Костенко

Способ окисления пластин кремния

Загрузка...

Номер патента: 1099782

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Румак, Куксо, Костенко, Хатько, Канищев, Пухов

МПК: H01L 21/316

Метки: кремния, пластин, окисления

Способ окисления пластин кремния, включающий нагрев пластин до температуры окисления (900-1150)°С, выдержку при этой температуре в атмосфере сухого кислорода при нормальном давлении и охлаждение до комнатной температуры, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества окисла путем снижения количества микропор на границе кремний - окисел, выдержку предварительно осуществляют при давлении (10-4-10-6) мм рт.ст. в течение (1-2) мин, а затем при давлении (101 -10-4) мм рт.ст. до получения слоя окисла толщиной (20-25) нм.

Способ обработки полупроводниковых пластин и устройство для его осуществления

Загрузка...

Номер патента: 786715

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Бобков, Костенко, Гурский, Румак, Снитовский, Сергеев

МПК: H01L 21/306

Метки: полупроводниковых, пластин

1. Способ обработки полупроводниковых пластин, включающий погружение пластин в ванну с рабочей жидкостью и пропускание через нее газа, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности обработки и качества обработки пластин, к пластинам прикладывают низкочастотные колебания и сообщают им вращение в горизонтальной и возвратно-поступательное движение в вертикальной плоскости, перед пропусканием через рабочую жидкость газ нагревают до температуры ее кипения, затем после полной десорбции примесей с пластин вытесняют рабочую жидкость потоком воды и продолжают ее подачу до полной отмывки пластин, после чего повышают давление газа для вытеснения воды и производят его подачу до...

Струйный датчик угловой скорости

Загрузка...

Номер патента: 1005560

Опубликовано: 20.08.2005

Авторы: Михеев, Костюков, Костенко, Ференец, Кравченко, Мирошников, Антонов, Шеянов

МПК: G01P 3/26

Метки: скорости, угловой, датчик, струйный

1. Струйный датчик угловой скорости, содержащий корпус, нагнетатель, замкнутую газовую цепь, состоящую из формирующего сопла, рабочей камеры и отверстий в корпусе, связывающих рабочую камеру с нагнетателем, чувствительные элементы, выполненные в виде двух металлических нитей, укрепленных на двух токоподводах-держателях и подключенных к схеме обеспечения режима постоянного сопротивления чувствительных элементов, устройство выделения информативного сигнала и винты установки пневмонуля, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, в него введены дополнительные токоподводы-держатели, по два к каждой нити, корректирующий резистор и устройство стабилизации тока чувствительных элементов,...

Струйный датчик угловой скорости

Загрузка...

Номер патента: 1082127

Опубликовано: 20.08.2005

Авторы: Костенко, Мирошников, Кравченко, Ференец, Шеянов, Антонов

МПК: G01P 3/26

Метки: струйный, скорости, угловой, датчик

1. Струйный датчик угловой скорости, содержащий корпус, в котором образован замкнутый газовый канал, в котором последовательно расположены нагнетатель, формирующее сопло, участки обратного тока газа и рабочая камера с установленными в ней дифференциально соединенными термочувствительными элементами, которые связаны с источником режимного тока и подключены к входам выходного усилителя, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, он дополнительно снабжен двумя источниками тока, задатчиком температуры, сумматором и схемой сравнения, при этом выход термочувствительных элементов через сумматор подключен к первому входу схемы сравнения, выход первого источника тока соединен с задатчиком...

Способ определения ошибки гироскопа от перегрузки

Загрузка...

Номер патента: 849839

Опубликовано: 20.08.2005

Авторы: Костенко, Шеянов

МПК: G01C 25/00

Метки: перегрузки, ошибки, гироскопа

Способ определения ошибки гироскопа от перегрузки при испытании на центрифуге в режиме обратной связи по моменту, включающий установку гироскопа на центрифуге выходной осью параллельно оси вращения центрифуги, вращение ротора гиродвигателя, вращение центрифуги и измерение выходного сигнала гироскопа, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, измерение выходного сигнала производят при двух скоростях вращения ротора гиродвигателя при наличии и отсутствии перегрузки, причем величину ошибки вычисляют по формуле: ,где I - ошибка гироскопа от перегрузки;I1 , I2 - выходной...

