Коршунов

Способ нанесения полиимидного покрытия на подложку

Загрузка...

Номер патента: 1786963

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Сенько, Воробьев, Кульгачев, Коршунов, Снитовский

МПК: H01L 21/22

Метки: подложку, полиимидного, нанесения, покрытия

Способ нанесения полиимидного покрытия на подложку, включающий обработку подложки и формирование слоя полиимидной смолы, отличающийся тем, что, с целью повышения качества покрытия, обработку подложки осуществляют в плазме, содержащей ионы фтора, в течение 1-100 с, а перед формированием слоя полиимидной смолы подложку выдерживают в атмосфере, содержащей аммиак в течение 1-1000 с.

Способ формирования рисунка в полиимидной пленке

Загрузка...

Номер патента: 1757395

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Кульгачев, Воробьев, Снитовский, Коршунов, Сенько

МПК: H01L 21/268

Метки: рисунка, полиимидной, пленке, формирования

Способ формирования рисунка в полиимидной пленке, включающий нанесение на полупроводниковую подложку пленки полиамидной смолы, обработку участков пленки и травление не обработанных участков пленки, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости за счет исключения фотолитографии, обработку проводят путем одновременного фотонного облучения дозой не менее 0,6 МДж·м-2 при мощности потока излучения (0,01-2,0) МДж·с-1 ·м-2 и нагрева подложки до температуры не менее 80°С.

Активная среда для лазеров на растворах органических соединений

Загрузка...

Номер патента: 784692

Опубликовано: 27.12.2006

Авторы: Захаров, Тартаковский, Зволинский, Коршунов, Игнатов, Юдашкин

МПК: H01S 3/213

Метки: активная, органических, соединений, растворах, среда, лазеров

Активная среда для лазеров на растворах органических соединений, представляющая собой раствор битиофенового ряда в полярных растворителях, отличающаяся тем, что, с целью расширения диапазона перестройки частоты в видимом и ближнем ИК диапазонах, повышения кпд лазера и фотостабильности, в качестве соединения битиофенового ряда использован 3-(5'-N-ацетиламино-2,2'-битиофен-5)-1-(2,2'-битенил-5)-пропен-2-он-1 общей формулы с концентрацией растворов 1·10-4 - 5·10-3 моль/л.

Активная среда для жидкостных лазеров

Загрузка...

Номер патента: 696938

Опубликовано: 27.12.2006

Авторы: Юдашкин, Тартаковский, Захаров, Игнатов, Зволинский, Коршунов

МПК: H01S 3/213

Метки: среда, лазеров, жидкостных, активная

Активная среда для жидкостных лазеров на основе раствора соединений битиофенового ряда в полярных растворителях, отличающаяся тем, что, с целью повышения фотостабильности и КПД активной среды и расширения диапазона перестройки частоты генерации, в качестве соединений битиофенового ряда использованы , -непредельные кетоны ряда 5-N-ацетиламино-2,2'-битиофенов формулы с концентрацией 1·10-4 -...

Активное вещество для жидкостных окг

Загрузка...

Номер патента: 626666

Опубликовано: 27.12.2006

Авторы: Тартаковский, Коршунов, Захаров, Липкин, Юдашкин, Петрус, Зволинский, Игнатов, Нижегородов

МПК: H01S 3/213

Метки: жидкостных, вещество, активное, окг

Применение 5'-ацил-5-N-ацетиламино-2,2'-битиофенов общей формулы где R - CHO или COCH3,в качестве активного вещества для жидкостных ОКГ.

Активная среда для лазеров на растворах органических соединений

Загрузка...

Номер патента: 807964

Опубликовано: 27.12.2006

Авторы: Захаров, Коршунов, Зволинский, Игнатов, Тартаковский, Юдашкин

МПК: H01S 3/213

Метки: лазеров, соединений, растворах, активная, органических, среда

Активная среда для лазеров на растворах органических соединений, представляющая собой раствор соединения битиофенового ряда в полярных растворителях, отличающаяся тем, что, с целью повышения к.п.д. лазера, фотостабильности и расширения диапазона перестройки частоты, в качестве соединений битиофенового ряда использованы производные 5'-N-ацетиламино-5-ацил-2,2'-битиофенов с общей формулой где R = COCH2CH3, COCH 2CH2CH3с концентрацией раствора 1·10-4 - 1·10-3 моль/л.

Способ изготовления турбчато-спирального теплообменника с элементами типа quot; труба в трубеquot;

Загрузка...

