Локтаев

Раствор для диффузионного легирования кремния фосфором

Номер патента: 1480665

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Варданян, Нисневич, Бахшецян, Локтаев

МПК: H01L 21/225

Метки: раствор, кремния, легирования, диффузионного, фосфором

Раствор для диффузионного легирования кремния фосфором, содержащий органический растворитель, ортофосфорную кислоту и пленкообразующий компонент, отличающийся тем, что, с целью повышения уровня легирования диффузионных слоев толщиной более 50 мкм, в качестве пленкообразующего компонента используют эфир германия Ge(OCnH2n+1)4 где 3 n 6, при следующем соотношении компонентов, мас.%:Органический растворитель - 45 - 70Ортофосфорная кислота (70%-ная) - 20 - 40Эфир германия - 5 - 20

Способ изготовления многослойных структур полупроводниковых приборов

Номер патента: 1480664

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Колоскова, Нисневич, Локтаев

МПК: H01L 21/225

Метки: полупроводниковых, приборов, структур, многослойных

Способ изготовления многослойных структур полупроводниковых приборов, включающий очистку пластин кремния, осаждение на одну поверхность пластин пленкообразующего раствора с легирующими примесями, осаждение на другую поверхность пластин кремния пленкообразующего раствора, содержащего этиловый спирт, азотнокислый алюминий, борную кислоту и тетраэтоксисилан, и проведение одновременной диффузии путем термообработки, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения способа для изготовления многослойных структур тиристоров и транзисторов одной термообработкой, проводят осаждение на вторую поверхность пластин кремния пленкообразующего раствора, дополнительно содержащего ортомышьяковую...

Способ диффузии алюминия и галлия в кремниевые пластины

Номер патента: 1593508

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Локтаев, Губарев, Нисневич

МПК: H01L 21/225

Метки: кремниевые, диффузии, пластины, алюминия, галлия

Способ диффузии алюминия и галлия в кремневые пластины, включающий очистку поверхности, осаждение из растворов легированных пленок, складывание пластин одноименными сторонами в стопку, загрузку в окислительной атмосфере в реактор диффузионной печи, нагретой до температуры ниже температуры диффузии, выдержку при этой температуре для проведения деструкции, нагрев до температуры диффузии в потоке газа и термообработку, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров изготавливаемых силовых полупроводниковых структур на основе полированных пластин за счет повышения времени жизни дырок и повышения воспроизводимости легирования, стопку пластин предварительно помещают в заваренный с одного...

Способ изготовления многослойных структур n+pnpp+ типа

Номер патента: 1340476

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Марквичева, Насекан, Локтаев, Грипас, Нисневич, Павлынив

МПК: H01L 21/225

Метки: n+pnpp+, многослойных, типа, структур

1. Способ изготовления многослойных структур n+-p-n-p-p+ типа силовых тиристоров, включающий создание на p-n-p-структуре маскирующей пленки, локальной со стороны катода и сплошной со стороны анода, загонку донорной примеси, полное удаление маскирующей пленки, осаждение на анодную сторону раствора, содержащего соединения бора, складывание пластин в стопку и разгонку, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических параметров тиристора за счет повышения однородности подлегирования бором шунтов и управляющего электрода со стороны катода и создания неоднородного распределения времени жизни неосновных носителей заряда в n-базе, на анодную сторону осаждают раствор,...

Способ приготовления пленкообразующих растворов для получения поверхностного источника диффузии примесей в кремний

Номер патента: 1400376

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Нисневич, Локтаев, Пайвель

МПК: H01L 21/225

Метки: поверхностного, диффузии, пленкообразующих, кремний, примесей, растворов, источника, приготовления

Способ приготовления пленкообразующих растворов для получения поверхностного источника диффузии примесей в кремний, содержащих органический растворитель, воду, катализатор гидролиза тетраэтоксисилана, соединения легирующих примесей и тетраэтоксисилан, включающий растворение части компонентов, включая тетраэтоксисилан; гидролиз тетраэтоксисилана и растворение оставшихся компонентов в растворе гидролизованного тетраэтоксисилана, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров диффузионных слоев за счет повышения вязкости растворов, раствор гидролизованного тетраэтоксисилана перемешивают, нагревая до температуры 50 - 90oC, пока его объем не уменьшится в 1,2 - 2,5 раза.

