Колычев

Способ получения пластмассового сцинтиллятора

Номер патента: 1086925

Опубликовано: 20.12.2000

Авторы: Голодкова, Бондаренко, Сальникова, Зискин, Пономарева, Бутурлин, Измайлов, Кириченко, Леплянин, Масагутов, Полевой, Конопля, Волчков, Салимгареева, Колычев, Рафиков, Толстиков

МПК: C08F 2/44, C08F 120/14, G01T 1/203 ...

Метки: сцинтиллятора, пластмассового

Способ получения пластмассового сцинтиллятора путем радикальной полимеризации в блоке метилметакрилата при нагревании в присутствии активатора, сместителя спектра и передатчика энергии электронного возбуждения, отличающийся тем, что, с целью улучшения сцинтилляционных характеристик, санитарно-гигиенических условий труда и увеличения скорости полимеризации, в качестве активатора используют n-терфенил с концентрацией 2 - 8 г/л метилметакрилата, а в качестве передатчика энергии электронного возбуждения - 1,1,3-триметил-3-фенилиндан с концентрацией 100 - 600 г/л метилметакрилата.

Основание корпуса полупроводникового прибора

Номер патента: 1454169

Опубликовано: 10.12.1995

Авторы: Козлов, Эгнер, Колычев, Яковлев, Хозиков, Снесаревский, Чернов, Татаринов, Логоватовский, Евтеев

МПК: H01L 23/00

Метки: основание, полупроводникового, корпуса, прибора

ОСНОВАНИЕ КОРПУСА ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА, содержащее подложку для монтажа кристалла и вывода с нанесенными на его металлические части покрытием на основе никеля бора, отличающееся тем, что, с целью снижения стоимости приборов за счет исключения применения золота при увеличении их надежности, в зону пайки кристаллов на подложку нанесено дополнительное покрытие из сплава цинк алюминий германий с содержанием алюминия 1 30 мас. германия 1 6 мас. остальное цинк, причем суммарное содержание алюминия и германия 7 31 мас.

Способ изготовления полупроводниковых структур

Номер патента: 1364154

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Глущенко, Колычев

МПК: H01L 21/78

Метки: полупроводниковых, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, включающий операции формирования в полупроводниковой подложке областей структур, нанесение слоя металла, формирование металлизированной разводки, окисление части толщины металла, нанесение слоя защитного диэлектрика, вскрытие контактных окон в защитном диэлектрике и присоединение металла проводников к металлизированной разводке через вскрытие окна, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности структуры путем создания беспористого диэлектрика, слой металла наносят толщинойT = t + ,где t - минимальная толщина металла, обеспечивающая токо- и теплопроводность;D - толщина наносимого защитного диэлектрика,...

Способ изготовления полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 1702825

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Зенин, Глущенко, Колычев

МПК: H01L 21/60

Метки: приборов, полупроводниковых

...слоя и вцтравленйых канологического процесса разделения навок путем термического оксидирования пластин кристаллы(ширина реза), ориенти- многоступенчатым способом создают слой руясь на наличие минимального зазора 15 30 толщиной 1,5-2 мкм, например 1,7 мкм, между изоляцией кармана и краем кристал- Затем на всю окисленную поверхность плала 12 мкм. Минимизация этого размера свя- стины наращивают слой 1 поликристалличезана экономией площади пластины ского кремния, толщиной 200-250 мкм, в (возможно большим сьемом кристаллов с результате чего всеканавкиполностьюзапластины), максимально возможное рассто растают. На презиционном станке часть пояние между краем кристалла и изоляцией ликремния сошлифовывают, обеспечивая кармана (при...

Способ изготовления полупроводниковых структур

Номер патента: 1294213

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Колычев, Гальцев, Глущенко

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводниковых, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, включающий формирование на полупроводниковой подложке активных областей, пассивацию подложки слоем диэлектрика, вскрытие контактных окон, нанесение слоя алюминия вакуумно-термическим напылением, формирование маскирующего покрытия, фотогравировку разводки, окисление торцовых поверхностей разводки и удаление маскирующего покрытия, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности структур и упрощения способа, после нанесения слоя алюминия проводят его поверхностное окисление до образования пленки окиси алюминия толщиной от 2,5 10-8 до 4 ...

Способ изготовления меза-структур

Загрузка...

