Мурзин

Устройство автоматического поиска каналов радиосвязи для адаптивных адресных систем

Загрузка...

Номер патента: 1840702

Опубликовано: 27.06.2008

Авторы: Любавин, Мурзин, Мариничев, Нехорошев

МПК: H04B 1/10, H04J 1/16

Метки: адаптивных, адресных, радиосвязи, каналов, поиска, систем

Устройство автоматического поиска каналов радиосвязи для адаптивных адресных систем, содержащее последовательно соединенные формирователь эталонного сигнала, ключ и приемник, один из выходов которого подключен к управляющему входу формирователя эталонного сигнала, ко входам которого подключены соответствующие выходы анализатора эталонного сигнала и блока управления поиском, а другой выход формирователя эталонного сигнала через анализатор эталонного сигнала соединен с одним из входов блока управления поиском, выходы которого подключены соответственно к управляющим входам формирователя эталонного сигнала, анализатора эталонного сигнала и ключа непосредственно и через коммутатор частот - к управляющим входам приемника, другой выход...

Устройство автоматического поиска каналов радиосвязи для адаптивных адресных систем

Загрузка...

Номер патента: 1840438

Опубликовано: 10.03.2007

Авторы: Мариничев, Мурзин

МПК: H04B 1/10, H04L 1/16

Метки: каналов, поиска, радиосвязи, адресных, адаптивных, систем

1. Устройство автоматического поиска каналов радиосвязи для адаптивных адресных систем, содержащее последовательно соединенные блок управления, коммутатор частот, сканирующий приемник, информационный выход которого соединен с одним из входов блока управления, отличающееся тем, что, с целью повышения пропускной способности радиосвязи и скрытности работы, введены регулятор усиления приемника, блок приема адресных сигналов, блок памяти уровней сигналов, блок выбора оптимального канала, датчик номера канала, блок выбора лучшего по помехам канала, блок оценки качества канала, причем один вход и один выход регулятора усиления приемника соединены с дополнительным выходом и входом сканирующего приемника, другие вход и выход соединены...

Устройство автоматического поиска каналов радиосвязи для адаптивных адресных систем

Загрузка...

Номер патента: 1840437

Опубликовано: 10.03.2007

Авторы: Мурзин, Мариничев

МПК: H04J 1/16, H04B 1/10

Метки: адресных, радиосвязи, каналов, адаптивных, систем, поиска

Устройство автоматического поиска каналов радиосвязи для адаптивных адресных систем, содержащее связной приемник, последовательно соединенные формирователь эталонного сигнала, ключ и сканирующей приемник, один из выходов которого подключен ко входу формирователя эталонного сигнала, анализатор эталонного сигнала, входы и выходы которого соединены с выходами и входами формирователя эталонного сигнала и блока управления, один из выходов которого соединен со входом формирователя эталонного сигнала, другой выход - с управляющим входом ключа, а третий выход через коммутатор частот подключен ко входам приемника, выходы которого соединены со входами анализатора эталонного сигнала и блока управления, отличающееся тем, что, с целью повышения...

Устройство связи случайными электрическими сигналами

Загрузка...

Номер патента: 1840271

Опубликовано: 27.08.2006

Авторы: Мурзин, Мержвинский, Мариничев

МПК: H04B 7/00

Метки: случайными, связи, сигналами, электрическими

Устройство связи случайными электрическими сигналами, содержащее на передаче последовательно соединенные генератор образцов сигналов, манипулятор, усилитель мощности, а на приеме - последовательно соединенные перемножитель и интегратор, выход которого соединен со входом решающего блока, причем вход перемножителя соединен с выходом генератора образцов сигналов, отличающееся тем, что, с целью повышения скрытности и помехозащищенности, введены на передаче последовательно соединенные блок выделения радиосигналов, двухполюсный ключ, управляющий вход которого подключен к выходу датчика временных интервалов, блок задержки, формирователь сопряженного процесса (СП) и формирователь противоположного сопряженному процесса (ПСП), причем выходы...

Устройство автоматического поиска каналов радиосвязи

Загрузка...