Состав фоточувствительного слоя гибкого электрофотографического материала

Номер патента: 1393141

Опубликовано: 20.09.2000

Авторы: Костенко, Перельман, Кошелев, Бойко, Орлова, Гребенюк

МПК: G03G 5/07

Метки: состав, слоя, гибкого, фоточувствительного, электрофотографического

Состав фоточувствительного слоя гибкого электрофотографического материала, включающий органический фотопроводник - 3-бром- или 3,6-дибром-, или 1,3,6-трибром, или 3,6-дихлорполи-N-(2,3-эпоксипропил)карбазол, или сополимер 3,6-дибром-N-эпоксипропилкарбазола с бутилглицидиловым эфиром при соотношении мономеров, соответственно равном 90 - 92 : 8 - 10, и сенсибилизатор, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества слоя для повышения его общей фоточувствительности, он дополнительно содержит сополимер винилацетата с этиленом совместно с N-алкилкарбазолом с C8-C10 или ангидридом фталевой или малеиновой кислоты при следующем соотношении компонентов, мас. %:

Буровой раствор

Номер патента: 1238377

Опубликовано: 27.05.1999

Авторы: Левицкий, Джанмамедов, Смольнякова, Черняховский, Бадалов, Костенко

МПК: C09K 7/02

Метки: буровой, раствор

Буровой раствор, содержащий глину, углещелочной реагент, гипан, углеводородную жидкость, хлорид натрия и воду, отличающийся тем, что, с целью повышения термостойкости до 255oC, он дополнительно содержит хлориды кальция и магния, двунатриевую соль этилендиаминотетрауксусной кислоты (трилон Б), гидроксид натрия и сульфат металла, выбранного из группы: медь, алюминий, железо, хром при следующем соотношении компонентов, мас.%:Глина - 3,0 - 15,0Углещелочной реагент - 0,65 - 0,75Гипан - 1,04 - 1,20Трилон Б - 0,020 - 0,125Гидроксид натрия - 0,6 - 0,8Хорид натрия - 28,0 - 30,0Хлорид кальция - 0,25 - 0,5Хлорид магния - 0,25 - 0,5

Буровой раствор

Номер патента: 1271047

Опубликовано: 27.04.1999

Авторы: Смольнякова, Бадалов, Костенко, Черняховский

МПК: C09K 7/02

Метки: буровой, раствор

Буровой раствор, содержащий глину, карбоксиметилцеллюлозу (КМЦ), хлориды кальция, магния, натрия и воду, отличающийся тем, что, с целью снижения водоотдачи раствора при температуре до 250oС, он дополнительно содержит углеводородную жидкость, гидроксид натрия и двунатриевую соль этилендиаминтетрауксусной кислоты (трилон Б) при следующем соотношении компонентов, мас. %:Глина - 3,0 - 10,0КМЦ - 2,6 - 3,0Трилон Б - 0,1 - 0,125Гидроксид натрия - 0,7 - 1,0Хлорид натрия - 28,0 - 30,0Хлорид кальция - 0,25 - 0,5Хлорид магния - 0,25 - 0,5Углеводородная жидкость - 20,0 - 50,0Вода - Остальное

Тампонажный раствор

Номер патента: 1637406

Опубликовано: 20.04.1999

Авторы: Петраков, Костенко, Ледовский, Кулиев, Нагорнова, Никифорова, Мосиенко, Яныков

МПК: E21B 33/138

Метки: раствор, тампонажный

Тампонажный раствор, включающий тампонажный портландцемент, карбоксиметилцеллюлозу, воду и добавку, отличающийся тем, что, с целью улучшения реологических свойств за счет снижения динамического напряжения сдвига и повышения тиксотропии при одновременном снижении водоотдачи, он в качестве добавки содержит сульфат натрия при следующем соотношении компонентов, мас. %:Тампонажный портландцемент - 62,0 - 64,0Карбоксиметилцеллюлоза - 0,19 - 0,37Сульфат натрия - 0,38 - 0,77Вода - Остальное

Бутиловые эфиры 2, 7-динитрофлуорен-4-карбоновых кислот сенсибилизаторы фотопроводимости карбазолсодержащих полимеров

Номер патента: 1241673

Опубликовано: 27.02.1999

Авторы: Костенко, Андриевский, Мысык, Ромашев, Перепичка

МПК: G03G 5/00, C07C 205/61, C07C 205/57 ...

