Шохина

Способ изготовления электродной структуры для электровакуумного прибора

Номер патента: 407406

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Больбасов, Александров, Шохина, Игнашев, Кузьмичев, Калугин, Григоришин

МПК: H01J 21/10, H01J 9/02

Метки: электровакуумного, электродной, структуры, прибора

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОДНОЙ СТРУКТУРЫ ДЛЯ ЭЛЕКТРОВАКУУМНОГО ПРИБОРА, содержащий операции полировки алюминиевой заготовки, формирования на ней электродов с выводами и электрохимического анодирования алюминиевой заготовки, отличающийся тем, что, с целью изготовления многоэлектродной структуры, перед операцией полировки на поверхности алюминиевой заготовки выполняют микрорельеф для размещения электродов и контур многоэлектродной структуры, а формирование электродов с выводами выполняют после операции электрохимического анодирования вакуумным напылением.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью упрощениия технологии изготовления электродной структуры, микрорельеф выполняют многопуансонным инструментом, совершающим...

Способ получения деталей из анодной окиси алюминия

Номер патента: 532299

Опубликовано: 20.03.1996

Авторы: Жилкина, Шохина, Игнашев

МПК: H01J 9/02

Метки: алюминия, анодной, окиси

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДЕТАЛЕЙ ИЗ АНОДНОЙ ОКИСИ АЛЮМИНИЯ путем придания алюминиевой заготовке требуемой формы, электрохимического окисления заготовки и избирательного вытравливания неокисленного алюминия, отличающийся тем, что, с целью обеспечения прозрачности деталей и их формоустойчивости, после избирательного вытравливания детали из анодной окиси алюминия нагревают в окислительной атмосфере, например на воздухе, до 700 - 900oС между эквидистантными поверхностями.

Способ изготовления интегральных микросхем

Номер патента: 716427

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Григоришин, Матусевич, Шохина, Сурмач, Котова

МПК: H01J 9/14

Метки: микросхем, интегральных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ, включающий операции получения диэлектрической пластины-заготовки путем толстослойного анодирования, нанесения на обе стороны пластины сплошных тонкопленочных покрытий, формирования элементов схем травлением диэлектрической пластины и покрытий, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления, в местах будущих элементов микросхем на обе стороны диэлектрической пластины наносят первый защитный слой фоторезиста, затем обе стороны пластины за исключением мест будущих отверстий в подложках и контуров отдельных схем на одной из сторон пластины покрывают вторым защитным слоем фоторезиста, причем указанные фоторезисты выбирают из условия их избирательного травления в разных электролитах,...

Способ получения диэлектрических деталей с отверстиями из анодной окиси металла

Номер патента: 688022

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Шохина, Сурмач, Григоришин

МПК: H01J 9/14

Метки: диэлектрических, отверстиями, анодной, металла, окиси

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ДЕТАЛЕЙ С ОТВЕРСТИЯМИ ИЗ АНОДНОЙ ОКИСИ МЕТАЛЛА преимущественно для электродных приборов, включающий операции толстослойного анодирования одной из поверхностей металлической пластины, избирательное вытравливание неокисленного металла, фотолитографическое нанесение рисунка и травление анодной окиси металла, отличающийся тем, что, с целью повышения точности отверстий и устранения разнотолщинности перемычек, после вытравливания неокисленного металла на поверхность пластины, контактирующей в процессе анодирования с электролитом, наносят защитный слой металла, а фотолитографическое нанесение рисунка осуществляют на другой поверхности пластины.

Способ изготовления диэлектрических деталей с отверстиями

Номер патента: 430763

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Шохина, Григоришин, Больбасов, Игнашев, Кравец, Котова

МПК: H05K 3/00, H01J 9/14

Метки: отверстиями, диэлектрических

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ДЕТАЛЕЙ С ОТВЕРСТИЯМИ, преимущественно для электронных приборов, включающий электрохимическое анодирование полированной стороны заготовки, выполненной в виде пластины, например алюминиевой, с предварительной защитой противоположной стороны пластины изоляционным материалом, формирование отверстий и контуров деталей, снятие защитного изоляционного материала, травление слоя алюминия и разделение заготовки на отдельные детали механическим путем, например ультразвуком, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и повышения качества деталей, анодирование производят на глубину порядка 1 мкм, после чего на места будущих отверстий и контуров анодированной поверхности алюминиевой пластины наносят...

