Шер

Присадка к смазочным маслам

Номер патента: 665590

Опубликовано: 10.04.2000

Авторы: Вилянская, Санин, Иванов, Шер, Знаменская, Серегина, Захарова, Мутовкина

МПК: C10M 133/06

Метки: маслам, смазочным, присадка

Присадка к смазочным маслам, содержащая диизоалкилдитиофосфат цинка и первичный алифатический амин, отличающаяся тем, что, с целью улучшения противоокислительных и противокоррозионных свойств масла, в качестве первичного алифатического амина присадка содержит амин, алкильная часть которого представляет прямоцепочечный алкил C17 - C21, при следующем соотношении компонентов, мас.%:Диизоалкилдитиофосфат цинка - 48 - 52Первичный алифатический амин - 48 - 52

Присадка к смазочным маслам

Номер патента: 672798

Опубликовано: 10.04.2000

Авторы: Иванов, Мутовкина, Захарова, Шер, Вилянская, Санин, Знаменская, Серегина

МПК: C10M 141/06

Метки: смазочным, присадка, маслам

Присадка к смазочным маслам, содержащая диизоалкилдитиофосфат цинка и первичный алифатический амин, отличающаяся тем, что, с целью улучшения противоокислительных и противокоррозионных свойств масла, в качестве первичного алифатического амина присадка содержит амин, алкильная часть которого представляет прямоцепочечный алкил C17 - C21 и дополнительно содержит 2,2'-метилен-бис-(6-трет-бутил-4-метилфенол) при следующем соотношении компонентов, мас.%:Диизоалкилдитиофосфат цинка - 22,2 - 29,2Первичный алифатический амин - 22,2 - 29,22,2'-Метилен-бис-(6-трет-бутил-4-метилфенол) - До 100

Способ изготовления структур кремниевых интегральных схем с диэлектрической изоляцией компонентов

Номер патента: 1222149

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Комаров, Сахаров, Жарковский, Брюхно, Шер

МПК: H01L 21/74

Метки: изоляцией, компонентов, структур, диэлектрической, интегральных, схем, кремниевых

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР КРЕМНИЕВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ КОМПОНЕНТОВ, включающий формирование в монокристаллической кремниевой пластине локальных скрытых слоев, вытравливание канавок в пластине, защиту полученного рельефа диэлектриком, осаждение со стороны рельефа поликристаллического кремниевого опорного слоя, формирование монокристаллических областей, формирование в этих областях р-п-переходов, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных структур и надежности интегральных схем путем повышения напряжения пробоя р-п-переходов, канавки вытравливают в пластине на расстоянии от локальных скрытых слоев, не меньшем глубины проникновения примеси скрытых слоев в пластину, после проведения операций защиты...

Способ изготовления высоковольтных интегральных схем с диэлектрической изоляцией

Номер патента: 1739805

Опубликовано: 30.04.1994

Авторы: Шер, Громов, Брюхно

МПК: H01L 21/76

Метки: высоковольтных, схем, интегральных, изоляцией, диэлектрической

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ, включающий нанесение на кремниевую монокристаллическую пластину n-типа проводимости защитного покрытия, фотолитографию по защитному покрытию, вытравливание разделительных канавок, удаление защитного покрытия, формирование на полученном рельефе высоколегированного слоя n-типа проводимости, формирование диэлектрической пленки на основе оксида кремния, формирование на поверхности пластины областей монокристаллического кремния, соответствующих расположению мощных высоковольтных транзисторов, эпитаксиальное наращивание кремниевой подложки с монокристаллическими и поликристаллическими участками, удаление монокристаллической кремниевой пластины до вскрытия дна...

Способ изготовления кремниевых транзисторных структур с диэлектрической изоляцией

Номер патента: 1108966

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Шер, Комаров, Данцев

МПК: H01L 21/76

Метки: транзисторных, изоляцией, диэлектрической, структур, кремниевых

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ, включающий формирование на монокристаллической кремниевой подложке первой пленки двуокиси кремния, вскрытие в ней локальных областей, вытравливание первой группы разделительных канавок, удаление первой пленки двуокиси кремния, формирование скрытого слоя в разделительных канавках первой группы, формирование второй пленки двуокиси кремния, вскрытие в ней локальных областей, вытравливание второй группы разделительных канавок, формирование пленки двуокиси кремния в разделительных канавках второй группы, наращивание на рельефную поверхность структуры слоя поликристаллического кремния, удаление части кремниевой подложки с образованием изолированных...