Номер патента: 1840199

Опубликовано: 10.08.2006

Авторы: Мурзин, Козленко, Сморчков, Мариничев

МПК: H04B 7/22

Метки: поиска, радиосвязи, каналов

Устройство автоматического поиска каналов радиосвязи, содержащее последовательно соединенные формирователь эталонного сигнала, ключ, приемный блок, блок управления и анализатор эталонного сигнала, выход и второй вход которого соединены с входом и вторым выходом формирователя эталонного сигнала, второй и третий входы которого соединены соответственно с вторыми выходами приемного блока и блока управления, третий выход которого подключен к другому входу ключа, а четвертый выход через коммутатор подключен к приемному блоку, причем третий выход анализатора эталонного сигнала подключен к другому входу блока управления, а третий выход приемного блока подключен к третьему входу анализатора эталонного сигнала, отличающееся тем, что, с целью...

Адаптивное приемное устройство

Загрузка...

Номер патента: 1840134

Опубликовано: 10.07.2006

Авторы: Мариничев, Мурзин, Борисов, Сморчков

МПК: H04B 1/10

Метки: адаптивное, приемное

Адаптивное приемное устройство, содержащее электронно-перестраиваемый приемник с встроенным блоком бланкирования импульсных помех, соединенный с выходом антенны через электронно-управляемый аттенюатор, блок точной оценки качества канала, вход которого соединен с выходом электронно-перестраиваемого приемника, а выход подключен к входу электронно-управляемого аттенюатора, отличающееся тем, что, с целью повышения точности выбора лучшего канала радиосвязи и повышения помехоустойчивости приема, введены блок грубой оценки огибающей помех, датчик сигналов стирания недостоверных символов, регулятор порога бланкирования, регулятор ослабления уровней, блок автоматического управления настройкой параметров, причем другой выход...

Устройство для шлифования и затылования резьбы на резьбообразующем инструменте

Номер патента: 1075545

Опубликовано: 20.12.1999

Авторы: Кабанов, Мурзин

МПК: B24B 3/22

Метки: шлифования, резьбы, инструменте, резьбообразующем, затылования

1. Устройство для шлифования и затылования резьбы на резьбообразующем инструменте, содержащее установленные в передней и задней бабке станка рабочие центра с механизмом передачи вращения от шпинделя на заготовку инструмента, закрепленную в указанных центрах, отличающееся тем, что, с целью расширения технологических возможностей устройства и снижения трудоемкости изготовления резьбообразующего инструмента, оно снабжено механизмом дополнительного возвратно-поступательного перемещения заготовки, выполненным в виде установленного с возможностью осевого перемещения на центре передней бабки, торцового кулачка с двумя дорожками качения с выступами, смещенными относительно друг друга по окружности,...

Способ шлифования и затылования резьбы на резьбообразующем инструменте

Номер патента: 1027937

Опубликовано: 20.12.1999

Автор: Мурзин

МПК: B23G 1/36, B23G 1/00

Метки: затылования, шлифования, резьбы, инструменте, резьбообразующем

Способ шлифования и затылования резьбы на резьбообразующем инструменте с чередующимся полным и заниженным по боковым сторонам профилем многониточным шлифовальным кругом, в процессе которого заготовку инструмента за один оборот перемещают в осевом направлении относительно шлифовального круга на шаг резьбы и одновременно с этим осуществляют радиальное перемещение шлифовального круга, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности изготовления резьбы, заготовке инструмента сообщают дополнительное осевое возвратно-поступательное перемещение с амплитудой, величина которой находится в пределах А = (0,005 - 1) Р, где Р - шаг резьбы резьбообразующего инструмента в мм, при этом...

Способ изготовления метчиков

Номер патента: 788557

Опубликовано: 20.12.1999

Авторы: Мурзин, Остроумов

МПК: B23G 5/06

Метки: метчиков

1. Способ изготовления метчиков для образования резьбы методом пластической деформации, содержащих участок с замкнутым контуром резьбы, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности, резьбу с замкнутым контуром получают оплавлением вершин профиля резьбы с последующим перемещением расплавленного металла во впадины резьбы.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что оплавление осуществляют лучом лазера.

Способ накатывания резьбы

Номер патента: 1163534

Опубликовано: 20.12.1999

Автор: Мурзин

МПК: B21H 3/08, B23G 7/00

Метки: резьбы, накатывания

1. Способ накатывания резьбы, при котором осуществляют предварительное формирование резьбы, осаживание ее вершины и последующую калибровку по профилю резьбы, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей за счет увеличения номенклатуры обрабатываемых материалов путем снижения усилий, осуществляют сдвиг витка одновременно с калибровкой путем приложения усилия по боковым сторонам профиля резьбы попеременно с одной и с другой стороны.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что сдвиг витка осуществляют на величину в пределах поля допуска на резьбу по среднему диаметру.

