Локтаев

Раствор для диффузионного легирования кремния фосфором

Номер патента: 1480665

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Нисневич, Варданян, Бахшецян, Локтаев

МПК: H01L 21/225

Метки: легирования, фосфором, кремния, диффузионного, раствор

Раствор для диффузионного легирования кремния фосфором, содержащий органический растворитель, ортофосфорную кислоту и пленкообразующий компонент, отличающийся тем, что, с целью повышения уровня легирования диффузионных слоев толщиной более 50 мкм, в качестве пленкообразующего компонента используют эфир германия Ge(OCnH2n+1)4 где 3 n 6, при следующем соотношении компонентов, мас.%:Органический растворитель - 45 - 70Ортофосфорная кислота (70%-ная) - 20 - 40Эфир германия - 5 - 20

Способ изготовления многослойных структур полупроводниковых приборов

Номер патента: 1480664

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Колоскова, Локтаев, Нисневич

МПК: H01L 21/225

Метки: структур, полупроводниковых, приборов, многослойных

Способ изготовления многослойных структур полупроводниковых приборов, включающий очистку пластин кремния, осаждение на одну поверхность пластин пленкообразующего раствора с легирующими примесями, осаждение на другую поверхность пластин кремния пленкообразующего раствора, содержащего этиловый спирт, азотнокислый алюминий, борную кислоту и тетраэтоксисилан, и проведение одновременной диффузии путем термообработки, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения способа для изготовления многослойных структур тиристоров и транзисторов одной термообработкой, проводят осаждение на вторую поверхность пластин кремния пленкообразующего раствора, дополнительно содержащего ортомышьяковую...

Способ диффузии алюминия и галлия в кремниевые пластины

Номер патента: 1593508

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Губарев, Локтаев, Нисневич

МПК: H01L 21/225

Метки: алюминия, кремниевые, диффузии, пластины, галлия

Способ диффузии алюминия и галлия в кремневые пластины, включающий очистку поверхности, осаждение из растворов легированных пленок, складывание пластин одноименными сторонами в стопку, загрузку в окислительной атмосфере в реактор диффузионной печи, нагретой до температуры ниже температуры диффузии, выдержку при этой температуре для проведения деструкции, нагрев до температуры диффузии в потоке газа и термообработку, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров изготавливаемых силовых полупроводниковых структур на основе полированных пластин за счет повышения времени жизни дырок и повышения воспроизводимости легирования, стопку пластин предварительно помещают в заваренный с одного...

Способ изготовления многослойных структур n+pnpp+ типа

Номер патента: 1340476

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Павлынив, Нисневич, Насекан, Локтаев, Марквичева, Грипас

МПК: H01L 21/225

Метки: многослойных, типа, структур, n+pnpp+

1. Способ изготовления многослойных структур n+-p-n-p-p+ типа силовых тиристоров, включающий создание на p-n-p-структуре маскирующей пленки, локальной со стороны катода и сплошной со стороны анода, загонку донорной примеси, полное удаление маскирующей пленки, осаждение на анодную сторону раствора, содержащего соединения бора, складывание пластин в стопку и разгонку, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических параметров тиристора за счет повышения однородности подлегирования бором шунтов и управляющего электрода со стороны катода и создания неоднородного распределения времени жизни неосновных носителей заряда в n-базе, на анодную сторону осаждают раствор,...

Способ изготовления омического контакта выпрямительного элемента

Номер патента: 1400378

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Мишанин, Лягущенко, Локтаев

МПК: H01L 21/28

Метки: элемента, контакта, выпрямительного, омического

Способ изготовления омического контакта выпрямительного элемента, включающий помещение припоя алюминиевой основы между кремниевой структурой и электродом и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения обратного напряжения выпрямительного элемента, между поверхностью кремниевой структуры и припоем алюминиевой основы помещают слой силумина заэвтектического состава, термообработку проводят при температуре от 577oC до 0,95 температуры плавления силумина заэвтектического сстава.

