Усик

Способ определения подвижности носителей заряда в эпитаксиальных слоях на изолирующей подложке

Номер патента: 1598776

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Усик, Овсюк, Бобылев, Марчишин

МПК: H01L 21/66

Метки: подвижности, заряда, изолирующей, подложке, эпитаксиальных, слоях, носителей

Способ определения подвижности носителей заряда в эпитаксиальных слоях на изолирующей подложке, заключающийся в создании поверхностного барьерного контакта к эпитаксиальному слою, приложении к структуре высокочастотного тестирующего напряжения и напряжения постоянного смещения, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности измерения подвижности у границы раздела подложка - пленка, к структуре дополнительно прикладывают низкочастотное модулирующее напряжение и измеряют зависимость сигнала производной емкости по напряжению от напряжения смещения, находят отношение сигнала в максимуме измеренной зависимости к сигналу при нулевом смещении, после чего по величине этого отношения по...

Способ определения параметров глубоких уровней в полупроводниках

Номер патента: 1577627

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Бобылев, Севастьянов, Овсюк, Усик

МПК: H01L 21/66

Метки: уровней, полупроводниках, параметров, глубоких

1. Способ определения параметров глубоких уровней в полупроводниках, заключающийся в том, что к образцу прикладывают постоянное напряжение смещения различной величины, формирующее область обеднения, пропускают через образец высокочастотный ток с заданной амплитудой, прикладывают к образцу низкочастотное напряжение с частотой , вызывающее амплитудную модуляцию глубины области обеднения, регистрируют высокочастотное напряжение на образце, по которому определяют глубину области обеднения, выделяют огибающую этого сигнала, определяют ее квадратурную составляющую посредством синхронного детектирования на частоте

Способ бесконтактного измерения емкости полупроводника и устройство для его осуществления

Номер патента: 1271231

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Усик, Попов

МПК: G01R 31/26

Метки: полупроводника, бесконтактного, емкости

1. Способ бесконтактного измерения емкости полупроводника, состоящий в подаче на полупроводниковый образец напряжения смещения и освещении его модулированным световым потоком, измерения сигнала конденсаторной фотоЭДС, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, автоматизации и упрощения измерений, сигнал конденсаторной фотоЭДС поддерживают постоянным изменением светового потока по критериюImE = const,где ImE - мнимая часть конденсаторной фотоЭДС, измеряют амплитуду интенсивности модулированного светового потока и рассчитывают емкость полупроводника по математической формуле.2. Устройство для бесконтактного измерения емкости полупроводника,...

Способ определения концентрации двумерного электронного газа

Номер патента: 1618224

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Овсюк, Бобылев, Марчишин, Усик

МПК: H01L 21/66

Метки: электронного, газа, концентрации, двумерного

Способ определения концентрации двумерного электронного газа в квантовых ямах, включающий создание поверхностно-барьерного контакта и планарного прижимного контакта к остальной открытой поверхности полупроводниковой структуры, являющегося вторым электродом для приложения напряжения постоянного смещения и высокочастотного напряжения тестирующего сигнала, измерение вольт-фарадной характеристики структуры, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости, повышения экспрессности измерений, увеличения достоверности и наглядности метода, по вольт-фарадной характеристике определяют значение напряжения отсечки Vотс, при котором емкость структуры равна нулю, и значение емкости...

Устройство для измерения характеристик полупроводников

Номер патента: 1816116

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Усик, Овсюк, Добровольский, Попов, Бобылев, Небрат

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: характеристик, полупроводников

Устройство для измерения характеристик полупроводников, содержащее первый и второй источники света, оптически связанные с первым и вторым входами световода с полупрозрачным металлическим электродом, установленным на выходе световода, направленного на полупроводниковый образец, изолированный от полупрозрачного металлического электрода и подключенный к первому выходу источника смещения, первый и второй селективные делители, переключатель, первый вход которого соединен с шиной нулевого потенциала, первый регулируемый усилитель, емкостный делитель, нуль-орган, выход которого подключен к входу RC-фильтра, фазовращатель и первый и второй синхронные детекторы, первые и вторые входы которых...

