Ильичев

Сетчатый сополимер винилбензиламин-n-метиленфосфоновой кислоты в качестве сорбента индия из концентрированных сернокислых растворов

Номер патента: 1538491

Опубликовано: 27.08.2002

Авторы: Теслер, Петров, Быдрина, Ильичев, Коленко, Балакин, Меньшиков, Родионов

МПК: C08F 212/14, C08F 8/40, B01J 20/26 ...

Метки: сернокислых, индия, винилбензиламин-n-метиленфосфоновой, концентрированных, сополимер, растворов, сетчатый, качестве, сорбента, кислоты

Сетчатый сополимер винилбензиламин-N-метиленфосфоновой кислоты общей формулыгде молярное соотношение x : a : b : c = 1 : 2,8 - 3,9 : 0,5 - 1,6 : 4,в качестве сорбента индия из концентрированных сернокислых растворов.

Рабочая клеть стана холодной прокатки труб

Номер патента: 1490778

Опубликовано: 27.04.2000

Авторы: Ильичев, Павлов, Литвак, Казакевич, Макаркин, Карпов, Носов, Сухарев, Солодихин

МПК: B21B 21/00, B21B 13/18

Метки: стана, клеть, рабочая, холодной, прокатки, труб

Рабочая клеть стана холодной прокатки труб, содержащая неподвижную станину, подвижную станину с пальцами под шатуны привода перемещения, вертикальные валки с подушками, их зубчато-реечный привод с вертикально расположенными неподвижными рейками и шестернями на валках и нажимные механизмы регулировки положения валков с винтовыми парами, отличающаяся тем, что, с целью повышения точности калибра и улучшения условий обслуживания, она снабжена брусьями, соединяющими верхние подушки валков, рамой, установленной на неподвижной станине с одной стороны на оси, а с другой зафиксированной приводным клином и несущей верхнюю рейку привода валков, относительно которой нижняя рейка расположена...

Способ получения феромонов чешуекрылых насекомых

Номер патента: 1113921

Опубликовано: 20.04.2000

Авторы: Иванов, Кондратьев, Штыкова, Гальченко, Ильичев, Скрябин, Мшенский, Андреев

МПК: A01N 63/00

Метки: насекомых, чешуекрылых, феромонов

Способ получения феромонов чешуекрылых насекомых, преимущественно совок, путем химического превращения жирных кислот в целевой продукт, отличающийся тем, что, с целью сокращения затрат труда и получения нескольких феромонов в одном технологическом цикле, в качестве исходных веществ используют смесь жирных кислот, полученную из биомассы бактерий, выращенных на питательной среде, содержащей источники углерода, азота и минеральные соли.

Способ получения наполненных метакриловых сополимеров

Номер патента: 1406135

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Шварева, Ильичев, Столярова, Сергеев, Паус

МПК: C08F 2/44

Метки: метакриловых, сополимеров, наполненных

Способ получения наполненных метакриловых сополимеров путем водосуспензионной сополимеризации метиловых эфиров метакриловых кислот в присутствии радикального инициатора, эмульгатора, регулятора молекулярной массы и наполнителя при нагревании, отличающийся тем, что, с целью повышения устойчивости суспензии, в качестве эмульгатора и одновременно наполнителя используют 45 - 100 мас.% от сомономеров гидрофобного мела, а нагревание смеси до температуры полимеризации осуществляют со скоростью 0,6 - 1,4 град/с.

Отражатель электромагнитных волн

Номер патента: 1563547

Опубликовано: 10.01.2000

Авторы: Ильичев, Благодырь, Добровольский

МПК: H01Q 15/14

Метки: отражатель, волн, электромагнитных

Отражатель электромагнитных волн по авт. св. N 1426378, отличающийся тем, что, с целью повышения точности калибровки, в отражателе параллельно его образующей выполнен сквозной канал круглого сечения, ось которого пересекает ось направляющей отражателя, а радиус сквозного канала равенгде - расстояние от точки сопряжения первых концов логарифмической спирали до оси сквозного канала, причем мин

Отражатель электромагнитных волн

Номер патента: 1426378

Опубликовано: 27.12.1999

Авторы: Добровольский, Ильичев, Благодырь, Пурышев

МПК: H01Q 15/14

Метки: электромагнитных, волн, отражатель

Отражатель электромагнитных волн, выполненный в виде прямого цилиндра, направляющая которого содержит два участка, имеющих форму логарифмической спирали, симметричных относительно оси, каждый из которых вписан в прямой угол и первые концы их плавно сопряжены, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона углов, в котором линейно изменяется эффективная поверхность рассеяния, вторые концы участков продлены до пересечения с осью.