Метки: полимеров, сенсибилизаторы, фотопроводимости, эфиры, 7-динитрофлуорен-4-карбоновых, карбазолсодержащих, кислот, бутиловые

Бутиловые эфиры 2,7-динитрофлуорен-4-карбоновых кислот структурной формулыгде X = O, C(CN)2 - сенсибилизаторы фотопроводимости карбазолсодержащих полимеров.

Способ получения d, l-камфорной кислоты

Номер патента: 1115410

Опубликовано: 20.02.1999

Авторы: Николаев, Замащиков, Баранова, Васильев, Костенко, Попов

МПК: C07C 61/20, C07C 51/27

Метки: l-камфорной, кислоты

Способ получения D,L-камфорной кислоты путем окисления камфоры азотной кислотой при нагревании, отличающийся тем, что, с целью интенсификации процесса, повышения выхода D,L-камфорной кислоты и сокращения расхода азотной кислоты, окисление проводят в присутствии концентрированной соляной кислоты при температуре 95 - 106oC в среде водной уксусной кислоты при молярном соотношении камфора : азотная кислота : соляная кислота : уксусная кислота, равном 1:6,4-12,7:1-5,2:3,9-7,8 соответственно, причем азотную и соляную кислоты вводят отдельными порциями в ходе процесса.

Пресс-композиция

Номер патента: 1055143

Опубликовано: 20.02.1999

Авторы: Васильев, Попов, Костенко, Прудкай

МПК: B32B 17/00, C08L 63/00

Метки: пресс-композиция

Пресс-композиция, включающая твердую эпоксидиановую смолу, диангидрид пиромеллитовой кислоты и стекловолокнистый наполнитель, отличающаяся тем, что, с целью увеличения жизнеспособности композиции, снижения удельного давления при прессовании и увеличения термостойкости изделий из нее, она дополнительно содержит диоксидиэтиловый эфир диоксидифенилсульфона и стеариновокислый кальций при следующем соотношении компонентов, мас.ч.:Твердая эпоксидиановая смола - 100Диангидрид пиромеллитовой кислоты - 15 - 20Стекловолокнистый наполнитель - 200 - 230Диоксидиэтиловый эфир диоксидифенилсульфона - 5 - 8Стеариновокислый кальций - 7 - 9

Тетрахлор-п-ксилилен-бис-диэтилентриамин как отвердитель для самозатухающих эпоксидных композиций и способ его получения

Номер патента: 1330972

Опубликовано: 20.02.1999

Авторы: Матвеев, Васильев, Дрижд, Попов, Костенко, Прудкай

МПК: C07C 211/00, C08L 63/00

Метки: отвердитель, тетрахлор-п-ксилилен-бис-диэтилентриамин, самозатухающих, эпоксидных, композиций

1. Тетрахлор-п-ксилилен-бис-ди-этилентриамин структурной формулыкак отвердитель для самозатухающих эпоксидных композиций.2. Способ получения тетрахлор-п-ксилилен-бис-диэтилентриамина, отличающийся тем, что тетрахлор-п-ксилилендихлорид подвергают взаимодействию с диэтилентриамином, взятыми в молярном соотношении, равном 1 : 4,2 - 6,5, в среде малополярного органического растворителя, например ксилола, при температуре кипения реакционной смеси.

Эпоксидный пресс-материал

Номер патента: 1269491

Опубликовано: 20.02.1999

Авторы: Костенко, Прудкай, Волошкин

МПК: B32B 27/38, B32B 17/04, C08G 59/40 ...