Номер патента: 1050476

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Глущенко, Решетин, Колычев

МПК: H01L 21/78

Метки: меза-структур

...меза-структур, включающемоперации формирования элементов структуры в полупроводниковой подложке с маскирующим их диэлектрическим покрытием,вскрытия контактных областей к элементамструктуры. получения металлизированнойразводки и меза-областей, пассивации меза-структур диэлектрическим покрытием и 55вскрытия металлизированных контактных ф.площадок, пассивирующее диэлектрическое покрытие формируют нанесениемсвинца с последующей термической обработкой для получения свинцово-силикатного стекла, а вскрытие металлизированныхконтактных площадок осуществляют селективным травлением окиси свинца с их поверхности, .На фиг,1 показано формирование элементов структуры и меза-областей; на фиг.2- нанесение слоя свинца и окиси свинца; нафиг.З -...

Устройство для определения показателей надежности объектов

Загрузка...

Номер патента: 2002301

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Бурба, Захаров, Колычев

МПК: G06F 15/46, G05B 23/02

Метки: объектов, показателей, надежности

...изоб ретения55УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОКАЗАТЕЛЕЙ НАДЕЖНОСТИ ОБЪЕКТОВ, содержащее первый генератор такто"Неисправно". Триггер 9 устанавливается в "1" по импульсу через элемент И 6 при поступлении сигнала "Неисправно" и в "0" при изменении состояния триггера 8 с нулевого на единичное, Первому режиму соответствует состояние "1" триггера 8 и "0" триггера 9, второму режиму - состояние "0" триггера 8 и "1" триггера 9, третьему режиму- состояние "1" обоих триггеров.8 первом режиме производится подсчет времени исправной работы, во втором . времени восстановления, в третьем . количества отказов (при переходе объекта из состояния "исправно" в состояние "неисправно").С выхода задатчика 13 признаков показателей надежности на вход блока 11...

Способ изготовления полупроводниковых структур

Загрузка...

Номер патента: 1542337

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Колычев, Зенин, Алексенко, Глущенко

МПК: H01L 21/441

Метки: полупроводниковых, структур

...размеры и плотность бугорков9, на Фиг, 3 - указаннал структурапосле стравливанил (планаризации)бугорков, на Фиг. 4 - структура- . 25Фиг, 3 после окисления алюминиевойразводки 6 в порах 8 диэлектрическогопокрытия (9 " окись алюминия),П р и и е р конкретного осуществления способа. 30На полупроводниковую подложку сосформированными элементами структур1-11 вакуумным осанденем на установке УВН-П 2 наносят алюминийтолщиной 12 икм. Затем Формируют металлизированную разводку 6 полупроводниковых структур, наносят диэлектрическое покрьтие 7 например двуокиськремния, толщиной 0,2. мкм методомокисления ионосилана в кислороде при 4050 С. Перед нанесением диэлектрикавозможна пассивацил поверхности ме.тагла, например,...

Способ получения кристаллов полупроводниковых структур

Загрузка...

Номер патента: 980568

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Колычев, Глущенко

МПК: H01L 21/78

Метки: структур, кристаллов, полупроводниковых

...на общей полупроводниковой подложке структур друг от друга.П р и м е р, Полупроводниковую подложку кремния 1 и-типа проводи" мости, служащую коллектором, подвер" гают термическому окислению при тем" пературе 1150 С в течение 3 ч. Процесс проводят в комбинированной среде сухого и. увлажненного водяными парами кислорода, выращивая маскирующее дизлектрицеское покрытие 2 двуокиси. кремния БхО. 8 результате получают пленку толщиной 0,8 мкм, достаточной для маскирования подложки 1 от последующих операций диффузии и селективного травления кремния. Через вскрытое Фотогравировкой окно в покрытии 2 Формируют базовую область. 3; например, термической загонкой бора из борного ангидрида ВОз с последующей его разгонкой при температуре 1150 С...

Способ изготовления полупроводниковых кремниевых структур

Загрузка...

