Хартвин

“способ создания контактов к полупроводниковым приборам

Загрузка...

Номер патента: 664244

Опубликовано: 25.05.1979

Авторы: Хартвин, Зигберт, Ханс-Иоахим

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, создания, полупроводниковым, приборам

...границ р-областей, посколькУ 45в электролите создается такое Распределение зарядов, что ионы, отти-гиваются от непосредственной граыоцир-И-переходов в р-область.Способ позволяет создавать контак., щты одновременно к ббльшому количест-ву приборов, когда, например," ООООэлементов расположены на Одной пблу-"проводниковой пластине.)а фиг 1 изображен разреЗ крйсталлической пластины; на Фиг.2 данапринципиальная схема для осуществления способа; на Фиг.3-7 - отраженспособ создания контактов при изготовлении транзисторов на Фиг.8 .- раз-рез готовой полупроводниковой пласти-,40ны, вид сверхуП р и м е р 1. Кристаллическая .: .пластина 1 (см.фиг.1),снабжена обцимоснованием (контактом), 2. Всю поверхность пластины покрывают слоем 44окисла...

Способ изготовления полупроводниковых структур

Загрузка...

Номер патента: 563704

Опубликовано: 30.06.1977

Авторы: Михаель, Рихард, Хартвин, Герфрид

МПК: H01L 21/265

Метки: структур, полупроводниковых

...аммония. Облученные области слоя окиси кремния исчезают при этом быстрее, чем необлученные, так что после указагНого времени травления в облученных ооластях хорошо просматриваюгся углубления от 10 до 15 нм (фиг. 2).11 а следуошем этапе (фиг. 3) травленые диски нагревают в течение 2 час в печи при температуре 850 С. При нагревании накопле- цый легирующий материал диффундирует в эпитаксиальный слой 2. Образуется зона 11 с проводимостью р-типа с концентрацией 3 10" атом)см на поверхности с глубиной проникновения 1,3 мкм в узких допусках. Затем диск в травленых углублениях вторично облучается ионами при дозе 1,3 10" ем ви энергии 200 КэВ. Ионы, проникающие в зону 11 с проводимостью р-типа, образуют область 15 с проводимостью р+ (фиг. 4),В...