Метки: пресс-материал, эпоксидный

Эпоксидный пресс-материал, включающий стеклоткань, эпоксидную диановую смолу и отвердитель, отличающийся тем, что, с целью повышения диэлектрических свойств и термостойкости стеклопластика на его основе, он в качестве отвердителя содержит продукт конденсации диангидрида пиромеллитовой кислоты и бис-(3-оксипропил)тетраметилдисилоксана, взятых в молярном соотношении 1 : 0,66 - 1 : 0,5, при следующем соотношении компонентов, мас.ч.:Эпоксидная диановая смола - 100Отвердитель - 38,3 - 55Стеклоткань - 330 - 464,5

Способ получения кристаллического диглицидилового эфира 4, 4-диоксидифенилсульфона

Номер патента: 1251507

Опубликовано: 20.02.1999

Авторы: Кравченко, Васильев, Попов, Костенко

МПК: C07D 301/28, C07D 303/00

Метки: 4-диоксидифенилсульфона, эфира, кристаллического, диглицидилового

Способ получения кристаллического диглицидилового эфира 4,4'-диоксидифенилсульфона путем конденсации 4,4'-диоксидифенилсульфона с эпихлоргидрином при температуре кипения и дегидрохлорирования водным раствором гидроокиси натрия при повышенной температуре, отличающийся тем, что, с целью ускорения и упрощения процесса, конденсацию ведут в присутствии катализатора - насыщенного водного раствора солянокислого триметиламина, затем к реакционной массе добавляют изопропиловый спирт и проводят дегидрохлорирование при 60 - 80oC.

Эпоксидная композиция

Номер патента: 670125

Опубликовано: 20.02.1999

Авторы: Прудкай, Кравченко, Костенко, Попов

МПК: C08L 63/02

Метки: композиция, эпоксидная

Эпоксидная композиция, включающая эпоксидную смолу и ангидридный отвердитель, отличающаяся тем, что, с целью улучшения технологических свойств композиции и увеличения термостойкости материалов на ее основе, композиция дополнительно содержит латентный катализатор - -аминовинилкетон формулыгде X и X' - CH3, C6H5Y - CH3, H, C6H5,при следующем соотношении компонентов, мас.ч.:Эпоксидная смола - 100Ангидридный отвердитель - 26 - 80Латентный катализатор - 0,2 - 1,5

Полимерная пресс-композиция

Номер патента: 892941

Опубликовано: 20.01.1999

Авторы: Перельман, Костенко, Волошкин, Попов, Прудкай

МПК: C08L 63/02

Метки: полимерная, пресс-композиция

Полимерная пресс-композиция, включающая твердую эпоксидиановую смолу, отвердитель и наполнитель, отличающаяся тем, что, с целью повышения термостойкости отвержденных материалов, она дополнительно содержит N-глицидиларилимид формулыгде при следующем соотношении компонентов, мас.ч.:Твердая эпоксидиановая смола - 50 - 80N-Глицидиларилимид - 20 - 50Отвердитель - 15 - 30Наполнитель - 200 - 260^

Оптоэлектронный прибор

Номер патента: 1329510

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Самойлова, Костенко

МПК: H01L 31/12

Метки: прибор, оптоэлектронный

Оптоэлектронный прибор, содержащий излучающий и фотопреобразующий р-n-переходы, оптическую среду между ними и омические контакты к р- и n-областям, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, р- или n-область излучающего и фотопреобразующего p-п-переходов соединены каналом из полупроводника одноименного типа проводимости, что и соединяемые области, при этом на поверхности канала выполнен МДП управляющий затвор.

Туннельный диод

Номер патента: 1003701

Опубликовано: 27.05.1996

Авторы: Пупцев, Климойц, Стрельников, Костенко

МПК: H01L 29/88

Метки: туннельный, диод

Туннельный диод, содержащий области p- и n-типа, образующие p - n-переход, сформированный в эпитаксиальном n-слое, нанесенном на полупроводниковую подложку и омические контакты к p- и n-областям, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей диода, со стороны подложки до базовой области выполнен паз, причем в пазе, а также на эпитаксиальном слое между омическими контактами к p- и n-областям над базой расположены изолированные электроды.