Номер патента: 1160895

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Колычев

МПК: H01L 21/78

Метки: структур, кремниевых, полупроводниковых

...воздухом. Следующей после нддрездния чисткой5 11удаляют продукты надрезания и буртикс поверхности подложки, а также удаляют поверхностный дефектный и загрязненный слой маскирующего диэлектрического покрытия двуокиси кремния,Отсутствие специальной операциинанесения защитной маски, а такжеочистки подложки от продуктов скрайбирования маскирующего диэлектрического покрытия и мгталлизированной разводки в одном технологическомцикле упрощает способ и сокращаетвремя его проведенияП р и м е р, Полупроводниковуюподложку кремния толщиной 250 мкми-типа проводимости, служащую коллектором, подвергают термическомуокислению при температуре 1150 С втечение 3 ч, Процесс проводят в ком"Ьинированной среде сухого и увлажненного водяными парами кислорода...

Способ изготовления кристаллов полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 1102433

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Дмитриев, Колычев, Глущенко

МПК: H01L 21/48, H01L 21/76

Метки: полупроводниковых, приборов, кристаллов

...подложка с пассивирующей пленкой, нанесенной на рельеФную поверхность; на Фиг,5 - завершенная полупроводниковая транзисторная структура со вскрытыми контактными площадками55На фиг.1-5 изображены полупроводниковая подложка 1, базовая область 2, эмиттерная область 3, за 33 4щитное покрытие 4, контактные площадки металлизации 5, слой Фоторезиста 6, канавки 7 диэлектрической изоляции, подтравленные канавки8 диэлектрической изоляции, пассивирующая пленка 9.П р и м е р. В полупроводниковойподложке кремния 1 толщиной 300 мкм,служащей коллектором, Формируют диФФузией бора из трехбромистого бораВВг базовую область 2 глубиной залегания - 10 мкм и противоположногоподложке р-типа проводимости,ДиФФузию проводят в две стадии:загонка примеси при...

Полупроводниковая структура

Загрузка...

Номер патента: 1187656

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Колычев, Глущенко

МПК: H01L 29/41

Метки: полупроводниковая, структура

...разводка 5, материалол которой является алюл 1 инийПричем, при малых размерах окон к ЗОобластям полупроводниковых структур,например, для интегральных схем большой интеграции и СВЧ-транзисторныхструктур, толщину металла делают минимальной - 0,6-0,5 ллкм, с тем, цтобывоспроизвести малую ширину дорожектокопроводящей разводки,В конкретном примере толщина металлизированной разводки составляет0,65 мкм, Токопроводящая разводкаимеет контакты 6, вынесенные на пери"Ферийную часть подложки. Слой токопроводящей разводки покрыт пассиви"рующим диэлектрическим покрытием окиси алюминия 7 толщиной 0,1 мкм и сло" 45ем ФосФорно-силикатного стекла толщиной 0,9 мкм, в котором вскрь 1 ты окна9, 1(онтакты 6 металлизированной разводки 5 соединены церез...

Устройство для дистанционного управления электромашинным преобразователем

Загрузка...

Номер патента: 1805528

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Петраков, Колычев, Вахрамеев

МПК: H02J 13/00

Метки: преобразователем, электромашинным, дистанционного

...с импульсного генератора 12. При их совпадении на выходе компаратора 14 появляется импульсный сигнал, который поступает в устройство 15 задержки преобразователя, В устройстве 15 задержки формируется сигнал включения, Он усиливается по току усилителем 16, что вызывает срабатывание герконового реле 17; Контакт герконового реле 25 включает магнитный пускатель 2, контакты 4 которого, замыкаясь, включают двигатель 7 и преобразователь частоты 6,При включении инструмента 31 импуль сы на компаратор 14 не поступают. Устройство задержки выключается не менее, чем через 30 с, Усилитель 16 выключает герконовое реле, его контакт 25 выключает магнитный пускатель 2 и размыкаются его контакты 4. Преобразователь отключается, Одновременно к...

Электропривод переменного тока

Загрузка...

Номер патента: 1772881

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Низимов, Колычев

МПК: H02P 1/50

Метки: электропривод, переменного

...в начале пуска привнесенное сопротивление будет определяющим, обеспечивая синхронному двигателю 3 повышенный пусковой момент за счет составляющей от обмотки возбуждения 2, По мере снижения частоты тока в роторе синхронного двигателя 3 потери в массивном ферромагнитном корпусе 21 индукционного сопротивления также будут уменьшаться. На подсинхронной частоте вращения привнесенное в катушки 18, 19, 20 сопротивление будет незначительным и соизмеримым по величине с собственным активным сопротивлением упомянутых катушек. Следовательно, двигатель 3 будет иметь повышенный входной момент благодаря малому сопротивлению в обмотке возбуждения 2.Синхронизация двигателя 3 осуществляется замыканием ключа 25 в обмотке возбуждения возбудителя 24....