Способ изготовления омического контакта выпрямительного элемента

Номер патента: 1400378

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Локтаев, Мишанин, Лягущенко

МПК: H01L 21/28

Метки: контакта, омического, элемента, выпрямительного

Способ изготовления омического контакта выпрямительного элемента, включающий помещение припоя алюминиевой основы между кремниевой структурой и электродом и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения обратного напряжения выпрямительного элемента, между поверхностью кремниевой структуры и припоем алюминиевой основы помещают слой силумина заэвтектического состава, термообработку проводят при температуре от 577oC до 0,95 температуры плавления силумина заэвтектического сстава.

Раствор для осаждения пленок алюмосиликатного стекла

Номер патента: 1127483

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Локтаев, Нисневич, Колоскова

МПК: H01L 21/316

Метки: алюмосиликатного, осаждения, пленок, стекла, раствор

Раствор для осаждения пленок алюмосиликатного стекла, содержащий растворитель - этиловый спирт 96o, тетраэтоксисилан, катализатор и азотнокислый алюминий(гидрат) с концентрацией в растворителе более 0,15 г/см3, отличающийся тем, что, с целью увеличения маскирующей способности пленки при диффузии бора и фосфора с поверхностной концентрацией более 1019см-3, отношение массы азотнокислого алюминия к массе тетраэтоксисилана берут равным 1,5 - 4,0, а компоненты в следующем количественном соотношении, мас.%:Этиловый спирт 96o - 60 - 80Азотнокислый алюминий, гидрат - 15 - 32Тетраэтоксисилан - 5 - 10.

Способ изготовления многослойных полупроводниковых структур силовых тиристоров n+-p-n-p-типа

Номер патента: 1176782

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Иванов, Локтаев, Лягушенко, Колоскова, Нисневич, Елисеев

МПК: H01L 21/314

Метки: полупроводниковых, n+-p-n-p-типа, тиристоров, многослойных, силовых, структур

1. Способ изготовления многослойных полупроводниковых структур силовых тиристоров n+-p-n-p-типа, включающий химическую обработку, осаждение из растворов на основе тетраэтоксисилана на обе поверхности кремниевых пластин n-типа проводимости легированных окисных пленок - источников диффузии алюминия и бора, термическую обработку в окислительной среде при температуре 1200 - 1300oC для формирования высоковольтных p-n переходов, создание маскирующей пленки по всей площади пластины, локальное травление маскирующей пленки и формирование n+-областей диффузией фосфора, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и улучшения параметров тиристоров, для создания...

Способ изготовления выпрямительных элементов

Номер патента: 1082233

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Корольков, Сурженков, Нисневич, Колоскова, Фихтенгольц, Кузьмин, Марквичева, Локтаев, Круус, Хуторянский

МПК: H01L 21/24

Метки: элементов, выпрямительных

Способ изготовления выпрямительных элементов силовых полупроводниковых приборов, включающий операции шлифовки и химической очистки пластин кремния, изготовления высоковольтных p-n-переходов и создания омических контактов методом диффузионной сварки, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных приборов, после изготовления высоковольтных p-n-переходов с обеих сторон пластины кремния удаляют нарушенный слой толщиной 5 - 20 мкм.

Манипулятор бурильной установки

Загрузка...

Номер патента: 1760105

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Волосков, Панков, Ажибаев, Локтаев

МПК: E21C 11/02

Метки: бурильной, манипулятор, установки

...подъема и гидроцилиндр-корректор снабжены соответствующими гидромагистралями-входами 16, 21 игидромагистралями-выходами 17, 20, гидрозамки имеют первую гидромагистраль-вход15, 22 и вторую гидромагистраль-выход 17,20, первую гидромагистраль-выход 16, 21 ивторую гидромагистраль-выход 18. 19, а гидрораспределители соответственно - первую гидромагистраль-выход 15, 24 и вторуюгидромагистраль-выход 23, 19.Напорная гидромагистраль 14 черезпервый вход 15 гидрораспределителя 10,первый вход 15 и первый вход 15 и первыйвыход 16 гидрозамка 8 соединена с поршневой полостью гидроцилиндра подъема 6, аштоковая полость этого же гидроцилиндрачерез. второй вход 17 и второй выход 18этого же гидроэамка соединена со вторымвыходом 18 гидрозамка 19, а...

