Таксами

Способ изготовления фотошаблона

Загрузка...

Номер патента: 1549366

Опубликовано: 30.03.1992

Авторы: Лантратова, Таксами, Любин

МПК: G03F 1/00

Метки: фотошаблона

...травиться в том же травителе, что и верхний слой, а именно в моноэтаноламине.Подобное обстоятельство приводит кпоявлению вуали и снижению контрастности полученного изображения.,35При толщине первого слоя меньше300 А нарушается сплошность слоя, чтовызывает рост дефектов нри нанесении .второго светочувствительного слоя.При увфпичении толШИны перво О слоя 40более 600 А происходит уменьшениесветопропускания проявленной подложки и появление вуали иэ-за невозможности полного удалензщ слоя, т,е.снижается контрастность полученного , 45иэображения.П р и м е р. Фотошаблон, состоящийиэ двухслойного маскирующеГО и фото."реэистивного покрытия из ХСП, изготавливйот следующим образом. 50Иатериалы маскирующего покрытия,а именно сульфнд германия и...

Способ легирования халькогенидного стекла

Загрузка...

Номер патента: 475094

Опубликовано: 15.10.1979

Авторы: Коломиец, Шпунт, Андреева, Таксами, Лебедев

МПК: B01J 17/00

Метки: халькогенидного, легирования, стекла

...чего прикладываются импульсы электрического напряжения, амплитуда которых равна ипи больще напряжения переключения исходного халькогенидного стекла, при этом длитель- ность импульсов напряжения устанавливают меньще времени образования проводящих кристаллических каналов в исходном халькогенидном стекле. В качестве пегистекло,ериапа -гируюг индий. рафитовую подленидного стекла Пример, Наг наносят слой хапьког Легируюшим электродом ро. Между пегирующим халькогенидным стеклом импульсы электрического плитуда которых равна ил ния переключения исход выби ают электродом прикладыва пап ряжетп больще напют я, ам ряжени го хальк долж- вание м легированитрее, чем обрВ местах к и ного стекла но происходить быс проводящих каналов...

Элемент памяти

Загрузка...

Номер патента: 483709

Опубликовано: 05.09.1975

Авторы: Шпунт, Лебедев, Андреева, Коломиец, Таксами

МПК: G11C 11/34

Метки: элемент, памяти

...примесью металла, в частности, оксидных стекол и халькогенидных стекол системы бе - % - Аз - Те - Яе. Электроды 2, 4 могут быть выполнены из графита, молибдена, вольфрама и т. д.Элемент работает следующим образом.При подаче синусоидального напряжения при отрицательной полярности на электроде 4, со стороны которого введена примесь, ВАХ имеет участок отрицательного сопротивления У-типа; при положительной полярности на электроде 4 - на ВАХ - участок отрицательного сопротивления 5-типа (полярность напряжения соответствует знаку напряжения на электроде 4). ВАХ описываемого устройства, как видно из фиг. 2, имеет явно выраженную несимметричную форму. Статическая ВАХ устройства также несимметрична и имеет вид, представленный на фиг. 3....

Полупроводниковое устройство

Загрузка...

Номер патента: 410708

Опубликовано: 05.01.1975

Авторы: Таксами, Шпунт, Коломиец, Лебедев, Андреева

МПК: H01L 15/00

Метки: полупроводниковое

...подложке 1 расположенслой 2 фоточувствительного полупроводника,например СЮ, на который нанесен металлический электрод 3 и слой 4 халькогенидного 25текла. В качестве халькогенидного можетбыть использовано любое стекло из тех, которые применяются для создания переключателей (витродов). Электрод 5 к слото халькогенидного стекла может быть выполнен из ма териалов, которые применяются для изготовления переключателей - графита, молибдена, вольфрама и т. д. Устройство может иметь дискретное или матричное исполнение,Единичный элемент с площадью электрода к слою халькогенидного стекла 2 10 -сма в темноте обладает симметричной вольтамперной характеристикой и сопротивлением порядка нескольких мегом. Под действием света устройство приобретает...