Способ изготовления резьбы с полостью внутри витков и метчик для его осуществления

Номер патента: 871385

Опубликовано: 20.12.1999

Автор: Мурзин

МПК: B21H 3/08

Метки: метчик, резьбы, витков, полостью, внутри

1. Способ изготовления резьбы с полостью внутри витков путем формирования винтовой канавки и последующего разделения каждого витка на две части до соприкосновения соседних частей двух смежных витков, образования витков с внутренней полостью и калибрования их по всему профилю, отличающийся тем, что, с целью повышения качества резьбы, после формообразования винтовой канавки наплывы по вершинам витков сглаживают.2. Метчик для осуществления способа по п.1, содержащий последовательно расположенные на расстоянии, меньшем длины изготавливаемой резьбы, канавкоформирующую и резьбоформирующую ступени, выполненные с одинаковым шагом и со смещением витков резьбоформирующей ступени на полшага...

Реактор для проведения диффузии в производстве полупроводниковых приборов

Номер патента: 1634050

Опубликовано: 27.10.1999

Авторы: Волков, Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 21/223

Метки: проведения, производстве, реактор, диффузии, полупроводниковых, приборов

Реактор для проведения диффузии в производстве полупроводниковых приборов, включающий кварцевую трубу диаметром D с отверстием для ввода газов на одном конце и отверстием для загрузки и выгрузки полупроводниковых пластин на другом, съемную кварцевую крышку с отверстием для вывода газов, цилиндрическая часть которой коаксиально входит в отверстие трубы для загрузки и выгрузки полупроводниковых пластин, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных полупроводниковых приборов и продления срока службы реактора, цилиндрическая часть съемной крышки установлена с постоянным зазором величиной g = 0,05D по отношению к стенке трубы, а со стороны отверстия для вывода газов в...

Способ изготовления изогнутых деталей из листовых заготовок

Номер патента: 1515495

Опубликовано: 20.05.1999

Авторы: Мордасов, Шорин, Мурзин

МПК: B21D 5/01

Метки: изогнутых, листовых, заготовок

Способ изготовления изогнутых деталей из листовых заготовок, включающий выполнение ослабляющих заготовку участков в угловой зоне со стороны внутреннего радиуса и последующую гибку, отличающийся тем, что, с целью повышения точности изделий, ослабляющие участки выполняют лазерным излучением в виде двух рядов конических лунок глубиной (0,7 - 0,8)s, где s - толщина материала заготовки, углом конусности 50 - 60o и размещают вдоль плоскости симметрии угловой зоны на расстоянии от нее, равном (1 - 1,5)s, с шагом (4 - 6)s.

Способ изготовления полупроводникового прибора с высоким напряжением пробоя

Номер патента: 1828721

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Загрядский, Мурзин

МПК: H01L 21/331

Метки: пробоя, полупроводникового, прибора, напряжением, высоким

1. Способ изготовления полупроводникового прибора с высоким напряжением пробоя, включающий последовательное формирование на поверхности полупроводниковой подложки аморфного или поликристаллического слоя толщиной Н, в котором коэффициент диффузии примеси, создающей базовую область полупроводникового прибора и формирующей его p n-переход коллектор база, превышает ее коэффициент диффузии в полупроводниковой подложке, формирование изолирующего слоя, вскрытие в изолирующем слое окна под диффузию примеси, создающей базовую область, диффузию указанной примеси в полупроводниковую подложку через окно в изолирующем слое с формированием базовой области, состоящей из центральной области глубиной Y

Способ изготовления мощного кремниевого транзистора

Номер патента: 1828719

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 21/331

Метки: кремниевого, транзистора, мощного

1. Способ изготовления мощного кремниевого транзистора, включающий создание в высокоомном слое кремниевой n-n+-структуры эмиттерной области, легированной примесью первого типа проводимости, имеющей атомный радиус, больший или меньший атомного радиуса кремния, создание базовой области, легированной примесью второго типа проводимости, одновременную разгонку эмиттерной и базовой примесей, легирование эмиттерной области на глубину h компенсирующей примесью, имеющей атомный радиус, соответственно меньший или больший атомного радиуса примеси первого типа эмиттерной области, подлегирование базовой области примесью второго типа проводимости, отличающийся тем, что, с целью уменьшения числа высокотемпературных процессов, создание базовой...