Способ определения профиля концентрации примеси в полупроводниках и устройство для его осуществления

Номер патента: 1426252

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Добровольский, Фарносов, Усик

МПК: G01R 31/26

Метки: концентрации, профиля, примеси, полупроводниках

1. Способ определения профиля концентрации примеси в полупроводниках по авт.св.N 689423, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, освещают полупроводниковый образец со стороны прозрачного электрода немодулированным световым потоком с интенсивностью, равной сумме средних интенсивностей обоих модулированных световых потоков, и измеряют переменное напряжение фотоЭДС на тех же частотах, а при определении профиля концентрации примеси по переменному напряжению фотоЭДС из переменного напряжения фотоЭДС, измеренного при освещении образца модулированным световым потоком, вычитают переменное напряжение фотоЭДС, измеренное при освещении немодулированным световым потоком.2. Устройство...

Способ определения профиля концентрации примесей в полупроводниках и устройство для его осуществления

Номер патента: 1646390

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Овсюк, Бобылев, Добровольский, Усик

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: профиля, концентрации, примесей, полупроводниках

1. Способ определения профиля концентрации примесей в полупроводниках, заключающийся в подаче на полупроводниковый образец напряжения смещения, одновременном освещении полупроводникового образца двумя световыми потоками с частотами f1 и f2 и регистрации возникающих в полупроводниковом образце переменных напряжений с комбинационными частотами f1 + f2 и f1 - f2, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей и повышения точности измерений за счет выявления глубоких уровней примеси и измерения профиля их концентрации, дополнительно регистрируют две ортогональные составляющие суммарной или разностной...

Устройство для измерения концентрации легирующих примесей в полупроводниках

Номер патента: 1353124

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Талышев, Добровольский, Усик, Севастьянов

МПК: G01R 31/26

Метки: полупроводниках, легирующих, концентрации, примесей

Устройство для измерения концентрации легирующих примесей в полупроводниках, содержащее смеситель, входы которого соединены соответственно с выходами первого и второго высокочастотных генераторов и входами сумматора, выход которого подключен к входу регулируемого усилителя, первый и второй синхронные детекторы, первые входы которых подключены к выходу первого высокочастотного генератора, первый селективный усилитель, выход которого соединен с вторым входом второго синхронного детектора, выход которого соединен с первым входом блока сравнения, второй вход которого подключен к выходу источника опорного напряжения, выход блока сравнения подключен к управляющему входу первого регулируемого...

Устройство для измерения концентрации легирующих примесей в полупроводниках

Номер патента: 1570561

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Небрат, Добровольский, Усик

МПК: H01L 21/66

Метки: легирующих, примесей, концентрации, полупроводниках

Устройство для измерения концентрации легирующих примесей в полупроводниках, включающее высокочастотный генератор, выход которого подключен к первым входам первого и второго синхронных детекторов и к первому входу первого сумматора, выход которого через первый регулируемый усилитель и второй фильтр соединен с первым входом второго сумматора, второй вход которого соединен с блоком смещения, выход которого соединен с первой выходной клеммой для подключения внешнего регистратора, первый выход второго сумматора соединен с первой клеммой для подключения исследуемой структуры и через первый фильтр с вторым входом первого синхронного детектора, выход которого соединен с второй выходной клеммой,...

Устройство для измерения характеристик полупроводниковых материалов

Номер патента: 1393098

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Талышев, Усик

МПК: G01R 31/26

Метки: характеристик, полупроводниковых

Устройство для измерения характеристик полупроводниковых материалов, содержащее высокочастотный генератор, первый выход которого подключен к первому входу первого перемножителя, выход которого соединен с первым входом первого синхронного детектора и первым входом выходного блока, первый выход которого подключен к первой клемме для подключения исследуемой структуры, вторая клемма для подключения которой соединена с входами повторителя и первого переключателя и выходом блока компенсации, выход которого подключен к второму выходу выходного блока, второй вход которого соединен с первым выходом низкочастотного генератора, блок смещения, первый выход которого подключен через развязывающий...

Устройство для измерения квантовой эффективности излучения люминесцентных структур

Номер патента: 1561665

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Клименко, Усик, Небрат

МПК: G01N 21/31

Метки: люминесцентных, излучения, структур, квантовой, эффективности

Устройство для измерения квантовой эффективности излучения люминесцентных структур, содержащее кольцевой фотоприемник с источником питания, капиллярный микрозонд с мембраной, нагрузочным штоком и электрическим разъемом, имеющим контакт с ртутью, наполняющей микрозонд, предметный столик с омическим контактом, выполненным в виде кольцевого электрода из индия, покрытого слоем галлия, электрический измерительный блок, соединенный с регистратором, источник напряжения, через измеритель тока соединенный с разъемом, отличающееся тем, что, с целью повышения точности измерений и расширения функциональных возможностей, он дополнительно содержит коммутатор, источник света, модулятор, термостат с...