Рабочее колесо центробежного компрессора

Загрузка...

Номер патента: 1613700

Опубликовано: 15.12.1990

Авторы: Галеркин, Локтаев

МПК: F04D 29/28

Метки: колесо, рабочее, компрессора, центробежного

...г. Ужгород, ул. Гагарина, 1 О 1 3Изобретение относится к компрессоростроению и может быть использовано в рабочих колесах центробежных компрессоров.Цель изобретения - повышение КПД компрессора.На чертеже показано колесо, поперечный разрез.Рабочее колесо содержит несущий диск 1 и расположенные на нем рабочие лопатки 2 постоянной толщины. Выходной участок 3 каждой лопатки 2 имеет переменный угол рУц между средней линией 4 и касательной 5 к окружности на текущем радиусе г; колеса, выполненный по квадратичной параболе, Угол р-.уц на входном участке 6 11 выходном участке 3 определяется соответс 1 гвенно из уравнений; иР" уц = Вв+А(Рл 2 - рад) Х(Г - Г 1) - В ( Г 2 - Г 1) 21А) Г (1 - В) (Г, - г,)где Рлд и Рл 2 - углы входа,и выхода...

Высоковольтный тиристор

Загрузка...

Номер патента: 1455952

Опубликовано: 30.09.1990

Авторы: Локтаев, Агаларзаде, Мартыненко, Буякина, Астафьев, Куузик

МПК: H01L 29/74

Метки: высоковольтный, тиристор

...параллельной главной поверхности и являющейся серединой и-базового слоя 5. Главная поверхностьпересекает краевую конусообразную поверхность 3 под углом = 30-35При подаче обратного напряжения на структуру образуется слой объемного заряда по обе стороны заблокированного р-п-перехода, границы которого выходят на торцовую поверхность структуры. Если в объеме структуры максимальное значение блокируемого напряжения определяется шириной и-области и электрической прочностью полупроводникового материала, то на ее поверхности в месте выхода р-и-перехода вследствие резкого сужения ширЙгТираж 450," венного комитета по 113035, Иосква, Ж-З ГКНТ ССС Проиэводствен ательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101 з 145 нц области...

Способ контроля сети связи

Загрузка...

Номер патента: 1425857

Опубликовано: 23.09.1988

Авторы: Нихаев, Локтаев, Медведев, Шулькин, Яхонтов

МПК: H04B 3/46

Метки: сети, связи

...об исправности этого тракта, Таким образом, неполучение в зонд-сигналах номера 12 означает неисправное состояние тракта 12. Если после аварии тракта 12 и передачи всех соответствующих зонд-сигналов выйдет из строя, например, тракт 9, то на узле 5 принятый зонд-сигнал, дополненный номером тракта 11, передается на узел 4 по тракту 11 и далее на узел 1 по тракту 8, т.е. зонд-сигнал несет на узел 1 информацию об исправности трактов 11 и 8.Устройство, реализующее предложенный способ, работает следующим образом.При отказе или восстановлении тракта в соответствующем разряде регистра 17 контрольных сигналов, число разрядов которого равно числу инцидентных трактов передачи, появляется кратковременно "1", а затем восста навливается "0", в...

Устройство для регулирования натяжения ременной передачи

Загрузка...

Номер патента: 1224493

Опубликовано: 15.04.1986

Авторы: Галеркин, Локтаев

МПК: F16H 7/08, F04D 25/06

Метки: ременной, натяжения, передачи

...машины, выполненной в виде компрессора 5, содержит пневматический отжимной элемент и подключенный к нему подводящий трубопровод 6, а также вентиль 7 сброса давления, клапан 8 максимального давления и обратный клапан 9, Трубопровод 6 через обратный клапан 9 подсоединен к линии 10 нагнетания компрессора 5, а отжимной элемент выполнен в виде сильфонов 11, расположенных между электродвигателем 4 и компрессором 5 и сообщенных с атмосферой через ветиль 7 сброса и клапан 8 максимального давления.Кроме того, устройство может содержать обводной трубопровод 12 с дифференциальным клапаном 13, подсоединенный к подводящему трубопро" воду параллельно обратному клапану 9, а также дополнительный источник провод с дифференциальным клапаном,...