Способ приготовления пленкообразующих растворов для получения поверхностного источника диффузии примесей в кремний

Номер патента: 1400376

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Нисневич, Пайвель, Локтаев

МПК: H01L 21/225

Метки: поверхностного, примесей, источника, диффузии, пленкообразующих, растворов, приготовления, кремний

Способ приготовления пленкообразующих растворов для получения поверхностного источника диффузии примесей в кремний, содержащих органический растворитель, воду, катализатор гидролиза тетраэтоксисилана, соединения легирующих примесей и тетраэтоксисилан, включающий растворение части компонентов, включая тетраэтоксисилан; гидролиз тетраэтоксисилана и растворение оставшихся компонентов в растворе гидролизованного тетраэтоксисилана, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров диффузионных слоев за счет повышения вязкости растворов, раствор гидролизованного тетраэтоксисилана перемешивают, нагревая до температуры 50 - 90oC, пока его объем не уменьшится в 1,2 - 2,5 раза.

Раствор для осаждения пленок алюмосиликатного стекла

Номер патента: 1127483

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Локтаев, Нисневич, Колоскова

МПК: H01L 21/316

Метки: раствор, стекла, пленок, алюмосиликатного, осаждения

Раствор для осаждения пленок алюмосиликатного стекла, содержащий растворитель - этиловый спирт 96o, тетраэтоксисилан, катализатор и азотнокислый алюминий(гидрат) с концентрацией в растворителе более 0,15 г/см3, отличающийся тем, что, с целью увеличения маскирующей способности пленки при диффузии бора и фосфора с поверхностной концентрацией более 1019см-3, отношение массы азотнокислого алюминия к массе тетраэтоксисилана берут равным 1,5 - 4,0, а компоненты в следующем количественном соотношении, мас.%:Этиловый спирт 96o - 60 - 80Азотнокислый алюминий, гидрат - 15 - 32Тетраэтоксисилан - 5 - 10.

Способ изготовления многослойных полупроводниковых структур силовых тиристоров n+-p-n-p-типа

Номер патента: 1176782

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Елисеев, Лягушенко, Локтаев, Иванов, Нисневич, Колоскова

МПК: H01L 21/314

Метки: тиристоров, силовых, полупроводниковых, многослойных, n+-p-n-p-типа, структур

1. Способ изготовления многослойных полупроводниковых структур силовых тиристоров n+-p-n-p-типа, включающий химическую обработку, осаждение из растворов на основе тетраэтоксисилана на обе поверхности кремниевых пластин n-типа проводимости легированных окисных пленок - источников диффузии алюминия и бора, термическую обработку в окислительной среде при температуре 1200 - 1300oC для формирования высоковольтных p-n переходов, создание маскирующей пленки по всей площади пластины, локальное травление маскирующей пленки и формирование n+-областей диффузией фосфора, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и улучшения параметров тиристоров, для создания...

Способ изготовления выпрямительных элементов

Номер патента: 1082233

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Сурженков, Нисневич, Кузьмин, Хуторянский, Локтаев, Корольков, Фихтенгольц, Круус, Колоскова, Марквичева

МПК: H01L 21/24

Метки: элементов, выпрямительных

Способ изготовления выпрямительных элементов силовых полупроводниковых приборов, включающий операции шлифовки и химической очистки пластин кремния, изготовления высоковольтных p-n-переходов и создания омических контактов методом диффузионной сварки, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных приборов, после изготовления высоковольтных p-n-переходов с обеих сторон пластины кремния удаляют нарушенный слой толщиной 5 - 20 мкм.

Манипулятор бурильной установки

Загрузка...

Номер патента: 1760105

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Волосков, Панков, Локтаев, Ажибаев

МПК: E21C 11/02

Метки: установки, бурильной, манипулятор

...подъема и гидроцилиндр-корректор снабжены соответствующими гидромагистралями-входами 16, 21 игидромагистралями-выходами 17, 20, гидрозамки имеют первую гидромагистраль-вход15, 22 и вторую гидромагистраль-выход 17,20, первую гидромагистраль-выход 16, 21 ивторую гидромагистраль-выход 18. 19, а гидрораспределители соответственно - первую гидромагистраль-выход 15, 24 и вторуюгидромагистраль-выход 23, 19.Напорная гидромагистраль 14 черезпервый вход 15 гидрораспределителя 10,первый вход 15 и первый вход 15 и первыйвыход 16 гидрозамка 8 соединена с поршневой полостью гидроцилиндра подъема 6, аштоковая полость этого же гидроцилиндрачерез. второй вход 17 и второй выход 18этого же гидроэамка соединена со вторымвыходом 18 гидрозамка 19, а...

