Кибалина

Способ отжига структур полупроводник-диэлектрик

Номер патента: 884498

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Придачин, Кибалина

МПК: H01L 21/423

Метки: отжига, структур, полупроводник-диэлектрик

1. Способ отжига структур полупроводник-диэлектрик, включающий операцию импульсного облучения подложки с нанесенной на нее диэлектрической пленкой, отличающийся тем, что, с целью предотвращения повреждений структур, облучение проводят излучением, равномерно поглощающимся и в пленке, и в подложке.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение проводят электронами с энергией 5 - 10000 кэВ.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение проводят протонами с энергией 10 - 2500 кэВ.4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что облучение проводят ионами с энергией 15 - 1000 кэВ.5. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение проводят фотонами с энергией E в диапазоне...

Способ изготовления фотомишени

Загрузка...

Номер патента: 712873

Опубликовано: 30.01.1980

Авторы: Мордкович, Ободников, Кибалина, Стась, Герасименко

МПК: H01L 21/263

Метки: фотомишени

...счет большей степени компенсации.Диапазон спектральной чувствительностирасширяется за счет более мелкого энергетического уровня дефекта по сравнению суровнем золота в прототипе.Диапазон спектральной чувствительностипрототипа: уровень золота Ес - 0,54 эВ,т, е. граница чувствительности = 2,3 мкм.Диапазон спектральной чувствительностизаявляемого способа: уровень дефектаЕс - 0,37 эВ, т. е. граница чувствительности = 3 4 мкм.По сравнению с существующими способами, где вытравливают образец до малыхтолщин имеет место увеличение механической прочности,Лсходный кремний можно использоватьс концентрацией кислорода 10" см- -108 см -(см. пример 1). Что касается времени отжига, то оно лежит в пределах 10 -30 мин, В течение этого времени...