Способ изготовления мощного кремниевого транзистора

Номер патента: 1828720

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Мурзин, Кондрашов

МПК: H01L 21/331

Метки: кремниевого, транзистора, мощного

1. Способ изготовления мощного кремниевого транзистора, включающий предварительную диффузию примеси р-типа проводимости в базовую область кремниевой n-n+-структуры, предварительную диффузию примеси n-типа проводимости в эмиттерную область и дальнейшую совместную разгонку базовой и эмиттерной примесей, отличающийся тем, что, с целью разрушения кластерных областей в объеме полупроводниковой структуры, предварительную диффузию примеси n-типа проводимости в эмиттер проводят при 800-1100oC, а совместную разгонку базовой и эмиттерной примесей проводят при температуре, выбираемой из интервала 1100-1250°С из условия обеспечения степени легирования эмиттерной области Ns<3

Мощный биполярный транзистор с защитой от перенапряжения

Номер патента: 1827152

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 29/72

Метки: мощный, перенапряжения, биполярный, транзистор, защитой

Мощный биполярный транзистор с защитой от перенапряжения, состоящий из рабочей транзисторной структуры и защитного стабилитрона в виде транзистора с плавающей базой, выполненный в одной полупроводниковой подложке так, что они имеют общий коллектор, а эмиттерная область стабилитрона омически соединена с базовой областью рабочей транзисторной структуры, причем ширина и/или степень легирования активной базы стабилитрона меньше ширины и/или степени легирования активной базы рабочей транзисторной структуры, отличающийся тем, что, с целью повышения устойчивости к вторичному пробою при обратном смещении базы, при сохранении временных и электрических параметров транзистора за счет уменьшения дефектности активной базы защитного стабилитрона и...

Мощный биполярный транзистор с защитой от перенапряжения

Номер патента: 1827151

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Мурзин, Кондрашов

МПК: H01L 29/72

Метки: перенапряжения, защитой, мощный, транзистор, биполярный

1. Мощный биполярный транзистор с защитой от перенапряжения, состоящий из рабочей транзисторной структуры и защитного стабилитрона в виде транзистора с плавающей базой, выполненный в одной полупроводниковой подложке таким образом, что они имеют общий коллектор, а эмиттерная область стабилитрона омически соединена с базовой областью рабочей транзисторной структуры, отличающийся тем, что, с целью повышения устойчивости к вторичному пробою при обратном смещении базы, за счет изменения конструкции активной базы стабилитрона, активная база стабилитрона выполнена в виде областей-ячеек, в которых ширина и степень легирования активной базы стабилитрона меньше ширины и степени легирования активной базы рабочей транзисторной структуры, окруженных...

Мощный биполярный транзистор

Номер патента: 1827150

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 29/72

Метки: транзистор, мощный, биполярный

1. Мощный биполярный транзистор, содержащий по крайней мере одну эмиттерную область шириной l переменной глубины и степени легирования, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента усиления по току с сохранением устойчивости к вторичному пробою, эмиттерная область состоит по крайней мере из двух симметричных относительно центра эмиттерной области зон, в которых глубину эмиттерной области H выбирают из соотношения H=H0+kl, где а H0 глубина эмиттерной области на внешнем краю зоны.2. Транзистор по п. 1, отличающийся тем, что участку эмиттерной области с максимальной глубиной соответствует максимальная степень легирования, а участку с...

Мощный биполярный транзистор

Номер патента: 1827149

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Мурзин, Кондрашов

МПК: H01L 29/72

Метки: мощный, транзистор, биполярный

1. Мощный биполярный транзистор, имеющий по крайней мере одну эмиттерную область шириной I с постоянной глубиной и степенью легирования и активную базу с переменной степенью легирования, отличающийся тем, что, с целью уменьшения площади его транзисторной структуры с сохранением коэффициента усиления по току и устойчивости к вторичному пробою, ширину W активной базы выбирают из соотношения W Wmin + k I, где 0 К 1, а Wmin - минимальная ширина активной базы.2. Транзистор по п.1, отличающийся тем, что участок активной...

Планарный полупроводниковый прибор с высоким напряжением пробоя

Номер патента: 1827148

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Мурзин, Кондрашов

МПК: H01L 29/72

Метки: планарный, напряжением, прибор, высоким, пробоя, полупроводниковый

1. Планарный полупроводниковый прибор с высоким напряжением пробоя, содержащий в высокоомном слое первого типа проводимости базовую область второго типа проводимости, состоящую из центральной области глубиной H и периферийной области шириной L, окружающей центральную область, глубина и степень легирования которой уменьшается в направлении к месту выхода на поверхность высокоомного слоя p-n-перехода, образованного базовой областью и высокоомным слоем, отличающийся тем, что, с целью уменьшения ширины периферийной области базы при сохранении величины напряжения пробоя и диффузионных параметров центральной области базы, периферийная область базы состоит по крайней мере из двух зон, в которых p-n-переход имеет различный угол наклона к...