Рабочее колесо центробежного компрессора

Загрузка...

Номер патента: 1613700

Опубликовано: 15.12.1990

Авторы: Галеркин, Локтаев

МПК: F04D 29/28

Метки: колесо, компрессора, центробежного, рабочее

...г. Ужгород, ул. Гагарина, 1 О 1 3Изобретение относится к компрессоростроению и может быть использовано в рабочих колесах центробежных компрессоров.Цель изобретения - повышение КПД компрессора.На чертеже показано колесо, поперечный разрез.Рабочее колесо содержит несущий диск 1 и расположенные на нем рабочие лопатки 2 постоянной толщины. Выходной участок 3 каждой лопатки 2 имеет переменный угол рУц между средней линией 4 и касательной 5 к окружности на текущем радиусе г; колеса, выполненный по квадратичной параболе, Угол р-.уц на входном участке 6 11 выходном участке 3 определяется соответс 1 гвенно из уравнений; иР" уц = Вв+А(Рл 2 - рад) Х(Г - Г 1) - В ( Г 2 - Г 1) 21А) Г (1 - В) (Г, - г,)где Рлд и Рл 2 - углы входа,и выхода...

Высоковольтный тиристор

Загрузка...

Номер патента: 1455952

Опубликовано: 30.09.1990

Авторы: Куузик, Мартыненко, Локтаев, Агаларзаде, Буякина, Астафьев

МПК: H01L 29/74

Метки: высоковольтный, тиристор

...параллельной главной поверхности и являющейся серединой и-базового слоя 5. Главная поверхностьпересекает краевую конусообразную поверхность 3 под углом = 30-35При подаче обратного напряжения на структуру образуется слой объемного заряда по обе стороны заблокированного р-п-перехода, границы которого выходят на торцовую поверхность структуры. Если в объеме структуры максимальное значение блокируемого напряжения определяется шириной и-области и электрической прочностью полупроводникового материала, то на ее поверхности в месте выхода р-и-перехода вследствие резкого сужения ширЙгТираж 450," венного комитета по 113035, Иосква, Ж-З ГКНТ ССС Проиэводствен ательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101 з 145 нц области...

Способ контроля сети связи

Загрузка...

Номер патента: 1425857

Опубликовано: 23.09.1988

Авторы: Медведев, Локтаев, Шулькин, Яхонтов, Нихаев

МПК: H04B 3/46

Метки: сети, связи

...об исправности этого тракта, Таким образом, неполучение в зонд-сигналах номера 12 означает неисправное состояние тракта 12. Если после аварии тракта 12 и передачи всех соответствующих зонд-сигналов выйдет из строя, например, тракт 9, то на узле 5 принятый зонд-сигнал, дополненный номером тракта 11, передается на узел 4 по тракту 11 и далее на узел 1 по тракту 8, т.е. зонд-сигнал несет на узел 1 информацию об исправности трактов 11 и 8.Устройство, реализующее предложенный способ, работает следующим образом.При отказе или восстановлении тракта в соответствующем разряде регистра 17 контрольных сигналов, число разрядов которого равно числу инцидентных трактов передачи, появляется кратковременно "1", а затем восста навливается "0", в...

Устройство для регулирования натяжения ременной передачи

Загрузка...

Номер патента: 1224493

Опубликовано: 15.04.1986

Авторы: Локтаев, Галеркин

МПК: F04D 25/06, F16H 7/08

Метки: ременной, передачи, натяжения

...машины, выполненной в виде компрессора 5, содержит пневматический отжимной элемент и подключенный к нему подводящий трубопровод 6, а также вентиль 7 сброса давления, клапан 8 максимального давления и обратный клапан 9, Трубопровод 6 через обратный клапан 9 подсоединен к линии 10 нагнетания компрессора 5, а отжимной элемент выполнен в виде сильфонов 11, расположенных между электродвигателем 4 и компрессором 5 и сообщенных с атмосферой через ветиль 7 сброса и клапан 8 максимального давления.Кроме того, устройство может содержать обводной трубопровод 12 с дифференциальным клапаном 13, подсоединенный к подводящему трубопро" воду параллельно обратному клапану 9, а также дополнительный источник провод с дифференциальным клапаном,...