Номер патента: 1753794

Опубликовано: 27.11.2006

Авторы: Шаповалов, Азимов, Коршунов

МПК: F28D 7/14

Метки: теплообменника, труба, типа, quot, трубеquot, турбчато-спирального, элементами

Способ изготовления трубчато-спирального теплообменника с элементами типа "труба в трубе" путем придания внутренней и наружной трубам каждого элемента формы спирали, помещения внутренней трубы в наружную и подсоединения обеих труб к штуцерам, отличающийся тем, что, с целью повышения эксплуатационной надежности, трубы изготавливают из материала с эффектом "памяти формы", а перед приданием им формы спирали их нагревают до температуры, превышающей температуру прямого мартенситного превращения, трубы спиральной формы охлаждают с одновременным принудительным их выпрямлением, затем помещают внутреннюю трубу в наружную и центрируют их относительно друг друга посредством...

Система термостатирования герметичного объекта

Загрузка...

Номер патента: 1524649

Опубликовано: 10.07.2006

Авторы: Азимов, Обухов, Коршунов

МПК: F25B 45/00

Метки: герметичного, объекта, термостатирования

Система термостатирования герметичного объекта, содержащая включенную в замкнутый циркуляционный жидкостный контур компенсационную емкость, имеющую оребренный выходной патрубок, снабженный рубашкой, сообщенной разомкнутой воздушной линией с электровентилятором, заключенным в кожухе, и блок управления, электрически связанный с электродвигателем вентилятора и термодатчиком в циркуляционном жидкостном контуре, отличающаяся тем, что, с целью повышения экономичности и эксплуатационной надежности, в стенке выходного патрубка выполнен спиральный герметичный канал, образованный расположенными по винтовой линии наружными и внутренними выдавками в стенке, кожух вентилятора снабжен двумя парами...

Снаряд для бурения скважин электрическими импульсными разрядами

Загрузка...

Номер патента: 699839

Опубликовано: 20.04.2006

Авторы: Коршунов, Редутинский, Киселев, Дульзон, Каляцкий, Свиридов, Фортес

МПК: E21C 37/18

Метки: снаряд, бурения, скважин, разрядами, импульсными, электрическими

Снаряд для бурения скважин электрическими импульсными разрядами, состоящий из бурового наконечника, колонны бурильных труб с размещенным по оси колонны токопроводом, центрируемым посредством изоляционных шайб, имеющих отверстия для прокачивания промывочной жидкости, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров импульса на буровом наконечнике, токопровод выполнен с искровым зазором и часть его, присоединяемая к буровому наконечнику, снабжена спиралью.

Электроимпульсный буровой снаряд

Загрузка...

Номер патента: 730025

Опубликовано: 20.04.2006

Авторы: Сотников, Симонов, Брылин, Чепиков, Коршунов

МПК: E21C 37/18

Метки: снаряд, электроимпульсный, буровой

Электроимпульсный буровой снаряд, состоящий из буровой колонны, токопровода, изоляторов, обостряющего разрядника и бурового наконечника, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности бурения, токопровод между обостряющим разрядником и буровым наконечником выполнен из отрезка высоковольтного кабеля, а обостряющий разрядник размещен во втулке из изоляционного материала.

Акселерометр

Загрузка...

Номер патента: 1429748

Опубликовано: 20.01.2006

Авторы: Старосельцев, Андреев, Коршунов

МПК: G01P 15/13

Метки: акселерометр

Акселерометр по авт. св. № 980008, отличающийся тем, что, с целью повышения точности путем обеспечения нечувствительности к перекрестным ускорениям, параметры торсионов и сервосистемы связаны соотношением где Су - величина линейной поперечной жесткости торсионов;К - коэффициент передачи сервосистемы; lg - расстояние от оси датчика момента до центра масс маятника;ln - расстояние от оси, проходящей через места заделки торсионов на маятнике, до центра масс маятника.

Устройство подвеса чувствительного элемента в корпусе гироприбора

Загрузка...

Номер патента: 572120

Опубликовано: 20.08.2005

Авторы: Коршунов, Замахин, Шеянов, Старосельцев

МПК: G01C 19/22

Метки: элемента, гироприбора, корпусе, подвеса, чувствительного

Устройство подвеса чувствительного элемента в корпусе гироприбора, например датчика угловых скоростей, выполненное в виде пары соосных торсионов, которые расположены внутри охватывающих их шарикоподшипников, пара одноименных колец которых установлена на втулках корпуса, отличающееся тем, что, с целью повышения его механической прочности вдоль оси подвеса, друга пара одноименных колец с встречной предварительной осевой нагрузкой установлена неподвижно на втулках чувствительного элемента.