Полупроводниковый прибор с высоким напряжением пробоя

Номер патента: 1827147

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 29/72

Метки: высоким, пробоя, прибор, напряжением, полупроводниковый

1. Полупроводниковый прибор с высоким напряжением пробоя, содержащий в высокоомном слое первого типа проводимости базовую область второго типа проводимости, состоящую из центральной области глубиной Нп периферийной области, окружающей центральную область, глубина и степень легирования которой уменьшается в направлении к месту выхода на поверхность высокоомного слоя рn-перехода, образованного базовой областью и высокоомным слоем, кольцевую базовую металлизацию шириной а, расположенную под частью периферийной области базы, прилегающей к центральной области базы, и находящуюся на расстоянии l от места выхода на поверхность высокоомного слоя р n-перехода, где величина l соответствует ширине области пространственного заряда в...

Мощный биполярный транзистор с защитой от перенапряжения

Номер патента: 1827146

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Мурзин, Кондрашов

МПК: H01L 29/72

Метки: биполярный, защитой, перенапряжения, мощный, транзистор

1. Мощный биполярный транзистор с защитой от перенапряжения, состоящий из рабочей транзисторной структуры и защитного стабилитрона в виде транзистора с плавающей базой, выполненной в одной полупроводниковой подложке так, что они имеют общий коллектор, а эмиттерная область стабилитрона омически соединена с базовой областью рабочей транзисторной структуры, отличающийся тем, что, с целью повышения устойчивости к вторичному пробою при обратном смещении базы без изменения его временных и электрических параметров за счет изменения ширины и уменьшения дефектности активной базы защитного стабилитрона и прилегающей к ней области коллектора, ширина активной базы стабилитрона больше ширины активной базы рабочей транзисторной структуры, а степень...

Вертикальный биполярный транзистор

Номер патента: 1827144

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 29/02

Метки: транзистор, вертикальный, биполярный

1. Вертикальный биполярный транзистор, содержащий в полупроводниковой подложке коллекторную область типа проводимости с канальным ограничителем, базовую область противоположного типа проводимости, эмиттерную область первого типа проводимости и пассивирующее покрытие по крайней мере на части поверхности базовой и коллекторной областей, отличающийся тем, что, с целью уменьшения аномально высокого уровня и дрейфа обратных токов Iкэо и Iкэ транзистора благодаря предотвращению попадания избыточных неосновных носителей заряда базовой области в приповерхностную часть области пространственного заряда коллекторного перехода, базовая область транзистора содержит по крайней мере одну дополнительную область, в которой дефектность...

Способ изготовления мощного кремниевого транзистора

Номер патента: 1827143

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Мурзин, Кондрашов

МПК: H01L 21/331

Метки: транзистора, мощного, кремниевого

Способ изготовления мощного кремниевого транзистора, включающий предварительную диффузию базовой примеси р-типа проводимости в базовую область кремниевой n-n+-структуры на глубину h, предварительную диффузию эмиттерной примеси n-типа проводимости в базовую область с формированием эмиттерной области n+-типа проводимости, совместную разгонку базовой и эмиттерной примесей, в результате которой получают транзисторную n+-p-n-n-структуру с шириной активной базы Wакт, глубиной базовой области Н и глубиной эмиттерной области L, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости параметров транзистора, предварительную диффузию базовой примеси проводят в течение 1-40 ч при 1100-1250°С на глубину...

Перестраиваемый полупроводниковый лазер субмиллиметрового диапазона

Номер патента: 1597071

Опубликовано: 27.01.1995

Авторы: Стоклицкий, Митягин, Блох, Трофимов, Чеботарев, Балашов, Мурзин

МПК: H01S 3/18

Метки: субмиллиметрового, лазер, диапазона, полупроводниковый, перестраиваемый

ПЕРЕСТРАИВАЕМЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР СУБМИЛЛИМЕТРОВОГО ДИАПАЗОНА, содержащий установленный в скрещенных электрических и магнитных полях активный элемент из монокристаллического германия с примесью p-типа, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона непрерывной и линейной по магнитному полю перестройки частоты излучения, концентрация примеси выбрана в пределах (8 3) 1013 см-3, а активный элемент изготовлен в форме прямоугольного параллелепипеда так, что нормаль к его боевым граням лежит в кристаллографической плоскости (110) и составляет угол 70