Раствор для получения источника диффузии донорной примеси

Загрузка...

Номер патента: 669695

Опубликовано: 23.03.1986

Авторы: Локтаев, Марквичева, Берлин, Петрова, Лягущенко, Нисневич

МПК: C30B 31/06

Метки: источника, донорной, примеси, диффузии, раствор

...при диффузии,происходит уменьшение поверхностной концентрации фосфора ниже требуемых значений.Тетраэтоксисилан 7 - 19Кроме того, раствор может содержать азотнокислые соли элементов 111 группы главной подгруппы при содержании азотной кислоты 0,2-1,0 мас.7 или элементов 11 группы главной подгруппы при содержании азотной кислоты 1,0-9,0 мас. .При приготовлении раствора в эти-, ловом спирте растворяют сначала азотнокислые соли элементов, затем ортофосфорную кислоту. При этом часто выпадают в осадок фосфаты элементов, которые затем растворяются при введении в раствор азотной кислоты.П р и м е р. Было испытано несколько растворов для получения источника диффузии (составы представлены в табл.1-3), которые наносят на поверхность пластин...

Донорный раствор для получения поверхностного источника диффузии

Загрузка...

Номер патента: 1040975

Опубликовано: 23.04.1985

Авторы: Пайвель, Локтаев, Щицель, Нисневич

МПК: H01L 21/225

Метки: источника, донорный, поверхностного, диффузии, раствор

...тем,что донорный раствор для полученияповерхностного источника, содержащийрастворитель 1 тетраэтоксисилан, ката"лизатор и ортофосфорную кислоту со"держит компоненты в следующем количественном соотношении, мас.7:Растворитель 45-62Катализатор 0,2-1,5Тетраэтоксисилан 19,4-28,5Ортофосфорная кислота 70 -ная 18-25.Причем в качестве растворителяиспользуется смесь воды и этиловогоспирта при их объемном соотношенииот 1:30 до 1:6,Соотношение компонентов растворапозволяет получить пленку легированного окисла (после термодеструкции)толщиной около 1 мкм с содержаниемв нем окисла фосфора около 60 мас,Е,которая является практически неограниченным источником фосфора при создании дидйузионных слоев и+-типа толщиной до 200 мкм.В то же время...

Способ формирования сильнолегированных областей в многослойных структурах

Загрузка...

Номер патента: 1098455

Опубликовано: 15.02.1985

Авторы: Нисневич, Локтаев, Марквичева, Писарева, Лопуленко

МПК: H01L 21/225

Метки: многослойных, сильнолегированных, структурах, формирования, областей

...полная. деструкция легированных фосфором и мышьяком пленок происходит при температуре 800 фС, а легированных бором при 1050 С. Поэтому загрузка пластин должна производиться в печь, нагретую на 50-350 С ниже, чем температура диффузии, Если температура загрузки пластин в печь будет ниже более чем на 350 С или менее чем нао50 С по сравнению с температурой диффузии, то в первом случае за счет увеличения длительности нагрева печи до температуры диффузии будет уменьшаться уровень легирования из-за излишнего испарения примесей, а во втором случае сближение температуры деструкции и диффузии ухудшит однородность и воспроизводимость легирования, так как диффузия и деструкция будут происходить одновременно, В зависимости от массы загружаемых...

Раствор для получения поверхностного источника диффузии

Загрузка...

Номер патента: 936743

Опубликовано: 07.02.1985

Авторы: Нисневич, Чернова, Шицель, Колоскова, Пайвель, Локтаев

МПК: H01L 21/225

Метки: диффузии, поверхностного, раствор, источника

...обеспечивает получение гомогенного .раствора со сроком службы более 10 суток, . - Увеличение концентрации эфира ортоборной кислоты более 47 мас.нецелесообразно, так как при этом не увеличивается уровень легирования, а уменьшение ниже 32,2 мас.% - может привести к нарушению гомогенности раствора из-за образования борной кислотыпри избытке воды по отношению к эфиру ортоборной кислоты,. Концентрациятетраэтоксисиланаобеспечивает получение вязкости раствора не менее 5 сСт и связываниелишней воды, содержащейся в растворе 10и растворимых соединениях алюминияили галлия.Количество этилового спирта и воды должно обеспечить растворение соединений легирующих элементов и продуктов гидролиза тетраэтоксисилана,Уменьшение концентрации воды...