Раствор для получения источника диффузии донорной примеси

Загрузка...

Номер патента: 669695

Опубликовано: 23.03.1986

Авторы: Локтаев, Лягущенко, Нисневич, Марквичева, Петрова, Берлин

МПК: C30B 31/06

Метки: диффузии, примеси, источника, раствор, донорной

...при диффузии,происходит уменьшение поверхностной концентрации фосфора ниже требуемых значений.Тетраэтоксисилан 7 - 19Кроме того, раствор может содержать азотнокислые соли элементов 111 группы главной подгруппы при содержании азотной кислоты 0,2-1,0 мас.7 или элементов 11 группы главной подгруппы при содержании азотной кислоты 1,0-9,0 мас. .При приготовлении раствора в эти-, ловом спирте растворяют сначала азотнокислые соли элементов, затем ортофосфорную кислоту. При этом часто выпадают в осадок фосфаты элементов, которые затем растворяются при введении в раствор азотной кислоты.П р и м е р. Было испытано несколько растворов для получения источника диффузии (составы представлены в табл.1-3), которые наносят на поверхность пластин...

Донорный раствор для получения поверхностного источника диффузии

Загрузка...

Номер патента: 1040975

Опубликовано: 23.04.1985

Авторы: Щицель, Локтаев, Нисневич, Пайвель

МПК: H01L 21/225

Метки: диффузии, поверхностного, источника, раствор, донорный

...тем,что донорный раствор для полученияповерхностного источника, содержащийрастворитель 1 тетраэтоксисилан, ката"лизатор и ортофосфорную кислоту со"держит компоненты в следующем количественном соотношении, мас.7:Растворитель 45-62Катализатор 0,2-1,5Тетраэтоксисилан 19,4-28,5Ортофосфорная кислота 70 -ная 18-25.Причем в качестве растворителяиспользуется смесь воды и этиловогоспирта при их объемном соотношенииот 1:30 до 1:6,Соотношение компонентов растворапозволяет получить пленку легированного окисла (после термодеструкции)толщиной около 1 мкм с содержаниемв нем окисла фосфора около 60 мас,Е,которая является практически неограниченным источником фосфора при создании дидйузионных слоев и+-типа толщиной до 200 мкм.В то же время...

Способ формирования сильнолегированных областей в многослойных структурах

Загрузка...

Номер патента: 1098455

Опубликовано: 15.02.1985

Авторы: Нисневич, Лопуленко, Марквичева, Писарева, Локтаев

МПК: H01L 21/225

Метки: формирования, областей, структурах, сильнолегированных, многослойных

...полная. деструкция легированных фосфором и мышьяком пленок происходит при температуре 800 фС, а легированных бором при 1050 С. Поэтому загрузка пластин должна производиться в печь, нагретую на 50-350 С ниже, чем температура диффузии, Если температура загрузки пластин в печь будет ниже более чем на 350 С или менее чем нао50 С по сравнению с температурой диффузии, то в первом случае за счет увеличения длительности нагрева печи до температуры диффузии будет уменьшаться уровень легирования из-за излишнего испарения примесей, а во втором случае сближение температуры деструкции и диффузии ухудшит однородность и воспроизводимость легирования, так как диффузия и деструкция будут происходить одновременно, В зависимости от массы загружаемых...

Раствор для получения поверхностного источника диффузии

Загрузка...

Номер патента: 936743

Опубликовано: 07.02.1985

Авторы: Локтаев, Пайвель, Нисневич, Чернова, Шицель, Колоскова

МПК: H01L 21/225

Метки: раствор, диффузии, источника, поверхностного

...обеспечивает получение гомогенного .раствора со сроком службы более 10 суток, . - Увеличение концентрации эфира ортоборной кислоты более 47 мас.нецелесообразно, так как при этом не увеличивается уровень легирования, а уменьшение ниже 32,2 мас.% - может привести к нарушению гомогенности раствора из-за образования борной кислотыпри избытке воды по отношению к эфиру ортоборной кислоты,. Концентрациятетраэтоксисиланаобеспечивает получение вязкости раствора не менее 5 сСт и связываниелишней воды, содержащейся в растворе 10и растворимых соединениях алюминияили галлия.Количество этилового спирта и воды должно обеспечить растворение соединений легирующих элементов и продуктов гидролиза тетраэтоксисилана,Уменьшение концентрации воды...