Способ получения изолирующих покрытий

Номер патента: 1119523

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Полторацкий, Слепнев, Ильичев, Родионов, Маслобоев

МПК: H01L 21/205

Метки: покрытий, изолирующих

Способ получения изолирующих покрытий по авт. св. N 940601,отличающийся тем, что, с целью увеличения времени хранения заряда в диэлектрических слоях при формировании диэлектрических слоев из газовой фазы, в нее дополнительно вводят триметилгаллий при мольном отношении к триметилалюминию (0,3 oC 10) 1 и моногерман при мольном отношении к триметилгаллию и триметилалюминию (10-4 10-6) 1.

Способ определения параметров морских волн

Номер патента: 1699233

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Меджитов, Ильичев, Гореликов

МПК: G01C 13/00

Метки: параметров, морских, волн

Способ определения параметров морских волн, при котором размещают в исследуемом районе моря цилиндрическую трубу с датчиком разностного давления, производят измерения и обрабатывают их результаты, отличающийся тем, что, с целью повышения точности за счет уменьшения влияния температурной погрешности и повышения информативности за счет одновременного определения периода и длины волн, при размещении трубы с открытыми торцами первый из них располагают на глубине b1 определения параметров морских волн, при измерении фиксируют период волн Т и разность давлений волн h1 h2 в трубе и вне ее, а при обработке результатов измерений находят длину волны ...

Лазер с периодической структурой

Номер патента: 1378740

Опубликовано: 20.07.1996

Авторы: Алавердян, Афанасьев, Шелюхин, Ильичев, Инкин, Артамонов, Полторацкий, Минаждинов

МПК: H01S 3/18

Метки: периодической, структурой, лазер

Лазер с периодической структурой, включающий полупроводниковую подложку с расположенной на ней двойной гетероструктурой (ДГС) и омические контакты, отличающийся тем, что, с целью уменьшения управляющей мощности, управления диаграммой направленности и повышения граничной частоты модуляции, на верхнем слое ДГС расположен первый дополнительный слой того же типа проводимости, что и у прилегающего к нему слоя ДГС, на первом дополнительном слое расположен монокристаллический изолирующий слой Ga1-zAlzAs:O, в котором выполнены параллельные канавки с наклонными стенками, глубина канавок больше толщины изолирующего, но меньше суммы толщин изолирующего и первого дополнительного слоев, расстояние между канавками меньше 10 мкм,...

Способ изготовления монолитных матриц излучающих диодов с х у-адресацией

Номер патента: 1347831

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Емельянов, Лозовский, Шелюхин, Артамонов, Ефремова, Попов, Ильичев, Инкин

МПК: H01L 33/00

Метки: монолитных, излучающих, диодов, у-адресацией, матриц

Способ изготовления монолитных матриц излучающих диодов с Х-У-адресацией на AIGaAs, включающий формирование в высокоомной подложке с ориентацией 100 проводящих каналов, эпитаксиальное наращивание активных слоев, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных матриц путем исключения двухуровневой разводки, адресные p-шины в Х-направлении формируют на подложке с нанесенным локально маскирующим слоем методом зонной плавки с градиентом температуры перпендикулярно плоскости подложки из расплава галлия с добавкой германия или цинка в количестве 2-4 ат. при температуре 1100-1270 К, градиенте температуры 20-40 К/см со скоростью перекристаллизации 5-200 мкм/ч, затем формируют активные слои, рабочие элементы которых выделяют...

Лазер с полевым управлением

Номер патента: 1393291

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Полторацкий, Артамонов, Ильичев, Шелюхин, Инкин, Алавердян

МПК: H01S 3/19

Метки: лазер, управлением, полевым

Лазер с полевым управлением, содержащий полуизолирующую подложку из GaAs i-типа проводимости с расположенными на ней слоями, которые образуют двойную гетероструктуру (ДГС), сильнолегированный полупроводниковый слой, изотипный внешнему слою ДГС и граничащий с ним, а также полупроводниковый слой с контактами истока, стока и электродом затвора, отличающийся тем, что, с целью достижения непрерывного режима работы лазера путем улучшения теплоотвода, в полуизолирующей подложке выполнена сильнолегированная область, проникающая на всю толщину подложки, а полупроводниковый слой с контактами истока, стока и электродом затвора расположен по другую сторону подложки относительно слоев, образующих ДГС, причем в упомянутом полупроводниковом слое под...