Способ изготовления транзисторных структур с диэлектрической изоляцией

Загрузка...

Номер патента: 1702826

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Брюхно, Лазина, Шер

МПК: H01L 21/76

Метки: изоляцией, диэлектрической, структур, транзисторных

...пленку окисла и проводят осаждение поликристаллического кремния для формирования подложки. снижает напряжения пробоя сформированныхтранзисторных структур, а следователь- Одновременно с выполнением этих но, и выход годных структур. операций, которые осуществляются при температуре 1180-11200 С в течение 4 ч,Целью изобретения является повышение выхода годных структур по напряжению на них диэлектрического слоя, наращивание на него поликристаллической 15кремнйевой подложки, вскрытие монокристаллических карманов, формирование вмонокристаллических кремнйевых карманах транзисторных структур, Одновременно с высоколегированными слоями на 20исходной монокристаллической пластине(или до образования высоколегированныхскрытых слоев)...

Способ изготовления микросхем

Номер патента: 1591750

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Шер, Лебедев, Брюхно, Коновалов

МПК: H01L 21/18

Метки: микросхем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОСХЕМ, включающий создание в кремниевой подложке n-типа первых диффузионных областей p-типа, формирование канавок, разделяющих p- и n-области в подложке, формирование диэлектрической пленки на поверхности канавок, осаждение поликремния, удаления материала подложки до вскрытия дна канавок и создание во вскрытых изолированных канавками участках кремниевой подложки диффузионных базовых и эмиттерных областей n-p-n- и p-n-p- транзисторных структур, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных микросхем за счет повышения воспроизводимости параметров распределения примеси в p-n-p- транзисторных структурах, первые диффузионные области p-типа в кремниевой подложке создают глубиной, не превышающей разность между...

Способ изготовления кремниевых структур с диэлектрической изоляцией компонентов интегральных схем

Номер патента: 1471901

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Коновалов, Опалев, Громов, Добровичан, Брюхно, Шер

МПК: H01L 21/82

Метки: структур, интегральных, компонентов, схем, кремниевых, изоляцией, диэлектрической

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ КОМПОНЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование на кремниевой монокристаллической подложке диэлектрического слоя, изготовление из этого слоя маски с окнами для вытравливания разделительных канавок, вытравливание в подложке разделительных канавок, формирование маски с окнами для вытравливания подложки при получении монокремниевых участков с уменьшенной толщиной, формирование монокремниевых участков с уменьшенной толщиной вытравливанием подложки через окна маски, заращивание окон этой маски оксидом кремния, осаждения на полученный рельеф опорного слоя поликремния, удаление части подложки до вскрытия монокремниевых участков с уменьшенной и увеличенной толщиной,...

Способ изготовления микросхем с диэлектрической изоляцией элементов

Номер патента: 1686982

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Шер, Брюхно

МПК: H01L 21/76

Метки: диэлектрической, изоляцией, элементов, микросхем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОСХЕМ С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ ЭЛЕМЕНТОВ, включающий формирование на поверхности кремниевой подложки основной защитной пленки, вскрытие в ней окон под области боковой изоляции, вытравливание в окнах изолирующих канавок, удаление основной защитной пленки, формирование на вскрытой поверхности подложки высоколегированного n+-слоя, выращивание пленки оксида кремния путем окисления подложки, вскрытие окон к кремниевой подложке над участками под высоковольтные транзисторы, осаждение поликристаллического кремния, удаление материала кремниевой подложки до вскрытия дна изолирующих канавок и формирование во вскрытых областях кремния низковольтных и высоковольтных транзисторов, отличающийся тем, что, с целью...

Автоматическая линия для объемной штамповки

Загрузка...

Номер патента: 1070804

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Тимченко, Тришечкин, Шер, Петрушин, Руденко, Токарев

МПК: B23Q 41/00, B21J 5/00

Метки: автоматическая, штамповки, объемной, линия

...цилиндра 5 выступы 10 и 11 планки 9 то поднимаются, то опускаются.При этом изделие то получает возможность поступать на обрубку, то удерживается на транспортере,Яа транспортером 4 размещен лоток12, установленный с ним соосно, покоторому изделие скатывается с помощью специально на нем установленных направляющих 13 на обрезной штамп14 строго по оси лотка 12, Для удержания изделия на плите штампа при еедвижении с лотка над ним установленоустройство, содержащее ось 15, планку 16 с балансиром 17, удерживающееизделие на плите штампа в определенном месте,,Посылка изделия в ручей обрезногоштампа 14 производится с помощью устройства, установленного под лотком,соосно с ним содержащего силовой цилиндр 18, на штоке 19 которого смонтирована вилка...