Устройство для защиты от боксования колесных пар транспортного средства

Загрузка...

Номер патента: 1768414

Опубликовано: 15.10.1992

Авторы: Мазнев, Колычев

МПК: B60L 3/10

Метки: боксования, транспортного, защиты, пар, колесных, средства

...в б за сложности и большого количества эле- ра 18. Наличие двух магнитных колец 1,2 со ментов (усилитель, цифроаналоговый встречно-включенными обмотками 5, 6 не- преобразователь, индикатор). обходимо для обеспеченя о еспечения селективностиЦелью данного изобретения является его срабатывания, выявления начала боксоповышение надежности за счет упрощения 50 вания независимо от знакат знака разности токов,протекающих по проводам 3, 4, Рек предусмотрен для реПоставленная цель достигается тем, что версивный счетчик 15 и е мв устройство, содержащее датчик разности гулирования тока в обмотках смещения 16, токов тяговых электродвигателей, состоя и представ я бвляет со ои многоразрядное устроиство на переключающих щий из двух магнитно...

Способ пуска синхронного двигателя с блоком пуска

Загрузка...

Номер патента: 1753568

Опубликовано: 07.08.1992

Авторы: Низимов, Колычев

МПК: H02P 1/50

Метки: синхронного, пуска, блоком, двигателя

...15 соединены с входом элемента ИЛИ-НЕ 16, выход которого через усилитель 17 соединен с входом управляемого ключа 6 двухсторонней проводимости. 5Способ пуска синхронного двигателя осуществляется следующим образом.Асинхронный пуск синхронного двигателя 1 начинается после подключения его к сети переменного тока. При этом обмотка 3 10 возбуждения замкнута на пусковой резистор 4 и блок 5 емкостной компенсации, управляемый ключ 6 двухсторонней проводимости разомкнут, а управляемый возбудитель 7 отключен (например, снятием 15 управляющих импульсов с тиристоров), При этом происходит емкостная компенсация индуктивности контура возбуждения, вследствие чего возрастает амплитуда тока обмотки возбуждения и уменьшается его 20 фазовый сдвиг по...

Сплав на основе алюминия для микропроволоки

Загрузка...

Номер патента: 1584413

Опубликовано: 30.07.1992

Авторы: Волков, Чистяков, Беленький, Колычев, Фролов, Мутовин

МПК: C22C 21/10

Метки: алюминия, сплав, микропроволоки, основе

...затем расплав охлаждали до 740,С и вводили цинковую и сурьмянистую лигатуру, После вы"держки 3-4 мин расплав охлаждали до 700 С и затем разливали в графитовые изложницы диаметром 40 мм. Далее слитки фрезеровалн под сортовые калибры на размер 26 х 26 мм и прокатывали на ;грснльном прокатном стане с частСплавСостав5 Ф 5М а 4Алюминий Цинк Сурьма .Титан Предложенный 1 О) 001 0,001 2 094 Оа 04 3 .0 1 ОЬ 1 4 02 002 Остальное1 11 1 0,0010015,0,01 И эвест,ный Тевлина 2 Неканнчесаие своЯства Сплав Сос тааТехнолотнческве показатели вн" - сокоскоростноЯ автоматическоЯее микросвархн Относи тельно уллнне нне, 2 Сро кра нил исп зоз опустнмоа налраенне атавения, тн ед Ско.ростькоррот оафэи пиеит варещ пни пре ностьпрлволф.ченннООО Пеоор манин...

Устройство для асинхронного пуска синхронного электродвигателя

Загрузка...

Номер патента: 1707721

Опубликовано: 23.01.1992

Авторы: Колычев, Низимов

МПК: H02P 1/50

Метки: асинхронного, пуска, синхронного, электродвигателя

...использоваться герконовые, электромагнитные или бесконтактные реле, а в качестве управляющих ключей 11, 12 и 28 - контакты или переходы укаэанных реле.1707721 5055 Устройство работает следующим образом.При подаче напряжения на статор синхронного двигателя 3 пусковой ток от ЭДС обмотки 2 возбуждения замыкается через резистор 4 и конденсатор 5 при одноименной полярности ЭДС и тока ротора, что приводит к емкостной компенсации индуктивности по продольной оси эквивалентной схемы машины, росту тока и уменьшению его фазового сдвига и, в итоге, к возрастанию ускоряющего момента, создаваемого обмоткой возбуждения, При этом реле 19 обтекается током и ключ 12 замкнут. При изменении полярности ЭДС (т,е. при ее переходе через О) включается реле 16 и...