Способ регулирования магнитоэлектрического преобразователя компенсационного прибора

Загрузка...

Номер патента: 1400291

Опубликовано: 10.08.2005

Авторы: Коршунов, Елисеев, Старосельцев

МПК: G01P 15/13

Метки: прибора, преобразователя, магнитоэлектрического, компенсационного

Способ регулирования магнитоэлектрического преобразователя компенсационного прибора, преимущественно акселерометра с термостабильной системой, содержащей первый магнит из материала с высокой магнитокристаллической анизотропией и второй магнит из материала с анизотропией формы ферромагнитных частиц, заключающийся в намагничивании до насыщения второго магнита полем, совпадающим по направлению с полем первого магнита, плавном размагничивании второго магнита и определении крутизны выходной характеристики компенсационного прибора, отличающийся тем, что, с целью расширения пределов регулирования, перед определением крутизны выходной характеристики второй магнит перемагничивают полем встречного...

Способ калибровки компенсационного акселерометра

Загрузка...

Номер патента: 1500102

Опубликовано: 10.08.2005

Авторы: Коршунов, Старосельцев, Елисеев

МПК: G01R 33/02

Метки: калибровки, компенсационного, акселерометра

Способ калибровки компенсационного акселерометра, заключающийся в калибровке крутизны его выходной характеристики от воздействия положительного и отрицательного по отношению к чувствительному элементу ускорения свободного падения, отличающийся тем, что, с целью повышения точности акселерометра, перемещают катушку датчика момента ступенчато по заранее заданным угловым участкам равномерно вдоль всей высоты рабочего зазора магнитной системы акселерометра, при этом в каждом участке регистрируют величину перемещения, измеряют величину постоянной составляющей нулевого сигнала и осуществляют ее компенсацию путем изменения положения датчика угла относительно магнитной системы, определяют...

Устройство для электроимпульсного резания горных пород при проходке щелей

Номер патента: 820319

Опубликовано: 10.04.2004

Авторы: Коршунов, Краснятов, Брылин

МПК: E21C 37/18

Метки: щелей, пород, электроимпульсного, резания, проходке, горных

Устройство для электроимпульсного резания горных пород при проходке щелей, включающее изоляционный корпус, к которому прикреплены изоляционный пульпопровод и чередующиеся высоковольтные и полые заземленные электроды, которые в нижней части имеют боковые отверстия, направленные в сторону пульпопровода, отличающееся тем, что, с целью повышения эффективности проходки щели за счет снижения энергозатрат и улучшения очистки забоя от продуктов разрушения, изоляционный пульпопровод размещен в пространстве между заземленным и высоковольтным электродами.

Способ проходки траншей в горных породах

Номер патента: 816217

Опубликовано: 10.04.2004

Авторы: Краснятов, Коршунов, Коваленко, Брылин

МПК: E21C 37/18, E02F 5/10

Метки: горных, траншей, проходки, породах

Способ проходки траншей в горных породах, при котором используют устройство для резания породы электрическими импульсными разрядами с герметизатором и проходят отдельные участки траншеи, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности проходки траншеи путем обеспечения ее непрерывности без оставления перемычек между отдельными участками, после проходки первого участка траншеи в его торец помещают надувную оболочку и устанавливают герметизатор одним концом на надувную оболочку, а другим - на породу, затем оболочку надувают и устройством для резания проходят следующий участок траншеи.

Способ определения концентрации электронов в приповерхностном слое вырожденного антимонида индия п-типа

Номер патента: 708792

Опубликовано: 10.11.2001

Авторы: Коршунов, Морозов, Тихонов

МПК: G01N 21/21

Метки: п-типа, антимонида, концентрации, индия, электронов, слое, вырожденного, приповерхностном

Способ определения концентрации электронов в приповерхностном слое вырожденного антимонида индия, n-типа, включающий освещение монохроматическим поляризованным светом образцов исследуемого и взятого в качестве эталона невырожденного полупроводника, многократное измерение эллипсометрического параметра и соответствующих ему длин волн, определение энергетического сдвига края полосы собственного поглощения, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа перенесением измерений в видимую область спектра, перед освещением поверхности исследуемого образца и эталона аморфизируют с сохранением исходной концентрации электронов, при...