Способ изготовления изделий типа колес

Загрузка...

Номер патента: 1797514

Опубликовано: 23.02.1993

Авторы: Шерстнев, Токарев, Борисенко, Бирюлев, Бондарев, Чернышев, Басюк, Шер, Волков, Алентьев

МПК: B21K 1/28

Метки: типа, колес

...если таковая предусматривается (фиг.2 б), Указанные соотношения диаметральных размеров полуфабриката обеспечивают. беспрепятственную его укладку в последующий штамп и позволяют предварительно перераспределять металл с "завязкой" волокна получаемой затем реборды, После формовки полуфабрикат удаляется из полости штампа выталкивателем 16,В дальнейшем полуфабрикат размещают донной частьюна толкателе 17 окончательного штампа и с помощью буферного устройства 18 с усилием обжимают разъсмной матрицей 19 отформованную раньше реборду и часть обода (фиг,За), а затем, не снимая радиального усилия обжатия, опускают пуансон 20 и раздают на конус и доформовывают из стенки полуфабриката часть обода 21 и вторую реборду 22 (фиг.Зб).Предварительно...

Устройство для настройки гитары

Загрузка...

Номер патента: 1785037

Опубликовано: 30.12.1992

Автор: Шер

МПК: G10C 9/00

Метки: настройки, гитары

...для свободного размещения в них отжитогоо элемента (аналогично движку логарифмической линейки), Расстояние от верхней точки штыря отжимного элемента, устанбвленного в крайнее нижнее положение, до нижней плоскости основания (грифа) должно быть равно 3 мм.Настраиваемая струна перед настройкой должна быть отжата и отстоять от грифа на расстоянии Ьггде Ь очки отжатой з - расстояние от нижней точки неотжатой струны до вершины 1-й ладовой пластйны; Ьлп - высота ладовой пластйнй, (Л На фиг. 1-3 - показано предложенное ( " устройство, три проекции; на фиг. 4 - рабочее положение основания на грифе инстру- ф мента. Отжимной элемент 2 выступом 3 перемещен в пазах 4, выполненных-по краям основания 1, а на штыре 5, положение которого определяется...

Осевой вентилятор

Загрузка...

Номер патента: 1784074

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Шер, Тищенко, Ушаков, Пономарев, Зайцев

МПК: F04D 25/08

Метки: осевой, вентилятор

...со смещением относительно пластины предыдущего ряда,На фиг.1 схемдтичвид вентилятора в профиг,2 - рамки; на фиг.3 - векторная диаграмма напряженности, скоростей (электрического ветра),Осевой вентилятор содержит корпус 1, установленное в нем рабочее колесо 2 с электроприводом 3, электроды в виде параллельно расположенных пластин 4, с зубьями 5, образующих рамки 6, размещенные параллельно потоку воздуха. Зубья 5, пластины 4 ориентированы по ходу движения воздуха. Пластины 4 в каждой последующей рамке 6 расположены со смещением относительно пластин предыдущего ряда и образуют коронно-разрядные пары (зубья 5 пластины 4 ряда "а" - тыльная часть пластин 4 ряда "Ь" и т.д.), дающие суммарный вектор скорости электрического ветра...

Устройство для настройки гитары

Загрузка...

Номер патента: 1744708

Опубликовано: 30.06.1992

Автор: Шер

МПК: G10C 9/00

Метки: гитары, настройки

...является повышение удобства в пользовании,Обаединение медиатора 1 с четырьмя разновысокими отжимными элементами, два из которых 2 расположены в плоском теле медиатора, а два других 3 - в боковых выступах устройства, основание 4 которого снабжено двумя взаимно перпендикулярными пазами разной шиоины 5 (фиг. 1 - 3). На фиг, 4 показано рабочие положение устройства, при котором тело медиатора 1 находится в плоскости, нормальной к продольной оси ладовой пластины 6, струна 7 лежит на седле 8, а ладовая пластина 6 входит в паз 5, На фиг, 5 показано рабочее положение устройства, при котором тело медиатора развернуто на 90 относительно положения, показанного на фиг, 4,Настройку шестиструнной гитары с помощью предлагаемого устройства осуществляют...