Устройство для измерения профиля концентрации примесей в полупроводниках

Номер патента: 1616341

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Конев, Усик

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: полупроводниках, концентрации, профиля, примесей

Устройство для измерения профиля концентрации примесей в полупроводниках, содержащее генератор, первый выход которого подключен к опорным входам первого и второго синхронных детекторов, причем первый выход первого синхронного детектора соединен с выходом первого избирательного усилителя, выход второго синхронного детектора подключен к первому входу блока сравнения, второй выход генератора соединен с первым входом первого сумматора, выход которого подключен к первому входу модулятора, выход которого соединен с входами выходного усилителя и первого фильтра, первый и второй выходы которого подключены соответственно к первому входу смесителя и сигнальному входу первого синхронного детектора,...

Устройство для измерения параметров мдп-структур

Номер патента: 1614712

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Усик, Марчишин, Орлов, Бобылев, Овсюк

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: параметров, мдп-структур

Устройство для измерения параметров МДП-структур, содержащее генератор, блок управления, первый выход которого соединен с первым входом блока смещения, второй вход которого соединен с первым выходом формирователя временных интервалов и первым входом формирователя строб-импульсов, второй вход которого соединен с выходом первого нуль-компаратора, вход которого подключен к выходу первого синхронного детектора, первый вход которого подключен к выходу первого селективного усилителя, вход которого соединен с первой клеммой для подключения полупроводника, входами усилителя тока и с выходом блока переключаемых конденсатов, вход которого соединен с вторым входом первого синхронного детектора и...

Способ диагностирования многопараметрических объектов

Номер патента: 1385848

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Битков, Кузин, Усик

МПК: G05B 23/02

Метки: диагностирования, объектов, многопараметрических

Способ диагностирования многопараметрических объектов, заключающийся в измерении и нормировании контролируемого сигнала с объекта, последующем нелинейном преобразовании нормированного сигнала, вычислении функционала путем интегрирования на заданном промежутке времени, вычитании из функционала определенной величины и определения по знаку результирующего сигнала состояния объекта, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности диагностирования за счет учета статических сигналов, их нормированные значения преобразуют в периодически изменяющиеся сигналы, частоты которых пропорциональным нормированным значениям, а амплитуды равны между собой, и суммируют мгновенные значения периодически...

Сплав на никелевой основе

Номер патента: 328192

Опубликовано: 27.09.1999

Авторы: Усик, Заборская, Тюньков, Архипова, Давыдов, Коневичев, Чубаров, Симаков

МПК: C22C 19/00

Метки: сплав, основе, никелевой

Сплав на никелевой основе, содержащий хром и кремний, отличающийся тем, что, с целью снижения температурного коэффициента сопротивления, в него введен германий при следующем содержании компонентов, %:Хром - 10 - 12Кремний - 5 - 7Германий - 8 - 12Никель - Остальное

Способ изготовления регулярного волоконного жгута

Загрузка...

Номер патента: 1815939

Опубликовано: 20.03.1996

Автор: Усик

МПК: C03B 37/00

Метки: волоконного, жгута, регулярного

...на тороидальное кольцо 2 наматывают по спирали ленту 3. Торцы ленты замыкают между собой так, что она имеет возможность перемещения по поверхности тороидального кольца, Такая возможность легко обеспечивается, например, с помощью роликов 5, устанавливаемых между лентой 3 и поверхностью тороидального кольца 5, Лента может приводиться в движение с помощью электродвигателя и механической передачи (на схемах не показаны). На ленте 3 закрепляют форму требуемого сечения 4 (фиг. 1), предназначенную для формирования торцов волоконного жгута заданного сечения, Сама лента может Формула изобретенияСПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РЕГУЛЯРНОГО ВОЛОКОННОГО ЖГУТА путем вытягивания волокна, формирования регулярных и плотных слоев волокна,...

Устройство для поэлементного заряда аккумуляторной батареи

Загрузка...

Номер патента: 2004044

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Воронцов, Усик, Лемзиков

МПК: H02J 7/10

Метки: заряда, батареи, поэлементного, аккумуляторной

...а его подвижный контакт через стабилитроц 9 - 3 - с базой первого транзистора 9 - 5, эмиттер которого соединен с положительным питаащим входом схемы, коллектор через третий резистор 9-б, база через второй резистор 9-4 - с отрицательным питаощим входам схемы. Эмиттер второго транзистора 9-7 соединен с положительным питающим входам схемы, коллектор через катушку первого реле 9 - 10 - с отрицательным питающим входом схемы, а база - с коллектором первого транзистора 9-5. Между коллектором первого 9 - 5 и второго 9 - 7 транзисторов включен конденсатор 9-8. Катушка первого реле 9 - 10 зашуцтирована защитным диодом 9 - 9, включенным обратной полярностью па отношению к источнику питания, Замыкаощие контакты 9 - 11 первого реле вклочены в...