Способ определения концентрации электронов в полупроводниковом материале

Номер патента: 631015

Опубликовано: 10.11.2001

Авторы: Коршунов, Постников, Тихонов

МПК: H01L 21/66

Метки: концентрации, полупроводниковом, электронов, материале

Способ определения концентрации электронов в полупроводниковом материале по сдвигу края полосы собственного поглощения вырожденного полупроводника, отличающийся тем, что, с целью возможности измерений в приповерхностных слоях толщиной порядка нескольких микрон и ускорения измерений, измеряют минимальное значение эллипсометрического параметра ( min) соответствующую ему длину волны кр, отвечающую энергетическому положению красной границы полосы собственного поглощения...

Способ получения электронно-дырочных структур в антимониде индия

Номер патента: 665611

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Коршунов, Тихонов, Миркин

МПК: H01L 21/265

Метки: электронно-дырочных, индия, структур, антимониде

1. Способ получения электронно-дырочных структур в антимониде индия, включающий легирование исходного материала, изготовление подложек, облучение ионами и создание инверсионного слоя последующим отжигом, отличающийся тем, что, с целью упрочнения имплантированного слоя, облучение проводят при температурах подложек от 0,6 Tпл до 0,95 Tпл дозами от 6 1014 до 6 1017 см-2 и греющими плотностями ионного тока от 10 до 50 мкА/см2.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью увеличения...

Способ определения типа проводимости полупроводникового материала

Номер патента: 932891

Опубликовано: 20.09.2001

Автор: Коршунов

МПК: G01N 21/17

Метки: проводимости, типа, полупроводникового

Способ определения типа проводимости полупроводникового материала, отличающийся тем, что, с целью его упрощения путем проведения бесконтактных измерений при исследовании вырожденных полупроводниковых материалов, измеряют спектральные зависимости эллипсометрических параметров анализируемого материала и эталонного невырожденного полупроводникового материала при длинах волн света, меньших длины волны, соответствующей красной границе полосы собственного поглощения эталонного материала, а о типе проводимости анализируемого материала судят по величине параметров при...

Способ обработки антимонида индия

Номер патента: 660499

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Коршунов, Тихонов

МПК: H01L 21/265

Метки: индия, антимонида

Способ обработки антимонида индия облучением ионами, отличающийся тем, что, с целью обеспечения регулируемого по глубине увеличения скорости электрохимического травления без изменения типа проводимости и уменьшения подвижности носителей заряда, антимонид индия во время облучения подвергают нагреву от 100 до 290oC.

Способ легирования кремниевых пластин

Номер патента: 1531757

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Губарь, Тимашева, Старикова, Генералов, Гаськов, Зыканова, Гласко, Соколов, Щербина, Коршунов, Зимаков, Верин, Соловьев, Шестериков, Петровнин, Сарайкин, Авдеев

МПК: H01L 21/268

Метки: кремниевых, легирования, пластин

Способ легирования кремниевых пластин, включающий имплантацию в них ионов бора с энергией 30 - 60 кэВ и электрическую активацию бора последующим нагревом облучением импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности за счет получения поверхностной концентрации свободных носителей заряда, превышающей дозу имплантации, при одновременном снижении энергозатрат, нагрев осуществляют на воздухе импульсами света длительностью 2,5 10-3 - 10 с, при этом число импульсов и их энергетические параметры выбирают из условия обеспечения температуры T имплантированного слоя 900oC

Способ легирования кремниевых пластин

Номер патента: 1531756

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Гаськов, Губарь, Петровнин, Тимашева, Зимаков, Генералов, Щербина, Старикова, Зыканова, Коршунов, Сарайкин, Авдеев, Соколов, Соловьев, Шестериков, Гласко, Верин

МПК: H01L 21/268

Метки: легирования, кремниевых, пластин

Способ легирования кремниевых пластин, включающий имплантацию в них ионов бора с энергиями 30 - 60 кэВ и дозами, меньшими 4 1016 см-2, и электрическую активацию бора последующим нагревом облучением импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности за счет получения поверхностной концентрации свободных носителей заряда, превышающей дозу имплантации, нагрев осуществляют на воздухе импульсами света длительностью 25 10-3 - 10 с, при этом число импульсов и их энергетические параметры выбирают из условия...