Способ изготовления полевых транзисторов с самосовмещенным затвором

Номер патента: 1565292

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Инкин, Липшиц, Григорьев, Шелюхин, Ильичев, Ахинько, Гольдберг, Артамонов

МПК: H01L 21/335

Метки: самосовмещенным, полевых, затвором, транзисторов

1. Способ изготовления полевых транзисторов с самосовмещенным затвором, включающий формирование на подложке арсенида галлия затвора из ниобия либо нитрида ниобия и маскирующего затвор покрытия, формирование маскирующего покрытия под изготовление областей истока и стока, формирование областей стока и истока, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости величины зазоров между истоком, стоком и затвором, после формирования покрытия под изготовление областей стока и истока проводят окисление подложки в атмосфере "сухого" кислорода при 400 600oС в течение 5 90 мин, затем отжигают подложку в среде водорода при 640 700oС в течение 10 50 мин, а после формирования областей истока и стока удаляют маскирующее...

Способ создания полевых транзисторов с затвором шоттки для сбис зу на арсениде галлия

Номер патента: 1559975

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Ильичев, Липшиц, Емельянов, Ахинько, Шелюхин, Гольдберг, Родионов, Кравченко, Артамонов, Полторацкий, Зыбин, Инкин

МПК: H01L 21/283

Метки: полевых, транзисторов, сбис, затвором, шоттки, галлия, создания, арсениде

1. Способ создания полевых транзисторов с затвором Шоттки для СБИС ЗУ на арсениде галлия, включающий формирование истоковых и стоковых областей, нанесение защитного слоя, вскрытие в нем окон с помощью фотолитографии, локальное окисление подзатворной области, удаление оксида, формирование металлизации затвора, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных схем путем увеличения точности задания пороговых напряжений транзисторов посредством влияния на степень нестехиометрии поверхностного слоя арсенида галлия, локальное окисление проводят методом термического окисления в атмосфере сухого кислорода при 400 600oС в течение 5 90 мин, а удаление оксида проводят методом термического отжига в атмосфере водорода при 600...

Квантовый интерференционный полевой транзистор

Номер патента: 1549419

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Ильичев, Савченко, Полторацкий

МПК: H01L 29/80

Метки: полевой, интерференционный, квантовый, транзистор

Квантовый интерференционный полевой транзистор, содержащий подложку из арсенида галлия с кристаллографической ориентацией (001) с последовательно расположенными на ней каналами в виде слоев арсенида галлия n-типа проводимости с барьерным слоем GaAlAs между ними и сформированные на подложке контакты стока, истока и затвора, отличающийся тем, что, с целью упрощения конструкции, барьерный слой выполнен в виде совокупности кластеров, образующих в кристаллографических направлениях (110) и (001) регулярную структуру с периодом, равным 1 3 длинам волн де Бройля, и имеющую толщину а каналы ориентированы вдоль кристаллографического направления (110).

Инвертор

Номер патента: 1649973

Опубликовано: 10.06.1996

Авторы: Кравченко, Свешников, Полторацкий, Емельянов, Ильичев, Родионов, Шмелев, Инкин, Зыбин

МПК: H01L 29/80

Метки: инвертор

Инвертор на комплементарных полевых транзисторах с затвором Шоттки с нормально закрытыми и открытыми каналами, выполненными на структуре, содержащей подложку из арсенида галлия, на которой последовательно расположены первый нелегированный слой арсенида галлия, первый сильнолегированный слой арсенида галлия, второй нелегированный слой арсенида галлия и контакты стоков, истоков и затворов, отличающийся тем, что, с целью уменьшения рассеиваемой мощности и уменьшения разброса параметров, между вторым нелегированным и первым сильнолегированным слоем арсенида галлия расположены два смежных слоя, один из которых является третьим нелегированным слоем, а другой вторым сильнолегированным слоем с типом проводимости, противоположным типу проводимости...