Устройство для возбуждения синхронной электрической машиной

Загрузка...

Номер патента: 1674344

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Низимов, Колычев

МПК: H02P 9/14

Метки: машиной, возбуждения, синхронной, электрической

...источником энергии. Если мгновенное значение ЭДС преобразователя 1 становится меньше, чем напряжение заряда коммутирующего конденсатора 14, то включается гасящий тиристор 15 и разряжает конденсатор 14 на обмотку 2 возбуждения, что приводит к уменьшению пульсаций напряжения на обмотке возбуждения и снижению потребления мощностей искажения и полной мощности из сети, Если же мгновенное значение ЭДС преобразователя выше, чем напряжение на конденсаторе 14, то происходит дополнительный подзаряд коммутирующего конденсатора 14, При отрицательном значении мгновенной ЭДС преобразователя, что имеет место в режиме номинального возбуждения, накопленная в индуктивности обмотки 2 возбуждения энергия замыкается по контуру: обмотка 2 возбуждения. -...

Способ выделения сульфоксидов и сульфонов из смеси с углеводородами

Загрузка...

Номер патента: 577783

Опубликовано: 23.08.1991

Авторы: Ляпина, Павлова, Колычев, Шарипов, Никитин, Бондаренко, Паис

МПК: C07C 315/00

Метки: смеси, сульфоксидов, выделения, сульфонов, углеводородами

...имеет высокую температуру кипения (171 С), ноо его регенерацию можно осуществлять эффективно реэкстракцией парайиновым растворителем с последующей отгонкой парафинового растворителя. для уксусной кислоты такой метод регенерации непригоден из-за большой взаиморастворимости уксусной кислоты и парафинового растворителя.Для осуществления предлагаемого способа нефтяную фракцию, содержащую сульфоксиды и сульфоны, подвергают(многоступенчатой экстракции органическим растворителем. Экстракцию проводят без возбуждения рисайкла или с возбуждением рисайкла одним из известных способов, например подачей промывного растворителя, в качестве которого может быть и спользован легкий парафиновый растворитель.Применяют соотношение растворитель:...

Устройство для регулирования скорости вращения тягового электродвигателя

Загрузка...

Номер патента: 1670736

Опубликовано: 15.08.1991

Авторы: Мазнев, Колычев, Рогов

МПК: H02H 7/093, H02P 7/42

Метки: тягового, электродвигателя, скорости, вращения

...зажимом источника питания 26 и корпусом 38. Токоограничивающий резистор 29 соединен последовательно с режимным резистором 33 и тиристором 37, Последовательная цепь подключена между корпусом 38 и минусовым зажимом источника питания 26. Светодиоды оптронов 34 и 35 связаны с блоком защиты 39, который снимает управляющие сигналы с рабочих тиристоров импульсных регуляторов напряжения 22 - 25.Устройство работает следующим образом.При нормальном состоянии электрооборудования ни один из элементов не связан с корпусом. Периодическая подача управляющих сигналов на тиристор 36 или 37 не приводит к их отпиранию, так как не создается контура протекания тока. При пробое изоляции, например, тягового электродвигателя на корпус за счет разности...

Устройство для асинхронного пуска синхронного электродвигателя

Загрузка...

Номер патента: 1649628

Опубликовано: 15.05.1991

Авторы: Колычев, Низимов

МПК: H02P 9/12, H02P 1/50

Метки: асинхронного, синхронного, электродвигателя, пуска

...подключения блока Оуправления возбуждением к питающей сети может быть выполн 8 н, наг)ример( В виде блок-контракта аппарата, коммутирующего статор синхронного злектродвигателя 3.В качестве пороговых злементов 12 и 15 могут использоваться встречно-последовательно соединенные стабилитрон и диод.В качестве релейного элемента 21 могут быть применены геркон, электромагнитное или бесконтакгное реле.Устройство работает следующим обра- ЗОМ,При отключенном синхронном двигателе 3 через силовой вход 9 блока 8 на вход переклОчающего злемента 20 поступает блокирующий сигнал, С выхода переключающего злемента 20 подается сигнал в блок 4 управления, снимаащий управляющие импульсы с преобразователя 1. Цепи управ" лениЯ тирис(оров 10 и 13 рг 4304 кнуты...