Устройство для настройки гитары

Загрузка...

Номер патента: 1744707

Опубликовано: 30.06.1992

Автор: Шер

МПК: G10C 9/00

Метки: настройки, гитары

...Расположение устройства на грифе гитары показано на фиг. 5, где видно как ладовыепластины 10 входят в пазы 11 отжимныхэлементов, струны 1, 3, 4 и 6 введены взацепные пазы 9, а 2 струна лежит на штыревом выступе 12 отжимного элемента 6.Настройку гитары осуществляют в следующей последовательности. 744707 А 2 ДЛЯ НАСТРОИКИ ГИ относится к устроиству ры и позволяет повысить внии посредством нали ания продольных пазов Вращением колка первои струны она. настраивается с помощью камертона по звуку ЛЯ первой октавы, при этом высота звучания сравнивается с камертоном до полного их совпадения, затем вращением соответствующего колка настраиваются остальные струны: вторая по первой, третья по второй, четвертая по третьей, пятая по четвертой, шестая...

Стенд для определения предударной скорости ударника пневмопробойника

Загрузка...

Номер патента: 1737072

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Шер, Ткач, Прасолов, Надбаевский, Вергановский, Корышев, Трубицын

МПК: E02F 5/18, G01P 3/66

Метки: стенд, предударной, скорости, ударника, пневмопробойника

...В случае разомкнутой цепи регистратор 7 фиксирует ЭДС, а в случае замкнутой цепи - электрический ток. Измерй ельные катушки 5, 6 могут устанавливаться в передней 35 (фиг.1, 2), либо в задней части корпуса испытуемой машины в месте нанесения удара ударником 9 по корпусу(фиг,З). Измерительные катушки 5, 6 прикреплены к станине 1 нэ расстоянии 1 друг от друга, Они могут быть 40 прижаты друг к другу (фиг.З), либо установлены с зазором между собой (фиг.2). В первом случае мерное расстояние минимально, во втором - наведенная индукция в одной измерительной катушке меньше влияет на .45 другую Для уменьшения влияния наведенной индукции одной катушки на другую целесообразно ме.кду ними закреплять металлический экран, который может быть...

Цифровой измеритель несимметричности сигналов

Загрузка...

Номер патента: 1725179

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Пономарев, Шер

МПК: G04F 10/04

Метки: сигналов, измеритель, несимметричности, цифровой

...единицы (фиг.8),который поступает на входы блоков 22-24, разрешая формирование импульсов. На выходе ГТИ 23 формируются прямоугольные импульсы 011, причем фаза первого импульса ГТИ 23 привязана к переднему фронту положительного импульса 010 (фиг,8). ГТИ 23 вырабатывает последовательность положительных импульсов с периодом повторения гг, которые поступают на вход элемента И 24 и далее на вход распределителя 25 импульсов, Последний вырабатывает на выходах 1 - 10 импульсы положительной полярности длительностью гг, сдвинутые друг относительно друга. Эти импульсы поступают на входы соответствующих элементов и формируют управляющие сигналы измерителя,Кроме того, формирователь 22 по переднему фронту положительного импульса с 0-выхода...

Цифровой измеритель центра тяжести видеосигналов

Загрузка...

Номер патента: 1723559

Опубликовано: 30.03.1992

Авторы: Шер, Пономарев

МПК: G04F 10/00

Метки: измеритель, тяжести, центра, видеосигналов, цифровой

...и четвертым выходом блока, выход двоичного счетчика соединен с входом А элемента сравнения и первйм выходом блока, выход АВ злемен та сравнения соединен с входом.формирователя коротких импульсов, выход формирователя коротких импульсов соединен с вторыми входами элементов ИЛИ и ИЛИ-НЕ, выход элемента ИЛИ-НЕ соеди нен с В-входом двоичного счетчика, выходэлемента ИЛИ соединен с вторым выходом блока.соединен с вторым входом генератора уп-равляющих сигналов, с третьим входом бло выход аналогового ключа соединен свходом Овх аналого-цифрового преобразователя, выход аналого-цифрового пре 45 50 порогового элемента с шиной "Вход" измерителя, второй вход компаратора через второй вход порогового элемента соединен с шиной Ооп, выход компаратора...