Оптоэлектронный элемент памяти

Номер патента: 1284439

Опубликовано: 10.06.1996

Авторы: Ильичев, Полторацкий

МПК: H01L 31/14

Метки: памяти, оптоэлектронный, элемент

Оптоэлектронный элемент памяти, выполненный на сильнолегированной подложке арсенида галлия, содержащий излучательный p n-гетеропереход, образованный гетерослоями Gа1-yAlyAs и Gа1-2Al2As, последний из которых граничит с подложкой и имеет с ней один тип проводимости при y>2, активный транзисторный слой с контактами истока и стока и электродом затвора, отделенный от указанных гетерослоев изолирующим слоем из твердого раствора Gа1-xAlxAs:О и имеющий сформированную в активном и изолирующем слоях до слоя Ga1-yAlyAs канавку, на дне которой сформирован омический контакт с площадью, меньшей площади дна канавки, и гальванически соединенный с контактом стока,...

Лазер с полевым управлением

Номер патента: 1391424

Опубликовано: 10.06.1996

Авторы: Инкин, Афанасьев, Полторацкий, Жуков, Алавердян, Иванютин, Артамонов, Ильичев, Шелюхин, Минаждинов

МПК: H01S 3/19

Метки: управлением, лазер, полевым

Лазер с полевым управлением, содержащий полупроводниковую сильнолегированную подложку, на которой расположены слои, образующие двойную р-n-гетероструктуру (ДГС), полупроводниковый слой n-GaAs с контактами истока, стока и электродом затвора, а также омический контакт к подложке, отличающийся тем, что, с целью обеспечения работы лазера в непрерывном режиме путем улучшения теплоотвода, указанный полупроводниковый слой с контактами истока, стока и электродом затвора расположен по другую сторону подложки относительно слоев, образующих ДГС, а между ним и подложкой размещен монокристаллический изолирующий слой AlGaAs:O, причем в полупроводниковом и монокристаллическом изолирующем слоях имеется канавка с наклонными стенками, глубина которой больше...

Способ изготовления мдп-транзисторов

Номер патента: 1597018

Опубликовано: 27.05.1996

Авторы: Липшиц, Ильичев, Матына, Пекарев, Олейник, Варламов, Инкин, Полторацкий, Емельянов

МПК: H01L 21/205

Метки: мдп-транзисторов

Способ изготовления МДП-транзисторов, включающий формирование на подложке арсенида галлия n-типа проводимости областей истока и стока, осаждение слоя диэлектрика методом пиролиза, формирование электрода затвора, отличающийся тем, что, с целью повышения крутизны транзисторов, слой диэлектрика осаждают пиролитическим разложением диэтилдитиокарбамата цинка при температуре подложки 290 350oС и температуре испарителя диэтилдитиокарбамата 200250oС.

Способ изготовления полевых транзисторов с самосовмещенным затвором

Загрузка...

Номер патента: 1628766

Опубликовано: 27.05.1996

Авторы: Ильичев, Ахинько, Инкин

МПК: H01L 21/18

Метки: затвором, транзисторов, самосовмещенным, полевых

...лучшей однородности толщины маскирующего покрытия) уменьшается дисперсия сопротивления областей истоков и позволяет снизить температуры вжиганий 50 стоков по плоскости подложки, Температурные режимы в предлагаемом способе выбраны из соображений минимизации удельногосопротивления,о областей истока - стокапри удовлетворительной морфологии поверхности контакта при температурах меньше 410 С (425 С) р1 Ом мм (для и-типаобластей) и р5 Ом мм (для р-типа) притемпературах430 С (435 С) ухудшаетсяморфология поверхности омических контактов областей истока - стока,Неизвестно формирование защитныхпокрытий (сквозь которые осуществляетсяимплантация примеси) посредством низкотемпературного окисления подложки арсенида галли,я, что позволяет судить...

Элемент памяти

Номер патента: 1153768

Опубликовано: 27.05.1996

Авторы: Маслобоев, Родионов, Полторацкий, Слепнев, Ильичев

МПК: H01L 27/11

Метки: памяти, элемент

1. Элемент памяти, содержащий полупроводниковую подложку из арсенида галлия и активный полупроводниковый слой на ней с контактами стока и истока, а также электрод затвора, отделенный от активного слоя изолирующим слоем с захватом заряда, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия и уменьшения величин пороговых напряжений записи и стирания, изолирующий слой расположен между активным слоем и подложкой и выполнен из монокристаллического слоя твердого раствора Ga1-xAlxAs (0,1 X 0,6), содержащего кислород в...

