля) Ь о (р) падает с ростом дырок в диапазоне р= (1 - 9) 10" см -примерно как Ло р - " (т = 0,5 - О,б 5). Однако величина Ьа р Л (глубина модуляции) при М 1 растет с ростом дырок примерно р"(п=0,35 - 0,5). 5 10 15 20 25 Зо 35 40 45 С другой стороны мощность, выделяемая в единице объема вещества, растет в непрерывном режиме с ростом дырок, что приводит к разогреву кристалла и падению глубины модуляции света.Гаким образом, при модуляции света в непрерывном режиме должна сущестьовать оптимальная область концентраций дырок, для которой достигается максимальная глубина...

Номер патента: 1672403

Опубликовано: 23.08.1991

Авторы: Демченко, Коллюх, Липтуга, Малютенко

МПК: G02F 1/29

Метки: дефлектор, ик-излучения

...только в этойобласти происходит изменение показателяпреломления, а следовательно, и нарушение условия полного внутреннего отражения, и луч под углом р 2 выходит изполупроводниковой пластины,Если луч не попадает в область под контактом (или если контакт расположен не вместе падения луча, что одно и то же) онпретерпевает многократные отражения ине вь 1 ходит из полупроводниковой пластины, так как условие полного отражения ненарушается.Для получения заданного угла отклонения луча используется коммутатор, которыйнаправляет импульс напряжения на определенную пару контактов.Для работы дефлектора требуются электрические поля значительно меньшие (отединиц до десятков вольт на сантиметр).П р и м е р 1.,Активный элемент дефлектора выполнен иэ...