Штамповая сталь

Номер патента: 1127317

Опубликовано: 30.01.1994

Авторы: Деревянко, Голубейко, Махора, Мурзин, Соболев, Чудаковский, Голенищев, Касатонов, Чернобровкин, Лукьянов, Руднев, Сандомирский, Люткевич

МПК: C22C 38/28

Метки: сталь, штамповая

ШТАМПОВАЯ СТАЛЬ, содержащая углерод, марганец, кремний, молибден, хром, железо, отличающаяся тем, что, с целью повышения механических свойств, оно дополнительно содержит ванадий, кальций, цирконий, алюминий, медь, ниобий, церий при следующем соотношении компонентов, мас. % :Углерод 0,46 - 0,56;Кремний 0,60 - 1,0Марганец 0,8 - 1,2Хром 1,6 - 2,3Молибден 0,25 - 0,55Ванадий 0,10 - 0,30Цирконий 0,001 - 0,05Кальций 0,001 - 0,02Алюминий 0,001 - 0,05Ниобий 0,002 - 0,50Медь 0,05 - 0,40Церий 0,001 - 0,10Железо Остальное

Гидравлическая объемная передача

Загрузка...

Номер патента: 2005234

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Васильев, Алексеев, Мурзин, Терещенко, Чириков, Емельянов, Рысев, Халаджиев

МПК: F16H 61/46, B60K 17/10

Метки: объемная, передача, гидравлическая

...28 в корпусе 20, образует регулируемый дроссель, Торцы золотника 27 образуют с крышками 24, 25 корпуса 20 камеры управления 32, ЗЗ. В торце золотника 27 в осевом канале 34 со стороны подводящего канала 21 установлен постоянный дроссель 8. Подводящий канал 2 гидоавдически связан с камерой управлении 32, а отводящий канал управления 22 через внутренние каналь; 34, 35 и демпфирующий дроссель 36 гидраздически связан с камерой управления 33. Демпфирующий дросседь 36 установлен в торце золотника 27 в осевом канале 34,Отводящий канал управления 22 гидравлически связан с отводящим каналом подпитки 23 через проточку 31 золотника 27 и проточку 26 корпуса 20. Отводящий канал управления 22 гидравлически связан с блоком гидравлического...

Пастбищная изгородь

Загрузка...

Номер патента: 1839614

Опубликовано: 30.12.1993

Автор: Мурзин

МПК: A01K 3/00

Метки: пастбищная, изгородь

...прилеганиегоризонтальных элементов изгороди позволяет частично перемещать треноги в любом направлении. Для изменения геометрии ограждения или смены пастбища пастбищную 20 изгородь можно погрузить в автотранспорт,т.к, она сборно-разборная.(56) Забродин В,А. Северное оленеводство. М.: Колос, 1979, с.10-12.25 1. ПАСТБИЩНАЯ ИЗГОРОДЬ, включающая опоры, выполненные в виде треног, , состоящих из укосин, на которых горизонтально размещены верхний, нижний и средний ограждающие элементы, отличающаяся тем, что, с целью упрощения ее эксплуатации, одна из укосин треноги выполнена Н - образной, причем между верхними ее ветвями размещены верхние части остальных укосин с образованием,40 Изобретение относится к сельскому хозяйству, в частности к...

Способ разупрочнения листовой заготовки перед штамповкой и устройство для его осуществления

Загрузка...

Номер патента: 1839119

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Мордасов, Шорин, Сойфер, Попов, Мурзин

МПК: B21D 22/00, G02B 5/10, B21D 37/16 ...

Метки: заготовки, штамповкой, разупрочнения, листовой

...навокруг нормали к его поверхности, дящей через его центр, а рельеф зон атора 2 выполнен согласно зависимоЧ - координаты элемента в системеинат, связанной с зеркалом, с осьюправленной в начальный момент про тивоположно проекции падающего луча и началом в центре элемента, расположенного в области 0 + Ч1 ЬЯ;г- радиус фокусируемого пучка гауссов ского распределения энергии излучения, вкотором интенсивность на расстоянии г уменьшается по сравнению с центром враз(гЙ);Я - общий радиус фокусируемого пучка;1 - фокусное расстояние элемента;о - максимальная для 1-й зоны длинаотрезка, в который фокусируется излучение;р - угол, отсчитываемой от оси 00 поповерхности зеркала, измеренный в радиа нах и находящийся в интервале 20 при...