Сплав на основе алюминия для микропроволоки

Загрузка...

Номер патента: 1453934

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Большова, Фролов, Мутовин, Колычев, Ивкова, Волков, Бойко, Беленький

МПК: C22C 21/10

Метки: основе, микропроволоки, алюминия, сплав

...многократного волочения с разовым обжатием 4-87. до конечного размера проволоки У 60 мкм, Проволоку оФжигали в проходной печи.Сварку микропроволоки с контактной площадкой прибора (на кремниевом кристалле) проводили на ультразвуковой сварочной установке типа УЛпри постоянном давлении инструмента 40 5 гс и постоянном выходном напряжении ультразвукового генератора 40+5 В. Каждым составом проволоки сваривали 125 кристаллов, во всех случаях использовалась проволока диа метром 60 мкм. Результаты сравнительных испытаний проволоки иэ предлагаемого и .известного сплавов приведены в табл.2,Как видно из табл.2, проволока из предлагаемого сплава обеспечивает более высокие значения относительного удлинения, электропроводности, коррозионной...

Способ очистки легких углеводородных фракций от сернистых соединений

Загрузка...

Номер патента: 1549985

Опубликовано: 15.03.1990

Авторы: Лапшин, Колычев, Тучин, Сулейманова, Масагутов, Шарипов, Попов, Файзрахманов, Паис, Садриев

МПК: C10G 27/12

Метки: сернистых, легких, соединений, фракций, углеводородных

...общей серы0,00063 мас,Х (степень очистки 97,5 Х)При очистке от сернистых соедине. Оний углеводородной Фракции 25-70 Сспособом-прототипом, выход очищенной углеводородной фракции составляет 85-90 , степень очистки 90 Х, про",цолжительность очистки 0,5-1 ч .Как видно из представленных примеров, предлагаемый способ обеспечивает поньппение степени очистки углеводородных фракций от сернистыхсоединений по сравнению с прототипом, Степень очистки достигает 9598 ., При этом очистке данным способом можно подвергать углеводородныефракции, содержащие сернистые соеди 25 нения различных классов, что особенно важно в связи с вовлечением в переработку высокосернистых нефтепродуктовв,Формула изобретенияСпособ очистки легких углеводородных фракций...

Питатель для сыпучих материалов

Загрузка...

Номер патента: 1548144

Опубликовано: 07.03.1990

Авторы: Горный, Колычев

МПК: B65G 65/44

Метки: сыпучих, питатель

...наклона к горизонту самой заслонкой 5.Так как лоток 3 и заслонка 5 расположены под тупым углом друг к другу, а значит, угол наклона к горизонту заслонки 5 всегда меньше, чемлотка 3, то взаимодействие материалана стыке лотка 3 и заслонки 5 оказывает ускоряющее воздействие на материал, расположенный на заслонке, итормозящее на материал, расположенный на лотке. Изменение длины транспортирующей поверхности заслонки 5 приводит к изменению массы материала,участвующего во взаимодействии и оказывающего тормозящий эффект,Таким образом, увеличение длинытранспортирующей поверхности заслонки 5 увеличивает тормозящее воздействие и снижает скорость движения материала (производительность питателя),а уменьшение длины транспортирующейповерхности....

Способ приготовления катализатора для парофазного винилацетата

Загрузка...

Номер патента: 1532071

Опубликовано: 30.12.1989

Авторы: Моргунова, Степаненко, Колычев, Райков, Фесенко, Донстер, Алейников, Бурушкина, Огенко, Чуйко, Сердюк

МПК: C07C 69/15, B01J 31/06, B01J 31/04 ...

Метки: винилацетата, приготовления, парофазного, катализатора

...цинка. Для этого в ем 5 кость, содержащую 505,2 г ацетата цинка в 2 л воды, загружают подготовленный носитель и выдерживают при комнатной температуре в течение 1 ч, жидкость декантируют, а катализатор 10 сушат при 140-50 С в течение 4-5 ч.Полученный катализатор содержит26,77. ацетата цинка, 1,57. уксусной кислоты и 71,87. носителя.Аналогичным образом получают образцы катализаторов с другим содержанием ацетата цинка и уксусной кислоты, Катализаторы испытывают в реакции парофазного синтеза винилацетата. В лабораторно-промьппленный реактор ко лонного типа загружают катализатор в количестве 50 см и подают реакционную смесь, состоящую из техничесМаксимальное количество кислоты 1,57. обеспечивается при температуре 45 обработки носителя...