Способ разработки газонефтяного пласта

Загрузка...

Номер патента: 1818466

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Буслаев, Гайдеек, Гарифулин, Верещагин, Усик

МПК: E21B 43/12, E21B 43/00

Метки: разработки, пласта, газонефтяного

...ствол пересекает газонефтяной ко углублением в газовую часть пласта. тяной и газовой частях пласта экспл онную колонну перфорируют. 1 ил,ной части пласта 7 и в приэабойной зоне в газовой части пласта 8. Для регулирования расхода газа и перепада давления на границе ГНК 5 устанавливают тарированную сменную диафрагму 9, а для регулирования расхода и давления гаэонефтяной смеси около границы ГНК 6 устанавливают диафрагму 10.Смену диафрагм осуществляют на насосно-компрессорных трубах или на кабеле.Способ реализуют следующим образом.Осуществляют бурение стволов 1-4, Спускают эксплуатационную колонну с установленным на ней пакером на ГНК 5, производят ступенчатое цементирование и перфорацию колонны в призабойную зону газовой части газового...

Устройство для орошения очагов пылеобразования

Загрузка...

Номер патента: 1810583

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Тябин, Сергеев, Шляпин, Усик

МПК: E21F 5/04

Метки: орошения, очагов, пылеобразования

...4 безформирования факела жидкости 4, и паз 5 заглушки к внутреннаму диаметру сменныхс дугообразно-выпуклым дном 6, которыйвтулок 8 возможно получение полых факерасположен ниже канала Формирования фа- лов зонтичного типа с различными угламикела жидкости с образованием двух его ча- раскрытия: при отношении, равном 1,0 полстей, одна из которых закрыта заглушкой 7. учается плоский круговой Факел, совпадаюКанал формирования жидкости 4 с заглуш- щий с поперечной плоскостью устройства;кой 7 снабжей сьемной втулкой 8,приэтом при.отношениях, лежащих в интервале ототношение диаметра канала формирования 1,0 до 3,3, получаются полые факелы зонтичожидкости 4 без заглушки к внутреннемуди- ного типа, раскрывающиеся от 180 до 70аметру втулки равно...

Ороситель

Загрузка...

Номер патента: 1810582

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Сергеев, Усик, Тябин, Шляпин

МПК: E21F 5/04

Метки: ороситель

...водяных завес и укрытий.Цель изобретения - расширение облаи применения,и улучшения эксплуатационных свойств оросителя,На чертеке представлен ороситель,продольный разрез,Он содержит цилиндрический корпус 1 со сменными насадками 2, выполненными в виде усеченного конуса, на боковой поверхности которого выполнен кольцевой паз 3. а на ее внутренней поверхности рассредоточено по образующим усеченного конуса выполнены пазы 4 и выпускные отверстия 5, размещенные в местах пересечения кольцевого и внутренних пазов. Цилиндрический корпус 1 выполнен в виде полой шпильки с заглушенным концом, Шпилька. имеет радиальные отверстия 6, уступ 7, на котором 1810582 А 11810582 3 1 2 8 П 7 6 10 4 оргента Редакт Коррект озлова хр. Патруш Заказ 1431 Тираж...

Способ получения особо чистых оксоалюмосодержащих соединений и втор-бутанола

Загрузка...

Номер патента: 1808814

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Ефремов, Курицина, Расторгуев, Жукова, Усик, Рябенко, Фадеева, Егоров, Кузнецов

МПК: C01F 7/36

Метки: чистых, втор-бутанола, особо, соединений, оксоалюмосодержащих

...с насыпным весом менее 0,65 г/см и с содерзжанием углерода более 0,01 мас.%,Проведение гидролиза втор-бутоксида алюминия при его мольном соотношении к воде 1; (11 - 15,5) с последующей сушкой и термообработкой хотя и обеспечивает получение оксигидроксида и оксида алюминия с близкими параметрами, но жидкая фаза после отгонки содержит наряду с бутиловым спиртом до 30 мас, ) воды, что значительно 5 усложняет процесс его осушки,П р и м е р 1. Во фторпластовый гидролизер, снабженный мешалкой и прямым холодильником, загружают при комнатной температуре втор-бутоксид алюминия 10 (246 г); добавляют воду(54 г), перемешивают реакционную массу в течение 0,5-1 ч без обогрева гидролизера (за счет реакции температура в гидролизере поднимается до 70 -...