Способ изготовления электродной структуры для вакуумных микроприборов

Номер патента: 470226

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Шохина, Кравец, Игнашев, Григоришин, Котова

МПК: H01J 9/02

Метки: электродной, вакуумных, микроприборов, структуры

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОДНОЙ СТРУКТУРЫ ДЛЯ ВАКУУМНЫХ МИКРОПРИБОРОВ, включающий операции электрохимического анодирования, защиты отдельных участков подложки, ее травления и формирования на ней электродов, отличающийся тем, что, с целью повышения точности геометрии структур, алюминиевую подложку подвергают "мягкому" первичному анодированию, линии контуров и места углублений многоэлектродной структуры защищают фоторезистом, проводят дальнейшее анодирование алюминия на требуемую глубину, затем снимают фоторезист, стравливают первичный слой "мягкого" анодирования, вытравливают на необходимую глубину алюминий в местах будущих углублений и контуров и проводят окончательное анодирование.

Керамический материал

Загрузка...

Номер патента: 996391

Опубликовано: 15.02.1983

Авторы: Маглич, Ивлиев, Синько, Краснов, Гусева, Чурикова, Шохина, Крыщенко, Борисов

МПК: C04B 35/46

Метки: материал, керамический

...вес.Ъ:Олово 0,001-0,01Палладий 0,01-0,05Двуокисьтитана . ОстальноеПредложенная двуокись титана об-. ладает способностью к металлизации поверхности иэ растворов солей металлов - химическая металлизация, что значительно упрощает процесс и прак тически исключает применение специального оборудования.Материал получают следующим образом.Навеску порошкообразной двуокиси 25 титана загружают в реакционную колонку с фильтрами, пропускают методом противотока раствор двухлористо" го олова следующего состава, г/л:Олово двухлористое 25Кислота солянаяуд. вес 1.19 ) 80Затем через колонку пропускают 8-ный раствор аммиака до рН 10,5- 35 11,5, после чего производят обработку раствором двухлористого палладия следующего состава: Сравнительные...

Способ вытягивания полиамидных мононитей

Загрузка...

Номер патента: 899743

Опубликовано: 23.01.1982

Авторы: Семенова, Фильберт, Исаева, Шохина

МПК: D01F 6/60

Метки: вытягивания, полиамидных, мононитей

...Болочению подвергаютполиамидную мононить, предварительно выдержанную в кондиционных условиях (относительная влажность воздуха 65%,температура воздуха 20 С) Я,Однако во время волочения через победитовый калибр вследствие сильного трения мононить сильно разогревается. Остывание мононити происходит неравномерно,происходит ее скручивание вдоль оси.Кроме того, при высоких скоростях волочения (свыше 60 м/мин) мононить полу- З 5чается очень дефектной, что вызываетснижение ее прочности,Цель изобретения - повышение равномерности по диаметру . снижение поверхностных дефектов иитг40Поставленная цель достигается тем,что в известном способе вытягивания полиамидных мононитей волочением, нитьпредварительно обрабатывают полиэтилсилоксановой...

Высевающий аппаратsulptob

Загрузка...

Номер патента: 435776

Опубликовано: 15.07.1974

Авторы: Колесниченко, Изобретени, Комаристов, Шохина

МПК: A01C 7/16

Метки: высевающий, аппаратsulptob

...ячеистый диск,Недостатком этих аппаратов является необходимость наличия большого количества сменных дисков для высева различных фракций семян кукурузы и других культур, что затрудняет обслуживание сеялок, повышает трудоемкость их изготовления, ведет к накоплению в хозяйстве большого количества неприменяемых дисков. В то же время отдельные комплекты высевающих дисков отличаются между собой только толщиной диска.В предлагаемом высевающем аппарате для уменьшения трудоемкости изготовления сеялок и сокращения количества сменных комплектов высевающих дисков между диском и дном установлена прокладка с наружным диаметром не более диаметра окружности впадин ячеек диска и толщиной, равной разности ширины семян и толщины диска.На чертеже...

Способ очистки углеводородных газов от сероводорода

Загрузка...

Номер патента: 288219

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Институт, Шохина, Малиевский, Всесоюзный, Иванов, Бочавер, Липкин

МПК: C10K 1/08

Метки: сероводорода, газов, углеводородных

...давленийпри 40 - 90 С происходит абсорбация сероводорода раствором ДДС и химическая реакция сероводорода с окисью олефина с образованием ДДС. Очищенный углеводородный 10 газ уходит через верх реа,ктора, сбоку отводится смесь ДДС и непрореагировавшая окись олефина. -1 асть этой смеси поступает в смесительное устройство реакционного аппарата, а часть через редукционный вентиль 15 отводится в отгонную систему, где происходит отделение окиси олефина при нагревашш смеси и ттолучение товарного ДДС. Воз.можна подкачка свежего ДДС в реакционный апларат, Окись олефина подается насо сом в смесительное устройство реакционногоаппарата.Процесс может быть осуществлен периодически и непрерывно.П р и м е р 1, В реактор из нержавеющей 25 стали,...