Сумарока

Способ определения параметров пограничных состояний на границе полупроводник-диэлектрик мдп-структур

Номер патента: 1499637

Опубликовано: 27.12.1999

Авторы: Сумарока, Ждан, Сульженко, Антоненко

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, пограничных, состояний, полупроводник-диэлектрик, границе, мдп-структур

Способ определения параметров пограничных состояний на границе полупроводник - диэлектрик МДП-структур, включающий последовательную подачу на исследуемую структуру, находящуюся при температуре Tо, напряжения, обеспечивающего предельное заполнение пограничных состояний полупроводника основными носителями заряда, и обедняющего напряжения, нагрев структуры по окончании релаксации тока с постоянной скоростью при поддержании постоянства высокочастотной емкости структуры и снятие температурной зависимости вытекающего неравновесного тока jн(Т), отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения...