Лягушенко

Способ изготовления многослойных полупроводниковых структур силовых тиристоров n+-p-n-p-типа

Номер патента: 1176782

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Елисеев, Лягушенко, Колоскова, Нисневич, Иванов, Локтаев

МПК: H01L 21/314

Метки: n+-p-n-p-типа, силовых, структур, полупроводниковых, многослойных, тиристоров

1. Способ изготовления многослойных полупроводниковых структур силовых тиристоров n+-p-n-p-типа, включающий химическую обработку, осаждение из растворов на основе тетраэтоксисилана на обе поверхности кремниевых пластин n-типа проводимости легированных окисных пленок - источников диффузии алюминия и бора, термическую обработку в окислительной среде при температуре 1200 - 1300oC для формирования высоковольтных p-n переходов, создание маскирующей пленки по всей площади пластины, локальное травление маскирующей пленки и формирование n+-областей диффузией фосфора, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и улучшения параметров тиристоров, для создания...