Концевая фреза

Загрузка...

Номер патента: 1808521

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Усик, Алферов, Качкин

МПК: B23C 5/10

Метки: фреза, концевая

...производительность которого ками, например,ь изобретения; ванавках треугольх на режущих поповерхность,у, выполнена подроведенной к осить, обращенная кпод углом 50-70углы резания та 15, что обеспечиЙкость, 3 ил,.румента, обеспечивается положительныйозадний угол резания в пределах до 8 привеличине эатылования 1,2 - 1,8 мм, что в 22,5 раза ниже, чем для фрез выпускаемых поТУ-0224638-1171-89. 5На грани канавки, обращенной к хвостовику, положительный задний угол резания создается углом подъема резьбовыхоканавок и лежит в пределах 8-15,Введения затылования профиля канавки для получения положительных задних углов на противоположных грани увеличиваетзадний угол резания грани обращенной кхвостовику, свыше 15, что приводит к...

Гибкая управляемая трубка для эндоскопа

Загрузка...

Номер патента: 1801344

Опубликовано: 15.03.1993

Авторы: Шкаленко, Усик, Литвяков, Марков, Ходько, Титов

МПК: A61B 1/00

Метки: трубка, управляемая, гибкая, эндоскопа

...приводит к изгибу трубкив нужном направлении, 2 ил. витков во вторых группах 3 (на фиг. 1 показано по три витка в каждой группе 3) по меньшеймере на единицу превышает число витков в первых группах 2 (на фиг. 1 показано по одному витку в каждой группе 2).Через витки первых групп 2 пропущены управляющие тросы 4, а через витки вторых групп 3 тросы 5, Тросы 4 и 5 на одном конце . управляемой трубки жестко закреплены, например, с помощью припаянных на их концах шариков 6.Сама пружина 1 может быть навита как из проволоки, так и из ленты, обладающей упругими свойствами.Гибкая управляемая трубка для эндоскопа работает следующим образом.В исходном состоянии тросы 5 натягиваются так, что малые витки вторых групп 3 образуют диаметрально...

Устройство для контроля диаметров изделий

Загрузка...

Номер патента: 1789852

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Усик, Братухин, Гоголинский

МПК: G01B 11/08

Метки: диаметров

...постоянным при любом диаметре контролируемого изделия, 1789852Данное обстоятельство определяется тем, теневая граница образующих контролируечто площадь засветки светочувствительной мого изделия, расположение которой эавиповерхностифотоприемника изменяться не сит от значения диаметра О иэделия,будет. Световой поток с общего торца коллектораЦелью изобретения является расшире воспринимается фотоприемником 8, Приние диапазона видов контролируемых изде- изменении диаметра иэделия изменяетсялий за счат контроля прозрачных изделий. положение теневой границы образующихУкабаннаяцель достигается тем, что в изделия и, соответственно, интенсивностьустройстве для контроля диаметров изде- светового потока с общего торца коллектолий,...

Обучаемое устройство диагностирования

Загрузка...

Номер патента: 1785002

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Филатов, Усик

МПК: G06F 15/46

Метки: обучаемое, диагностирования

...подаче на вход устройства множества совокупностей диагностируемых параметров, принадлежащих различным классам состояния, можно получить устойчивые значения координат вектора Фоператора р нелинейного преобразования, обеспечивающего максимальную достоверность распознавания состояний объекта контроля.В качестве признаков Ь (1 - 1, и) анализируемого сигнала используются времена его нахождения на заданных амплитудных уровнях эа период анализа. Выделение указанных признаков осуществляется путем пропускания на соответствующий интегратор анализируемого сигнала только тогда.когда его значение находится между соответствующими уровнями.Полученные за время распознавания Элемент 2 И совместно с соответствуюсоответствующей пары классов...

Способ скоростной разливки стали

Загрузка...