Способ получения диэлектрических покрытий

Номер патента: 940601

Опубликовано: 20.05.1996

Авторы: Ильичев, Емельянов, Полторацкий, Родионов, Инкин, Слепнев

МПК: H01L 21/205

Метки: диэлектрических, покрытий

1. Способ получения диэлектрических покрытий на подложках арсенида галлия и твердых растворов типа CaAlAs, включающий размещение подложек в реакторе, их нагрев, формирование пассивирующих и диэлектрических слоев, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств границы раздела диэлектрический слой подложка за счет уменьшения плотности поверхностных состояний, диэлектрический слой формируют методом осаждения из газовой фазы, содержащей триметилалюминий, арсин, кислород при мольных соотношениях алюминия, мышьяка и кислорода 1:(5-10):(10-3 10-5) соответственно и температуре подложек 600 650oС.2. Способ получения диэлектрических покрытий по п. 1, отличающийся тем,...

Способ изготовления джозефсоновского контакта на основе ниобия

Номер патента: 1602301

Опубликовано: 20.05.1996

Авторы: Ильичев, Тулин, Войтенко, Борисенко, Закосаренко

МПК: H01L 39/24

Метки: ниобия, основе, джозефсоновского, контакта

Способ изготовления джозефсоновского контакта на основе ниобия, включающий напыление пленки ниобия на кремниевую подложку, формирование фоторезистивной маски, травление слоя ниобия, формирование слоя барьера, напыление второй пленки ниобия, формирование второй фоторезистивной маски, травление второго слоя ниобия, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических характеристик контакта, слой барьера формируют нанесением пленки карбита кремния.

Способ обезвреживания радиоактивных отходов

Загрузка...

Номер патента: 1795804

Опубликовано: 10.05.1996

Авторы: Чернышев, Анисин, Трутнев, Андрюшин, Трухин, Ильичев, Лебедев, Маршалкин

МПК: G21F 9/24

Метки: радиоактивных, отходов, обезвреживания

...ЯБП в рэсплаве по- . роды составит 1,510 Ки/г, В серии иэ 10 взрывов возможно уничтожение до 1010 ядерных зарядов. При размещении уничтожаемых РОвнутри термоядерного устройства возможно обеспечение нейтронной трансмутации ВАО и ТУЭ в реакциях (и, 2 п) и (и, Зп) и (и, 1).20 При этом для долгоживущих осколков деления (в том числе таких как 90 Яг и Сэ) определяющим процессом является их выжигание быстоыми нейтронами с энерГиЕй В .-. с - 11 Нв, ПОЛуЧаЕМЫМ ПрИ 25 сгорании термоядерного горючего, в реакциях (и, 2 п) и (п, Зп). Важным обстоятельством является наличие в зоне трансмутации эффективного поглотителя медленных нейтронов, который резко ослабляет обратный 30 процесс рекомбинации Яг и 1 Сз в реак 90ции (и, 7) из-за большего...

Способ определения параметров полупроводниковых материалов

Загрузка...

Номер патента: 1835967

Опубликовано: 20.02.1996

Авторы: Антонюк, Дьяченко, Виноградов, Ильичев

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, параметров

...раствор соляной кислоты или поваренной соли. С целью повышения точности локальных измерений за счет уменьшения размеров области приложения обедняющего постоянного и переменного напряжений в качестве электролита 2 целесообразно использовать вещество, электрол итическая диссоциация в котором наступает при оптическом облучении, например, лейкоцианиды трифенилметановых красителей. Проводящий канал к исследуемому участку образца создается при облучении вещества в ограниченной области, размеры которой определяются размерами сечения возбуждающего луча, временем жизни неравновесных ионов и их подвижностью в исходном веществе,Предлагаемый способ состоит в следующем: к исследуемому участку образца подводят зондирующее излучение миллиметрового,...

Способ получения гомополимеров и сополимеров метилметакрилата

Номер патента: 322330

Опубликовано: 10.09.1995

Авторы: Лепилин, Пеньков, Рубцов, Ильичев, Малышева, Лебедев, Агафонова, Белопольский, Аржаков, Попов, Хвиливицкий, Курыгин, Морозов, Опарин

МПК: C08F 20/14

Метки: гомополимеров, сополимеров, метилметакрилата

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ГОМОПОЛИМЕРОВ И СОПОЛИМЕРОВ МЕТИЛМЕТАКРИЛАТА путем полимеризации соответствующих мономеров в массе в присутствии инициатора полимеризации и регулятора молекулярного веса при 35 40oС с последующей дополимеризацией полученного продукта при 105 125oС, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени полимеризации при получении монолитных блоков толщиной более 20 мм, процесс проводят при соотношении инициатора и регулятора, равном 1 1,2 1 и суммарной их концентрации не менее 1,2% от веса мономеров.