Полупроводниковый диод

Номер патента: 858490

Опубликовано: 27.05.1996

Авторы: Костенко, Расторгуев

МПК: H01L 23/52

Метки: полупроводниковый, диод

1. Полупроводниковый диод, содержащий корпус с расположенной на его основании полупроводниковой пластиной с плоскостным p-n переходом и контактной площадкой, к которой прижат S-образный пружинный вывод, соединенный с изолированно укрепленным в корпусе внешним выводом, отличающийся тем, что, с целью повышения срока службы и расширения функциональных возможностей со стороны контактной площадки, S-образный вывод жестко соединен с биметаллической пластиной, закрепленной на торцах.2. Полупроводниковый диод по п.1, отличающийся тем, что, с целью регулирования чувствительности к тепловому воздействию, биметаллическая пластина соединена с регулировочным винтом, вмонтированным в корпус.

Свч-прибор

Номер патента: 714968

Опубликовано: 20.05.1996

Авторы: Баранцева, Костенко

МПК: H01L 29/41

Метки: свч-прибор

СВЧ прибор на основе арсенида галлия, снабженный двумя электродами с омическими контактами и параллельно им расположенными двумя электродами с барьером Шоттки, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия, параллельно электродам с барьером Шоттки вне области распространения бегущей волны выполнены управляющие электроды, расположенные симметрично относительно вертикальной оси прибора.

Свч-прибор

Номер патента: 766464

Опубликовано: 20.05.1996

Авторы: Баранцева, Костенко

МПК: H01L 29/41

Метки: свч-прибор

СВЧ прибор на основе арсенида галлия, снабженный двумя электродами с омическими контактами и параллельно им расположенными двумя электродами с барьерами Шоттки и двумя управляющими электродами, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, управляющие электроды расположены над областью распространения бегущей волны симметрично относительно горизонтальной оси прибора.

Диод шоттки

Номер патента: 1037809

Опубликовано: 20.05.1996

Авторы: Баранцева, Костенко

МПК: H01L 29/47

Метки: шоттки, диод

Диод Шоттки, содержащий эпитаксиальный слой полупроводника, расположенный на полуизолирующей подложке, сформированные к эпитаксиальному слою контакт с барьером Шоттки и омический контакт, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия и снижения величины, рассеиваемой мощности, он дополнительно содержит управляющий электрод и диэлектрическую пленку, при этом в подложке под контактом Шоттки до эпитаксиального слоя выполнено углубление, в котором расположен управляющий электрод, изолированный от эпитаксиального слоя и подложки диэлектрической пленкой.

Устройство для сближения объекта с намагниченным телом

Номер патента: 1708066

Опубликовано: 20.05.1996

Авторы: Костенко, Горностаев, Герман, Клименко

МПК: G01R 33/02

Метки: телом, сближения, объекта, намагниченным

Устройство для сближения объекта с намагниченным телом, содержащее модульный магнитометр, блок навигационных датчиков, блок управления объектом и блок управления движением, отличающееся тем, что, с целью сокращения времени сближения, в него введены векторный магнитометр и блок определения направления и точки траверза, первый и второй входы которого соединены с выходом векторного магнитометра и выходом модульного магнитометра соответственно, первый и второй выходы соединены соответственно с первым и вторым входами блока управления объектом, а третий вход с первым выходом блока управления объектом, второй и третий выходы которого соединены соответственно с первым и вторым входами блока управления движением, а третий и четвертый входы -...

Биполярный транзистор

Номер патента: 1091783

Опубликовано: 10.05.1996

Авторы: Костенко, Баранцева

МПК: H01L 29/73

Метки: биполярный, транзистор

БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий полупроводниковую подложку, на которой расположена планарная транзисторная структура с чередующимся типом проводимости, включающая области эмиттера, базы и коллектора, причем область коллектора содержит приповерхностную высоколегированную зону, отличающийся тем, что, с целью обеспечения регулирования коэффициента усиления и расширения функциональных возможностей, в структуре выполнен паз, дно которого расположено в области коллектора, а области эмиттера и базы ограничены одной из стенок паза, на стенках паза сформированы слой диэлектрика и электрод, причем последний является полевым по отношению к области коллектора.