Способ монтажа конструкции

Загрузка...

Номер патента: 1721003

Опубликовано: 23.03.1992

Авторы: Шер, Лазарев, Пономарев, Канцель

МПК: B66F 11/02

Метки: монтажа, конструкции

...Москва, Ж, Раущская наб 4/5 ГКНТ СС изводственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 10 Изобретение относится к способам подъема конструкций, преимущественно для монтажа коротких аппаратов.Цель изобретения - упрощение монтажа.На фиг, 1 показана схема подъема аппарата; на фиг. 2 - то же, вид сверху.Подъем короткого аппарата 1 осуществляют с помощью кранов 2-4, расположенных со стороны его нижней части, Аппарат 1, лежащий на опорах 5 монтажной площадки, стропят краном 3; за цапфу 6, закрепленную на краю торца основания аппарата 1, Затем кранами 2 и 4 производят застроповку аппарата 1 за цапфы 7 и 8, расположенные в верхней его части, затем производят предварительный подъем аппарата 1 кранами 2-4. Вывод аппарата 1...

Цифровой коррелятор

Загрузка...

Номер патента: 1711181

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Пономарев, Шер

МПК: G06F 15/336

Метки: коррелятор, цифровой

...этих отсчетов с выходов АЦП 15 и 16 на выходы регистров 17 и 18 памяти осуществляется импульсами с элемента 13 задержки, на вход которого поступают тактовые импульсы с генератора 12, С элемента 13 импульсы, задержанные на время, необходимое для выполнения операции сложения в накапливающем сумматоре 39, поступают на регистры 18 и 17 памяти, Запись с выходов АЦП 15 и 16 осуществляется по входам регистров 18 и 17 при переходе сигнала из состояния логического нуля в логическую единицу. Информация с выходов АЦП 15 и 16 переписывается на выходе регистров 17 и 18 памяти. Информация й отсчетов в АЦП 15 и 16 находится в промежутке времени между задним фронтом -го тактового импульса и передним фронтом+1-го тактового импульса. Информация с...

Переключатель

Загрузка...

Номер патента: 1693648

Опубликовано: 23.11.1991

Авторы: Остасевич, Курцер, Мамедов, Поташенков, Шер

МПК: H01H 23/12

Метки: переключатель

...11 выполнены из материала с низким электрическим сопротивлением,Неподвижные контакты 2-4 гайками 13 прикреплены к корпусу 1, а гайками 14 к ним прикреплены кабельные наконечники15 проводов.Контакты 2-4 в плане прямоугольные, что фиксирует их от вращения в корпусе 1.Вилка 7 с двумя зубцами 16 и 17 обхватывает контакт 5 с зазором Г. На зубце 17 выполнен выступ 18 для взаимодействия с рифлением на оси 12,Переключатель работает следующим образом.При повороте рычага б против часовой стрелки из положения, показанного на фиг,1, в вертикальное положение выступ 18 (фиг,3) заходит во впадину рифления подвижного контакта 5. Поэтому перекос контакта 5 от контакта 3 через контакт 2 к контакту 4 происходит без вращения 5 вокруг собственной оси.При...

Способ определения энергии удара машины ударного действия и стенд для его осуществления

Загрузка...

Номер патента: 1640302

Опубликовано: 07.04.1991

Авторы: Шабат, Терин, Червов, Ткач, Шер, Трубицын, Костылев, Прасолов

МПК: E02F 5/18, G01M 19/00

Метки: энергии, действия, стенд, удара, ударного

...1, являющимся регистратором величины тока. Стержень-волновод 2 прижимается к корпусу испытуемой машины 1 механизмом дляприжима корпуса машины в виде пневмоцилиндра 11, ход штока 12 которого можетбыть большим хода штока 9 силового цилиндра 10, В систему управления работой стенда входит реле 13 давления, установленное в воздушной магистрали 14, два трехходовых 45 50 55 10 15 вентиля 15 и 16, электропневматические клапаны 17 и 18 с реле 19 и 20 времени.Стержень-волновод 2 выполнен составным по меньшей мере.из двух частей 21 и 22. Одна иэ частей, например 22, выполнена с гнездом 23, другая - с выступом 24, причем выступ 24 установлен в гнезде 23 с натягом по боковым поверхностям. Для повышения точности измерений между стержнем-волноводом 2...