Ступень центробежного компрессора

Загрузка...

Номер патента: 1134795

Опубликовано: 15.01.1985

Авторы: Локтаев, Галеркин, Митрофанов

МПК: F04D 17/08

Метки: компрессора, ступень, центробежного

...ул Изобретение относится к компрессоростроению и касается ступеней центробежных компрессоров.Известна ступень центробежного компрессора, содержащая установленные последовательно по ходу потока рабочее колесо, многорядный лопаточный диффузор и осесимметричное обратнонаправляющее устройство 111,Однако в такой ступени значительны аэродинамические потери.Цель изобретения - уменьшение аэродинамических потерь.Указанная цель достигается тем, что в ступени центробежного компрессора, содержащей установленные последовательно по ходу потока рабочее колесо, многорядный лопаточный диффузор и осесимметричное обратнонаправляющее устройство, выходной угол лопаток последнего ряда многорядного лопаточного диффузора составляет 90 - 100 а...

Способ нанесения ниобия на подложку звукопровода

Загрузка...

Номер патента: 864591

Опубликовано: 15.09.1981

Авторы: Локтаев, Кондрашин, Корзо, Черняев, Кологривова

МПК: H04R 23/00

Метки: ниобия, звукопровода, подложку, нанесения

...ниобия - с гиперболы- чески нарастающей интенсивностью в направлении движения ламинарного потока.Нанесение ниобия на подложку эвукопровода согласно предложенному способу происходит следующим образом.Пары реагента ннобия в реакционном 10 объеме облучают ультрафиолетовым активи.рующим излучением. Э то сопровождается конденсацией ниобия на подложку звукоцровода в парах реагента ниобия в реакционном объеме. При этом формированием 15 в парах реагента ниобия ламннарного пото. ка со скоростью расхода 0,01 или 0,04 . л/мин производят нанесение островков ниобия на подложку звукопровода. В момент срастания островков ниобия на подложке эвукопровода прекращают облучение ультрафиолетовым активируюшим излучением и производят формирование стоячей...

Центробежный многоступенчатый компрессор

Загрузка...

Номер патента: 663888

Опубликовано: 25.05.1979

Авторы: Локтаев, Селезнев, Галеркин

МПК: F04D 17/12

Метки: центробежный, многоступенчатый, компрессор

...последней ступени.На фиг. 1 изображен компрессор,продольный разрез; на Фиг. 2 - сечение й-Р. на фиг, 1; на Фиг, 3 - сече"ние Б-Б на Фиг. 1,Компрессор содержит корпус 1, в котором уст ановлены, например, четыре ступени 2, 3, 4 и 5 сжатия с полос тями б, 7, 8 и 9 всасывания и нагнетания, В корпусе симметрично относительно его оси размещены также встроенные промежуточные газоохладители 10, 11 - первой ступени, газоохладители 12 и 13 - второй ступени, газоохладитель 14 - третьей предпоследней ступени и концевой гаэоохладитель 15 - четвертой, последней ступени. Ступени сжатия разделенЫ диафрагмами 16 - 19. Между диафрагмами 18 и 19 предпоследней и последней ступеней установлена перегородка 20, разделяющая полость концевого гаэоохладителя 15...

Тиристор

Загрузка...

Номер патента: 363410

Опубликовано: 25.08.1976

Авторы: Дерменжи, Локтаев, Думаневич, Евсеев, Конюхов

МПК: H01L 21/00

Метки: тиристор

...фронтом на части плошади структуры в состоянии низкой проводимости реализуются повышенные плотности тока, где и происходит первоначально включение тиристора, Как правило, в этой же области тиристорная структура обладает максимапьным значением коэффициента усиления, 15Приборы с такой конструкцией допускают скорости нарастания ансдного напряжения в лучшем спучае до 100 в/мксек,Цель изобретения - повышения стойкости к эффекту ди/1 Ф и устранение самовкпюО чения тиристора эа счет наводок в цепи управпения.В предлагаемом тиристоренимуму ипи вообще устраненываюшие неравномерное распред тока в эак лойную ст разницы в рного р-иециапьной рного р и ственно пр оду.чертеже и тирис тора, и и типа363410 ЮГПОЛЛ Составитель О. ФедюкинаТехредМ....