Ступень центробежного компрессора

Загрузка...

Номер патента: 1134795

Опубликовано: 15.01.1985

Авторы: Локтаев, Галеркин, Митрофанов

МПК: F04D 17/08

Метки: компрессора, центробежного, ступень

...ул Изобретение относится к компрессоростроению и касается ступеней центробежных компрессоров.Известна ступень центробежного компрессора, содержащая установленные последовательно по ходу потока рабочее колесо, многорядный лопаточный диффузор и осесимметричное обратнонаправляющее устройство 111,Однако в такой ступени значительны аэродинамические потери.Цель изобретения - уменьшение аэродинамических потерь.Указанная цель достигается тем, что в ступени центробежного компрессора, содержащей установленные последовательно по ходу потока рабочее колесо, многорядный лопаточный диффузор и осесимметричное обратнонаправляющее устройство, выходной угол лопаток последнего ряда многорядного лопаточного диффузора составляет 90 - 100 а...

Способ нанесения ниобия на подложку звукопровода

Загрузка...

Номер патента: 864591

Опубликовано: 15.09.1981

Авторы: Кондрашин, Кологривова, Черняев, Корзо, Локтаев

МПК: H04R 23/00

Метки: звукопровода, ниобия, подложку, нанесения

...ниобия - с гиперболы- чески нарастающей интенсивностью в направлении движения ламинарного потока.Нанесение ниобия на подложку эвукопровода согласно предложенному способу происходит следующим образом.Пары реагента ннобия в реакционном 10 объеме облучают ультрафиолетовым активи.рующим излучением. Э то сопровождается конденсацией ниобия на подложку звукоцровода в парах реагента ниобия в реакционном объеме. При этом формированием 15 в парах реагента ниобия ламннарного пото. ка со скоростью расхода 0,01 или 0,04 . л/мин производят нанесение островков ниобия на подложку звукопровода. В момент срастания островков ниобия на подложке эвукопровода прекращают облучение ультрафиолетовым активируюшим излучением и производят формирование стоячей...

Центробежный многоступенчатый компрессор

Загрузка...

Номер патента: 663888

Опубликовано: 25.05.1979

Авторы: Галеркин, Локтаев, Селезнев

МПК: F04D 17/12

Метки: компрессор, центробежный, многоступенчатый

...последней ступени.На фиг. 1 изображен компрессор,продольный разрез; на Фиг. 2 - сечение й-Р. на фиг, 1; на Фиг, 3 - сече"ние Б-Б на Фиг. 1,Компрессор содержит корпус 1, в котором уст ановлены, например, четыре ступени 2, 3, 4 и 5 сжатия с полос тями б, 7, 8 и 9 всасывания и нагнетания, В корпусе симметрично относительно его оси размещены также встроенные промежуточные газоохладители 10, 11 - первой ступени, газоохладители 12 и 13 - второй ступени, газоохладитель 14 - третьей предпоследней ступени и концевой гаэоохладитель 15 - четвертой, последней ступени. Ступени сжатия разделенЫ диафрагмами 16 - 19. Между диафрагмами 18 и 19 предпоследней и последней ступеней установлена перегородка 20, разделяющая полость концевого гаэоохладителя 15...

Тиристор

Загрузка...

Номер патента: 363410

Опубликовано: 25.08.1976

Авторы: Дерменжи, Евсеев, Думаневич, Конюхов, Локтаев

МПК: H01L 21/00

Метки: тиристор

...фронтом на части плошади структуры в состоянии низкой проводимости реализуются повышенные плотности тока, где и происходит первоначально включение тиристора, Как правило, в этой же области тиристорная структура обладает максимапьным значением коэффициента усиления, 15Приборы с такой конструкцией допускают скорости нарастания ансдного напряжения в лучшем спучае до 100 в/мксек,Цель изобретения - повышения стойкости к эффекту ди/1 Ф и устранение самовкпюО чения тиристора эа счет наводок в цепи управпения.В предлагаемом тиристоренимуму ипи вообще устраненываюшие неравномерное распред тока в эак лойную ст разницы в рного р-иециапьной рного р и ственно пр оду.чертеже и тирис тора, и и типа363410 ЮГПОЛЛ Составитель О. ФедюкинаТехредМ....