Способ термической обработки полуфабрикатов из однофазных -титановых сплавов

Загрузка...

Номер патента: 1620502

Опубликовано: 15.01.1991

Авторы: Бурочкин, Михайлов, Шер, Козина, Гордиенко, Дымовский

МПК: C22F 1/18

Метки: полуфабрикатов, однофазных, сплавов, титановых, термической

...среде.Обрабатывают полуфабрикаты из титанового сплава, содержащего алюминийи цирконий до 67, ванадий до 27 Нагрев электроконтактный, осуществляется током промышленной частоты. Охлаждение проводят в воде. После обработки испытывают цилиндрические образцыс надрезом. Проводят повторно статическое растяжение в синтетической(54) СПОСОБ ТЕРМИчЕСКОР ОБРАБОТКИПОЛУФАБРИКАТОВ ИЗ О/НОФАЗНЫХ -ТИТАНОВЫХ СПЛАВОВ(57) Изобретение относится к металлургии, в частности к способам термической обработки полуфабрикатов изоднофазных 04-титановых сплавов, и может найти применение в авиационнойпромьппленности, а также судостроениии химической промьшшенности, Пельизобретения - повышение малоцикловойдолговечности в коррозионной среде.Полуфабрикаты нагревают до...

Устройство для настройки гитары

Загрузка...

Номер патента: 1603432

Опубликовано: 30.10.1990

Автор: Шер

МПК: G10C 9/00

Метки: гитары, настройки

...9 и опорные площадки 10 для размещения струн, соприкасаясь с которыми на отрезке, равном ширине ладовой пластины 9, обеспечивают точность фиксации эффективной длины струны, зацепные пазы 11 и прижимные гайки 12,Устройство для настройки гитары функционирует следующим образом.Устройство для настройки гитары устанавливают на гриф гитары, при этом последовательно шестая, четвертая, третья и первая струны вводятся в зацепные пазы 11 отжимных элементов 2, 3, 4 и 5, после чего основание 1 перемещается вдоль грифа до фиксации ладовых пластин 9 в пазах 8. При этом в паз отжимного элемента 2 входит ладовая пластина пятого лада, в паз отжимного элемента 3 - пластина седьмого лада, в паз отжимного элемента 4 - пластина второго лада, а в паз...

Глушитель шума

Загрузка...

Номер патента: 1590611

Опубликовано: 07.09.1990

Авторы: Старобинский, Плицына, Кузин, Горина, Шер, Терехов

МПК: F02M 35/12, F01N 1/00

Метки: глушитель, шума

...каналу 5 участков 7 расширения. Участки сужения 6 и расширения 7 смежных щелевых каналов 5 могут чередоваться по дпине корпуса 1.Глушитель шума работает следующим образом.Газовый поток через впускной патрубок2 поступает в полость корпуса 1, где распредсляется по щелевым каналам 5, проходит по ним и через выпускной патрубок 3 выбрасывается в окружающую среду или в смежный объем. При движении газов звуковые волны частично отражаются за счет разницы поперечных сечений щелевых каналов 5, снабженных участками сужения 6 и расширения 7, что обеспечивает их частичное затухание. Работа глушителя шума характеризуется широкополосным заглушением. Выполнение длины участка сужения 6 в пределах (0,8 - 1,2)-/7 р Ьг, где длина участка 7...

Устройство для обучения игре на гитаре

Загрузка...

Номер патента: 1585819

Опубликовано: 15.08.1990

Автор: Шер

МПК: G09B 15/06

Метки: игре, обучения, гитаре

...пальцами левой руки и прижимают к струнам на соответствующих ладах. После этого55 медленно большим пальцем правой руки провести по струнам, указанным в аккордной сетке, начиная с басовых струн. Палец перемещают перпендикулярно струнам, при этом гитару держат как при обычной игре. Для прс слушивания аккордов с задействованиемЧ 1, Ч 11, Ч 111 ладов крайние шпильки пере 1мещают в положение, обеспечивающее нормальное прижатие струн к этим ладам.Контактные элементы 3, насаженные наверхнюю шпильку 2, прижимают всеструны на Ч ладу, выполняя функциюкаподастра. Остальные контактныеэлементы 3 устанавливают по аккорднойсетке,Для использования устройства в качестве каподастра нижнюю шпильку 2Эустанавливают в крайнее нижнее положение, ее контактные...