Контактная плата микросхемы

Загрузка...

Номер патента: 497655

Опубликовано: 30.12.1975

Авторы: Макаров, Малявко, Локтаев, Русаков

МПК: H01K 1/02

Метки: микросхемы, контактная, плата

...равны соответственно 0,5 - 0,7 и 0,7 - 0,8, а отношение ширины,проводника к ширине контакгной площадки 0,5 - 0,6.На чертеже показана предлагаемая контактная плата микросхемы.Контактная плата содержит изолирующую подложку 1, на которой размещены по крайней мере одна металлическая холостая пло щадка 2, ленточные проводники 3 и соединенные с последними Г-образные контактные площадки 4, Каждая холостая площадка 2 выголнена с размещенным на подложке 1 симметричным прямоугольным выступом 5. Отношение ширины прямоугольного выступа 5 к ширине холостой площадки 1 равно 0,5 - 0,7, 5 отношение высоты прямоугольного выступа 5к ширине холостой площадки 2 - 0,7 - 0,8, отношение щирины проводников 3 к ширине соединенных с ними контактных площадок 4 -...

Устройство для измерения магнитных полей

Загрузка...

Номер патента: 454512

Опубликовано: 25.12.1974

Авторы: Дронов, Локтаев

МПК: G01R 33/00

Метки: магнитных, полей

...схема предлагаемого устройства. Устройство содержит датчик и частотную измерительную схему с явтогснератором, Датшк состоит из экранированного корпуса 1, изготовленного, например, из немагтштного проводящего материала, мпкропровода 2, укрепленного в опорах 3 и жестко связанного механически цилиндрическим штоком 4 из нем агнитного материала с металлизировапным электродом 5 пьезопреобразоватепя 6. Последний возбуждают автоге срятором 7, который своГГм выходом вклочсГГ ГГя частотную измерительную схему 8,При внесении в измеряемое мапштнос попс микропровода 2, по которому протекает постоянный по величине и направлешпо ток, ня микропровод действует сила, пропорциональная напряженности магнитного поля. Этя сила через шток 4 воздействует...

Нсьсоюзная

Загрузка...

Номер патента: 385860

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вител, Локтаев

МПК: B65G 47/52

Метки: нсьсоюзная

...рычаге, установленном на подьемно-опускной платформе.На фиг. 1 изображено предлагаемое устройство; на фиг. 2 - отрезок рельсового пути и разрыв трассы конвейера.Устройство содергацт под ьезгно-опускную платформу 1, перемещаемую по вертикальной колонне 2, установле гнои в проеме 3 между кэгсвейерап 4 и б, расположенными на разных этажах.На подъемно-опускной платформе моптирован консольный поворотный рычаг б, на конце которого закреплен отрезок рельсового пути 7, стыкующийся с ходовыми путями соответствующего конвейера. Тележка 8 с грузом 9, подлежац;ая передаче с одного конвейера на 5 другой, закатывается на отрезок пути 7, состыкованный, например, с конвейером 4. Затем отрезок пути вместе с тележкой и грузом поднимается на высоту,...

Полупроводниковое устройство

Загрузка...

Номер патента: 197762

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Зайцев, Свиридов, Икьков, Сакосич, Локтаев, Брунштейн, Данько, Тихонов, Веселова

МПК: H01L 29/74, H02M 5/22

Метки: полупроводниковое

...схема устройства для управления током одного направления.Она содержит положительный полюс 1 источника тока, нагрузку 2, контакт 3 к структуре; четырехслойную 4 и двухслойную 5 структуры; отрицательный полюс б источника тока; контакт 7 к двухслойной структуре; контакт 8 к четырехслойной структуре; источник 9 э. д. с.; управляющий электрод 10.Положительный полюс 1 источника постоянного тока через нагрузку 2 подастся на контакт 8 сложной полупроводниковой структуры, включающей четырехслойнуто 4 и двухслойную 5 структуры. Внепний о-слой структуры 4 н и-слой струк уры 5 соединены контактом, г внешний л-слой структуры 4 и р-слой структуры 5 подводятся к минусовому полюсу б источника тока. Между контакгами 7 и 8, например, путем...