Пульсационный экстрактор

Загрузка...

Номер патента: 1503839

Опубликовано: 30.08.1989

Авторы: Колычев, Рыськов, Иванов

МПК: B01D 11/04

Метки: экстрактор, пульсационный

...листов) перегородок 4, расположенных на равном расстоянии параллельно друг другу и ограниченных (перекрытых) снизу и сверху сплошными горизонтальными пластинами 5 с отверстиями. Вертикальные перегородки 4 в сочетании с горизонтальными пластинами 5 образуют глухие карманы 6. Для предотвращения стеночного эффекта между смесительной секцией и корпусом колонны имеются уплотнительные элементы 7. Жесткость вертикальных перегородок 4 обеспечивается распорными тягами 8. Для подвода и отвода жидких фаз имеются штуцеры 9 - 12. К патрубку 13 подключается отдельный пульсатор (на чертеже не показан).Экстрактор работает следующим образом,В штуцер 9 подается тяжелая фаза, которая выводится через штуцер 10. В штуцер 11 поступает легкая...

Устройство для защиты от боксования колесных пар транспортного средства

Загрузка...

Номер патента: 1495157

Опубликовано: 23.07.1989

Авторы: Паперный, Костылева, Мазнев, Колычев, Кучумов

МПК: B60L 3/10

Метки: боксования, колесных, транспортного, средства, защиты, пар

...или не равны диаметры колесных пар, токи в силовых проводах 3 и 4 не равны, в результате чего создается МДС и поток небаланса, что сопровождаетсяо(при работающем генераторе 7 импульсов ) появлением сигнала на выходной обмотке 8Для устранения этого сигнала при отсутствии боксования используется обмотка 10 смещения, МДС которой компенсирует ИДС, обусловленную расхождением токов в силовых проводах 3 и 4 из-эа расхождения, например, характеристик тяговых двигателей,В процессе эксплуатации меняются характеристики тяговых двигателей, изменяются диаметры колесных пар, что влияет на выходные характеристики устройства и обуславливает необходимость автоматического регулирования уставки защиты от боксования путем изменения тока в обмотке...

Противооползневое сооружение

Загрузка...

Номер патента: 1460121

Опубликовано: 23.02.1989

Авторы: Пудов, Колычев, Брантман, Полуновский, Семендяев, Силагадзе

МПК: E02D 29/02

Метки: сооружение, противооползневое

...60 см. Рифления могут быть образованы также в виде примыкающих и обращенных выпуклой стороной к полотнищу полусфер 7, радиус К которых определяется из условия При не пользовани ного матер ности прил канавок по вого грунт ной стены обходимости, например, при иси полотнищ из слабого неткаиала, для исключения возможегания этого материала к дну д воздействием давления оползне- а, между поверхностью подпор. и полотнищем можно размешатьарматурные сетки (не показаны) . Кроме этого, исключить возможность прилегания полотнища к дну канавок можно достичь путем установки в канавки перфорированных труб или спиралей из синтетических материалов (не показаны).Возведение предлагаемого сооружения осуществляется следующим образом.В процессе бетонирования...

Уборочная машина

Загрузка...

Номер патента: 1397588

Опубликовано: 23.05.1988

Авторы: Иванов, Колычев, Резлер, Сатановский

МПК: E01H 1/08

Метки: уборочная

...б (шум нагнетания), и шумом, излучающимся из всасывающей полости 5 (шум всасывания). В отличие от пума всасывания шум ЗОнагнетания в элементах конструкциимашины практически не затухает, Ктому же у центробежных вентиляторов,используемых в уборочных машинах,звуковая энергия излучаемая из нагнетательного патрубка, равна или превосходит звуковую энергию шума всасывания,Таким образом, снижение шума уборочной машины сводится к снижению шума, излучаемого из полости 5 вентилятора 2.Машина работает следующим образом,При работе машины вентилятором 2создается вакуум во всасывающем трубопроводе 4 и бункере-мусоросборнике3, Смет, находящийся в зоне действиявсасывающего трубопровода 4, увлекается потоком воздуха и транспортируется по последним в...