Хоббихожин

Устройство для ионно-плазменной обработки

Номер патента: 1723956

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Семенюк, Трипута, Хоменко, Хоббихожин, Гурин

МПК: H01L 21/302, C23C 14/02

Метки: ионно-плазменной

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИОННО-ПЛАЗМЕННОЙ ОБРАБОТКИ, содержащее вакуумную камеру, в которой размещены разрядные электроды, подключенные к двум независимым источникам ВЧ-напряжения и разделенные промежуточным заземленным электродом с отверстием, при этом обрабатываемое изделие размещено на одном из разрядных электродов против отверстия промежуточного электрода, отличающееся тем, что, с целью повышения скорости ионно-плазменной обработки и уменьшения степени загрязнения обрабатываемого изделия, оно снабжено дополнительным электродом, размещенным на противоположном торце камеры, камера выполнена в виде параллелепипеда, охватывающего разрядный, промежуточный и дополнительный электрод, формы которых повторяет сечение камеры, и присоединенного к нему...

Устройство для обработки изделий в вакууме

Загрузка...

Номер патента: 1738871

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Трипута, Хоббихожин, Хоменко, Подобед, Семенюк, Бородин

МПК: C23C 14/34

Метки: вакууме

...системы 3 газов через камеру 1 в ней конденсируется рабочее химическое соединение, например ЯЕб, а продукты реакции, например ВР 4, и 20 возможные добавки аргона или кислородапоступают в систему 8 обработки выходящих газов, Процесс продолжается до тех пор, пока камера 1 не насытится рабочими химическими соединениями, что может 25 быть установлено по возрастанию их концентрации за клапаном 7 с помощью системы контроля концентрации химических соединений и продуктов реакции в виде, например, встроенного масс-спектрометра 30 (не показан).После этого открывают клапаны 2 и 7другой камеры, предварительно охлажденной до температуры ТТТ, и закрывают клапаны 2 и 7 первой камеры 1. Открывают 35 клапан 5 первой камеры 1, прогревают ее дотемпературы,...

Способ плазмохимической обработки полупроводниковых пластин

Загрузка...

Номер патента: 1088589

Опубликовано: 07.04.1988

Авторы: Гущин, Хоббихожин, Долгополов, Иванов, Сологуб, Медведев

МПК: H01L 21/3065

Метки: пластин, полупроводниковых, плазмохимической

...и путем изменения его расхода устанавливают рабоее давление в диапазоне 6,7-133 Па. После этого через время С так как происходит значительное разбавление (5 Х) рабочей смеси в реакторе. Это приводит к тому, что внекоторых технологических процессах,при использовании в качестве балластного газа - азота при его содержаниив плазмообразующей смеси )5 Х происходит дополнительная деструкция фоторезистивной маски энергией, выделяемой при дезактивации возбужденных мо Чф РС К фиещеЯ Ргде К - коэффициент (1 сКс 5)у Чобъем реактора, л; Я - расход газа,л/с; Р - рабочее давление, торр;Р, - нормальное атмосферное давление,возбуждают ВЧ разряд и проводятпроцесс плазмохимической обработки.Подача газа-разбавителя на выходеиз реактора позволяет...

Установка для электротермической обработкиметаллов

Загрузка...

Номер патента: 349738

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Акопов, Гарицкий, Хоббихожин, Кидин

МПК: C21D 11/00

Метки: обработкиметаллов, электротермической

...7 независимого задания режимов и20 заранее проградуированного по температуренагрева, Окончание нагрева соответствует исчезновенгно сигнала с регулятора 5 температуры, питающего блок 4 управления тпристорами; блок 3 тирнсторов закрывается, силовой25 трансформатор 2 отключается и нагрев образца прекращается. В работу подключаетсяблок 8 реле автоматики. Если есть необходимость выдержки при этой температуре, то нареле времени блока 8 автоматики заранее зазо дается время выдержки. При этом регулятор 5зд. 1200 Тираж 406 лам изобретений и открытий при Сове осква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 каз 628 1 ИИГ 1 И Комитета по Г одписноеМинистров СССР Типография24 Главполиграфпрома, Москва, Г, ул, Маркса-Энгельс температуры в соответствии с...