Контактная плата микросхемы

Загрузка...

Номер патента: 497655

Опубликовано: 30.12.1975

Авторы: Малявко, Макаров, Локтаев, Русаков

МПК: H01K 1/02

Метки: микросхемы, контактная, плата

...равны соответственно 0,5 - 0,7 и 0,7 - 0,8, а отношение ширины,проводника к ширине контакгной площадки 0,5 - 0,6.На чертеже показана предлагаемая контактная плата микросхемы.Контактная плата содержит изолирующую подложку 1, на которой размещены по крайней мере одна металлическая холостая пло щадка 2, ленточные проводники 3 и соединенные с последними Г-образные контактные площадки 4, Каждая холостая площадка 2 выголнена с размещенным на подложке 1 симметричным прямоугольным выступом 5. Отношение ширины прямоугольного выступа 5 к ширине холостой площадки 1 равно 0,5 - 0,7, 5 отношение высоты прямоугольного выступа 5к ширине холостой площадки 2 - 0,7 - 0,8, отношение щирины проводников 3 к ширине соединенных с ними контактных площадок 4 -...

Устройство для измерения магнитных полей

Загрузка...

Номер патента: 454512

Опубликовано: 25.12.1974

Авторы: Дронов, Локтаев

МПК: G01R 33/00

Метки: полей, магнитных

...схема предлагаемого устройства. Устройство содержит датчик и частотную измерительную схему с явтогснератором, Датшк состоит из экранированного корпуса 1, изготовленного, например, из немагтштного проводящего материала, мпкропровода 2, укрепленного в опорах 3 и жестко связанного механически цилиндрическим штоком 4 из нем агнитного материала с металлизировапным электродом 5 пьезопреобразоватепя 6. Последний возбуждают автоге срятором 7, который своГГм выходом вклочсГГ ГГя частотную измерительную схему 8,При внесении в измеряемое мапштнос попс микропровода 2, по которому протекает постоянный по величине и направлешпо ток, ня микропровод действует сила, пропорциональная напряженности магнитного поля. Этя сила через шток 4 воздействует...

Нсьсоюзная

Загрузка...

Номер патента: 385860

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Локтаев, Вител

МПК: B65G 47/52

Метки: нсьсоюзная

...рычаге, установленном на подьемно-опускной платформе.На фиг. 1 изображено предлагаемое устройство; на фиг. 2 - отрезок рельсового пути и разрыв трассы конвейера.Устройство содергацт под ьезгно-опускную платформу 1, перемещаемую по вертикальной колонне 2, установле гнои в проеме 3 между кэгсвейерап 4 и б, расположенными на разных этажах.На подъемно-опускной платформе моптирован консольный поворотный рычаг б, на конце которого закреплен отрезок рельсового пути 7, стыкующийся с ходовыми путями соответствующего конвейера. Тележка 8 с грузом 9, подлежац;ая передаче с одного конвейера на 5 другой, закатывается на отрезок пути 7, состыкованный, например, с конвейером 4. Затем отрезок пути вместе с тележкой и грузом поднимается на высоту,...

Полупроводниковое устройство

Загрузка...

Номер патента: 197762

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Тихонов, Брунштейн, Икьков, Сакосич, Свиридов, Данько, Зайцев, Локтаев, Веселова

МПК: H01L 29/74, H02M 5/22

Метки: полупроводниковое

...схема устройства для управления током одного направления.Она содержит положительный полюс 1 источника тока, нагрузку 2, контакт 3 к структуре; четырехслойную 4 и двухслойную 5 структуры; отрицательный полюс б источника тока; контакт 7 к двухслойной структуре; контакт 8 к четырехслойной структуре; источник 9 э. д. с.; управляющий электрод 10.Положительный полюс 1 источника постоянного тока через нагрузку 2 подастся на контакт 8 сложной полупроводниковой структуры, включающей четырехслойнуто 4 и двухслойную 5 структуры. Внепний о-слой структуры 4 н и-слой струк уры 5 соединены контактом, г внешний л-слой структуры 4 и р-слой структуры 5 подводятся к минусовому полюсу б источника тока. Между контакгами 7 и 8, например, путем...