Номер патента: 1776216

Опубликовано: 15.11.1992

Авторы: Усик, Ермоленко, Голубев, Голиков, Оробцев, Батов, Дымченко, Борисов, Литвинов, Клепиков, Аверьянов, Арцев

МПК: B22D 7/00

Метки: стали, разливки, скоростной

...надежная фиксация теплоизоляционных плит. При уменьшении интенсивности разливки более чем через 5 секунд после возгорания красящего материала имеет место всплывание теплоизоляционных плит. Нанесение на нижнюю торцевую поверхность теплоизоляционных плит слоя сгораемого красящего материала обеспечивает возможность точно фиксировать момент контакта расплава с теплоизоляционной плитой и соответственно изменять интенсивность разливки стали.Изобретение иллюстрируется следующими примерами. Спокойную сталь марки СтЗСп выплавляли в 160-тонном конвертере и разливали в 8-тонные сквозные, уширенные книзу изложницы. В головной части изложниц крепили с помощью огнеупорных клиньев теплоизоляционные плиты длиной 490 мм. Перед установкой на нижнюю...

Устройство для диагностирования троированных дискретных схем автоматики

Загрузка...

Номер патента: 1772783

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Гордиенко, Бухаров, Усик

МПК: G05B 23/02

Метки: дискретных, автоматики, схем, троированных, диагностирования

...ее работы и состоянии на данном такте. Он может быть выполнен, например, на интегральных схемах типа К 155 РУ 5 (4),Блок 14 индикации предназначен для отображения результатов диагностирования при считывании информации из матричного запоминающего блока 13. Он мажет быть выполнен на светодиодах, загорание которых происходит при срабатывании соответствующих дискретных элементов, например триггеров.На фиг, 1 тактовые выходы распределителя управляющих импульсов 1 соединены с соответствующими управляюьцими входами коммутатора 2, инФормационный вход которого соединен с выходом источника питания 3, а выходы являются выходами устройства для подключения к выходам состояния трех дискретных схем электроавтоматики 5 и соединены с соответствующими...

Устройство для распыления жидкости

Загрузка...

Номер патента: 1763038

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Сергеев, Усик, Тябин, Шляпин

МПК: B05B 1/14

Метки: распыления, жидкости

...содержит гибкую трубчатую секцию 1 с равномерно расположенными отверстиями 2 на боковой поверхности, хомуты 3, плотно охватывающие гибкую трубчатую секцию и имеющие сопловые отверстия 4, сообщенные с отверстиями 2трубчатой секции. Устройство снабжено муфтой 5 для подсоединения водовода, концевой пробкой 6 и фильтрующей сеткой 7, установленной между хомутами и боковой поверхностью трубчатой секции. Хомуты 3 для каждого из конкретных случаев выполнения устройства, в зависимости от характеристики очагов пылеообразования и расхода воды, в необходимом количестве рассредоточенно размещаются на гибкой трубчатой секции определенной длины, при этом сопловые отверстия 4 могут быть образованы, например, в результате взаимно перпендикулярного...

Устройство для настройки регулятора частоты вращения дизель генератора

Загрузка...

Номер патента: 1758465

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Терехов, Усик

МПК: F02D 33/00, G01M 15/00

Метки: дизель, регулятора, настройки, частоты, вращения, генератора

...частота холостого хода дизель-генератора несколько изменится, т.е. будет отличаться от частоты холостого хода эталонной характеристики, Это приведет к снижению точности последующей настройки регулятора. Для повышения точности необходимо чтобы указанному изменению частоты холостого хода регулятора соответствовало бы точно такое же изменение частоты холостого хода эталонной характеристики, Такая корректировка положения эталонной характеристики достигается введением измерителя степени затяжки главной пружины регулятора, который вырабатывает сигнал корректировки, пропорциональный изменению усилия донной пружины, а следовательно и частоты холостого хода,На фиг.2 представлена структурная схема устройства доя настройки регуляторов частоты...

Устройство для отсоса и подавления пыли при работе горных машин

Загрузка...

Номер патента: 1758243

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Шляпин, Сергеев, Тябин, Усик

МПК: E21F 5/20

Метки: горных, пыли, машин, работе, отсоса, подавления

...закручивания и смешивания выходящих шламовоздушных потоков Поставленная цель достигается тем, что устройСтво, включающее цилиндрический эжектор, имеющий размещенные внутри направляющий аппарат с лопатками и форсуйку для распыления жидкости, насос для подачй жидкости, соединенный трубопроводом с форсункой цилиндрйческого эжектора, снабжено нечетным количеством дополнительных цилиндрических эжекторов,при этом все цилиндрические зжекторы установлены с образованием острого угла меЖду ихцентральными продольными осями и направлением их выходных частей квершине этого угла, причем форсунки кэжстях цилиндрических зжекторов, э лопатки направляющих аппаратов соседних цилиндрических эжекторов направлены в протйвоположные стороны,На фиг.1...