Фототранзистор

Номер патента: 862753

Опубликовано: 10.05.1996

Авторы: Клименко, Костенко

МПК: H01L 29/76, H01L 31/10

Метки: фототранзистор

ФОТОТРАНЗИСТОР на основе МДП структуры, содержащий полупроводниковую подложку, одна из поверхностей которой является чувствительной к излучению, с областями стока, истока и канала, на которой сформирован слой диэлектрика и электрод затвора, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, поверхность подложки, свободная от диэлектрика, является чувствительной к излучению и имеет пазы над областью канала, площадь сечения каждого из которых удовлетворяет следующему соотношению:гдеS1 площадь сечения паза;S площадь канала;n число пазов,а диаметр паза и расстояние между соседними пазами не менее чем на порядок...

P-i-n-диод

Номер патента: 1120886

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Костенко, Баранцева

МПК: H01L 29/08

Метки: p-i-n-диод

P-i-n-ДИОД, содержащий сильнолегированные p+ и n+-области и омические контакты к ним, сформированные в приповерхностной области с одной стороны высокоомного кристалла полупроводника, отличающийся тем, что, с целью снижения величины напряжения смещения и расширения функциональных возможностей, дополнительно сформированы два изолированных полевых электрода, один из которых расположен между высоколегированными областями, а другой на противоположной стороне кристалла.

Интегральная микросхема

Номер патента: 1263148

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Костенко, Шумильский

МПК: H01L 23/26

Метки: интегральная, микросхема

ИНТЕГРАЛЬНАЯ МИКРОСХЕМА в корпусе с контактными площадками, имеющими внутреннюю полость, содержащая пассивные и активные элементы, выполненные в кристалле полупроводника, отличающаяся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей и упрощения системы отключения микросхемы при перегреве, кристалл полупроводника расположен между контактными площадками корпуса и С-образной металлической лентой, жестко соединен с большей стороной этой ленты, причем криволинейные участки С-образной металлической ленты выполнены биметаллическими.

Состав для получения влагостойкого и высокотеплоемкого теплоаккумулирующего материала

Номер патента: 1734368

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Костенко, Чеников

МПК: C09K 5/06

Метки: теплоаккумулирующего, влагостойкого, высокотеплоемкого, состав

СОСТАВ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ВЛАГОСТОЙКОГО И ВЫСОКОТЕПЛОЕМКОГО ТЕПЛОАККУМУЛИРУЮЩЕГО МАТЕРИАЛА, включающий влагостойкий фазопереходный наполнитель на основе воска, эпоксидную смолу с отвердителем и органофильный аэросил, отличающийся тем, что, с целью повышения тепловой емкости при сохранении удерживающих свойств полимерной матрицы при повышенных температурах, состав содержит в качестве фазопереходного наполнителя торфяной воск при следующем соотношении компонентов, мас.%:Торфяной воск - 68 - 77Органофильный аэросил - 7 - 11Эпоксидная смола с отвердителем - 12 - 25

Состав для получения теплоаккумулирующего материала

Номер патента: 1658630

Опубликовано: 20.03.1996

Авторы: Чеников, Костенко

МПК: C09K 5/06

Метки: теплоаккумулирующего, состав

СОСТАВ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕПЛОАККУМУЛИРУЮЩЕГО МАТЕРИАЛА, включающий полиэтиленгликоль и отверждаемое связующее, отличающийся тем, что, с целью улучшения теплового контакта с термостатируемыми элементами путем уменьшения вязкости наносимого материала при сохранении его тепловой емкости, он в качестве отверждаемого связующего содержит эпоксидную смолу с отвердителем и дополнительно - горный воск при следующем соотношении компонентов, мас.%:Горный воск - 33 - 62Полиэтиленгликоль - 22 - 40Эпоксидная смола с отвердителем - 16 - 27