Глушитель шума

Загрузка...

Номер патента: 1502859

Опубликовано: 23.08.1989

Авторы: Старобинский, Плицына, Шер

МПК: F02M 35/12, F01N 1/02

Метки: глушитель, шума

...например двигателей внутреннего сгорания.Цель изобретения - уменьшение габаритов глушителя.На чертеже представлена схема глу шителя шума с тремя резонаторами.Глушитель шума содержит по меньшей мере три резонатора п,и+1,п+2 с резонансными частотами, образующими геометрическую прогрессию ГЙ,4 )+ 5 и соединенные между собой при помощи труб, длины которых, например, между резонаторами п и и+1 с соседними резонансными частотами равны где С - скорость звука, м/с; ЙЕ- соседние резонансные частоты,Гц;25К - коэффициент изменения длинысоединительных труб, равный0,8-1,2., Любой резонатор, имеющий резонансную частоту, начиная, .например, с 30 третьей Г, по порядку возрастания, расположен между резонаторами и и и+1, т.е. между резонаторами с двумя...

Способ демпфирования колебаний при ударе

Загрузка...

Номер патента: 1499000

Опубликовано: 07.08.1989

Авторы: Прасолов, Степаненко, Ткач, Шер

МПК: F16F 7/08

Метки: демпфирования, ударе, колебаний

...мере на две части 1 и 2, затем соединяют на некотором участке с натягом по боковым поверхностям 3 и 4 разрезанных частей 1 и 2 волновода и с зазором по торцовым поверхностям 5 и 6, затем продольно сдвигают одну часть волновода относительно другой. Кроме того, целесообразно обе части разрезанного волновода соединить посредством промежуточного элмента 7.При ударе ударный импульсраспространяется вдоль первой части 1 волново, да в виде продольной волны деформации, При подходе к соединительному участку продольная волна деформации переходит в сдвиговую волну деформации, через контактирующие поверхности 3 и 4 ударный импульс передается на вторую часть 2 волновода, где сдвиговый импульс переходит в продольный.При переходе волны деформации...

Способ хранения жидкого сахара

Загрузка...

Номер патента: 1493236

Опубликовано: 15.07.1989

Авторы: Гаврилов, Славянский, Федорова, Суханова, Шер, Романцева

МПК: A23L 3/34, C13F 3/00

Метки: сахара, хранения, жидкого

...Чаыки с посевами на плесневые грибы выдерживали в термостате в течение 7 сут.Результаты представлены в таблице.По сравнению с известным предлагаемый способ позволяет уменьшить количество микроорганизмов в хранимом жидком сахаре.П р и м е р 2. Способ осуцествлялся, как в примере 1.Жидкий сахар разливали в конические стерильные колбы. На поверхностьжидкого сахара пипеткой наносили тонкий слой насыщенного раствора Иа э НТФиз расчета 75 см/м . Жидкий сахархранился ири комнатной температуре втечение 7 мес. Пробы отобраны через1;3;5;7 мес хранения, Количественныйучет микроорганизмов проводился методом посева на питательные среды,Из разведения 1:10,пипеткой засевали по 1 мл сахара по 5 чашек Петрина каждый вид среды. Чашки Петри оставляли в...

Способ электрофоретического разделения коллагенов на пептиды

Загрузка...

Номер патента: 1442917

Опубликовано: 07.12.1988

Авторы: Шер, Калинин, Соколов

МПК: G01N 33/48

Метки: электрофоретического, коллагенов, разделения, пептиды

...18 ч при18-22 С, либо 3 ч при 37 С, Раствор бромциана удаляют высушиваниемв вакуумном шкафу в течение 3 ч прикомнатной температуре. Добавляют по30 мкм 10 -ного метанола и высушива.ют повторно в том же режиме. Добавляют по 50 мкл буфера для образцов, выдерживают 10 мин, Помещаюткусочки в лунки геля второго направления, подвергают электрофорезу.После электрофореза гели второгонаправления окрашивают либо кумасси,55либо серебром.П р и м е р 2. Способ разделенияпептидов немеченных коллагенов,Начало осуществления способа какв примере 1. Гели окрашивают 15 минв 27-ной уксусной кислоте либо всмеси этанол:НО;уксусная кислота5:5:1 и промывают в воде 10 мин.Вырезание кусочков гелей и их размеры как в примере 1. Кусочки гелейвысушивают в...