Способ отжига ионно-имплантированных полупроводниковых материалов

Номер патента: 1170926

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Зимаков, Соловьев, Тихонова, Коршунов, Генералов

МПК: H01L 21/268

Метки: ионно-имплантированных, отжига, полупроводниковых

1. Способ отжига ионно-имплантированных полупроводниковых материалов, включающий облучение полупроводника излучением CO2-лазера с длиной волны, лежащей вне полосы собственного поглощения полупроводника, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии при одновременном улучшении параметров и повышении производительности, облучение ведут в импульсно-периодическом режиме с длительностью импульса 1,5 10-6 - 1 10-4 с и количеством импульсов 5 - 900 при температуре облучаемой поверхности не меньше 0,55 т.пл., но меньше...

Способ определения степени амортизации кристаллических материалов

Номер патента: 597291

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Постников, Тихонов, Коршунов

МПК: H01L 21/66

Метки: степени, амортизации, кристаллических

1. Способ определения степени аморфизации кристаллических материалов, например полупроводниковых, происходящей при облучении их ускоренными ионами, по разности оптических величин, измеренных для облученного и необлученного образцов материала, отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения, образцы перед облучением легируют акцепторной примесью с концентрацией носителей заряда от величины, достаточной для компенсации доноров, образующихся при облучении, до величины, определяемой предельной растворимостью акцепторной примеси, а в качестве оптических величин измеряют на длине волны, соответствующей краю полосы собственного поглощения измеряемого образца, арктангенс отношения...

Способ получения п-слоев в антимониде индия

Номер патента: 1017122

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Старикова, Дубровская, Коршунов

МПК: H01L 21/268

Метки: антимониде, индия, п-слоев

Способ получения n-слоев в антимониде индия, включающий ориентированную резку слитка, шлифовку и полировку подложек и облучение подложки импульсным лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств слоя, облучению подвергают поверхность (100), (100), (111) или (211).

Способ определения типа проводимости вырожденных полупроводниковых материалов

Номер патента: 913793

Опубликовано: 20.09.2001

Автор: Коршунов

МПК: G01N 21/00

Метки: полупроводниковых, типа, вырожденных, проводимости

1. Способ определения типа проводимости вырожденных полупроводниковых материалов, преимущественно с различными эффективными массами электронов и дырок, основанный на сравнении параметров, измеренных на исследуемом материале и эталоне, отличающийся тем, что, с целью упрощения и обеспечения бесконтактного определения типа проводимости приповерхностных слоев, в качестве эталона используют невырожденный полупроводниковый материал, образец и эталон освещают поляризованным светом с длиной волны, не превышающей длины волны красной границы поглощения кр.эт эталона, плавно перестраивают длины волн и находят наименее...

Способ получения инверсных полупроводниковых слоев

Номер патента: 1523001

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Щербина, Газуко, Губарь, Старикова, Зимаков, Зыканова, Петровнин, Верин, Соловьев, Гласко, Генералов, Коршунов

МПК: H01L 21/268

Метки: инверсных, слоев, полупроводниковых

Способ получения инверсных полупроводниковых слоев в исходном легированном кремнии, включающий импульсных нагрев, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения и исключения эрозии поверхности, в качестве исходного используют кремний n-типа, легированный фосфором до концентраций 1013 - 2 1016 см-3, а нагрев ведут на воздухе в интервале температур от 1200oC до температуры плавления кремния.

Способ обработки полупроводниковых материалов

Номер патента: 1523000

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Гласко, Генералов, Зимаков, Старикова, Петровнин, Соловьев, Газуко, Зыканова, Щербина, Губарь, Коршунов, Верин

МПК: H01L 21/268

Метки: полупроводниковых

Способ обработки полупроводниковых материалов, включающий импульсный нагрев, отличающийся тем, что, с целью получения обедненных слоев в кремнии n-типа, в качестве исходного используют кремний, легированный фосфором до концентраций 1013 - 5 1015 см-3, а нагрев ведут на воздухе до температуры 1150oC < T < 1200oC.

Способ определения параметров электронов в приповерхностных слоях вырожденных полупроводников

Номер патента: 704338

Опубликовано: 20.09.2001

Автор: Коршунов

МПК: G01N 21/21

Метки: полупроводников, вырожденных, слоях, параметров, приповерхностных, электронов

Способ определения параметров электронов в приповерхностных слоях вырожденных полупроводников, включающий освещение исследуемого образца и эталона - невырожденного полупроводника - монохроматическим поляризованным светом, измерение эллипсометрических параметров образца л и эьалона o на крае полосы собственного поглощения, определение длины волны света m, соответствующей минимальному значению эллипсометрического параметра