Способ получения макропористых неионогенных сорбентов

Номер патента: 1434722

Опубликовано: 15.01.1994

Авторы: Бруцкус, Уварова, Ильичев, Алексеев, Завадовская, Резаненко, Салдадзе, Эльберт

МПК: C08F 212/36

Метки: неионогенных, сорбентов, макропористых

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МАКРОПОРИСТЫХ НЕИОНОГЕННЫХ СОРБЕНТОВ суспензионной полимеризацией чистого или технического дивинилбензола в присутствии радикального инициатора и инертного органического растворителя - порообразователя при нагревании с последующей отгонкой растворителя, отличающийся тем, что, с целью повышения сорбционных свойств целевого продукта, в качестве технического дивинилбензола используют продукт, содержащий не менее 50 мас. % дивинилбензола и не более 50 мас. % этилстирола, в качестве порообразователя - циклогексан и/или ароматические углеводороды, и полимеризацию проводят при объемном соотношении дивинилбензола или технического дивинилбензола и порообразователя, равном 1 : 1 - 1,3, а отгонку растворителя осуществляют при 75 -...

Половой аттрактант для самцов озимой совки agrotis (-scotia) segetum

Загрузка...

Номер патента: 1054947

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Ташлыкова, Верзунова, Пятнова, Ковалева, Лебедева, Ильичев, Таксиди

МПК: A01N 31/02

Метки: совки, аттрактант, самцов, segetum, scotia, половой, озимой, agrotis

...путем лег- . кого сжатия стенок трубки. Цис-тетрадеценаль 100 Цис-гексадеценол 100 ( прототип ) Цис-гексадеценол; цис-тетрадеценаль 95:5 Цис-гексадеценол:Каждую резиновую трубку герметично упаковывают в алюминиевую фольгу.Аналогично готовят, наносят и упаковывают смеси другого соотношения, а также индивидуальные вещества,Резиновые трубки с нанесенным аттрактантом освобождают от упаковочной фольги непосредственно перед применением.Резиновые трубки помещали в клеевые ловушки, которые раставляли в поле через каждые 20 м в линию над уровнем растительности и снимали на рассвете для подсчета количества прилетевших самцов озимой совки,Результаты испытаний представлены в таблиЦе.Результаты испытаний показывают, что смеси цис-гексадеценола с...

Половой аттрактант вьюнковой совки erastria trabealis scop

Загрузка...

Номер патента: 1050147

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Таксиди, Ильичев, Пятнова, Умнова

МПК: A01N 29/02

Метки: erastria, половой, аттрактант, вьюнковой, совки, trabealis

...насекомыми.Известно также применение световых ловушек для отлове бабочек совок, включая и вьюн ковую; Однако применение:световых ловушек малоэффективно и трудоемко.Цель изобретения - повьиоение эффективности ловушек, предназначенных для борьбы с вьюнковой совкойУказанная цель достигается .применением цис-деценола в качестве полового аттрактанта для самцов озимой. совки, Цис-де 6 енол описан как промежуточный про дукт в синтезе цис-деценилацетата,мали и производили учет прилетевших особеи.Результаты испытаний представлены втаблице.5 Результаты испытаний показывают, чтоцис-деценол действует гораздо эффективнее контрольных световых ловушек.Цис-деценол отличается высокой видовой специфичностью, так как не привле 10 кает другие виды и...

Половой аттрактант для самцов озимой совки

Загрузка...

Номер патента: 1381748

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Воронкова, Лебедева, Пятнова, Ташлыкова, Ильичев, Курбатов, Ковалева, Таксиди, Рославцева

МПК: A01N 31/02

Метки: озимой, половой, совки, аттрактант, самцов

...раствора цис-деценилацетата концентрации 0,02 мг/мл. Раствор готовят методом разбавления, Для этого 20 мг цис-деценилацетата, взвешенного на аналитических весах в микропипетке, растворяют в 100 мл гексана и, отобрав 10 мл полученного раствора, разбавляют его гексаном в мерной колбе до 100 мл, Получают раствор концентрацией 0,02 мг/мл,Полученную смесь растворов осторожно взбалтывают для получения однородного раствора и в него помещают по возможности быстрее 100 резиновых медицинских 1 пробок (масса каждой 0,6 г), закрывают пришлифованной пробкой и колбу энергично встряхивают до тех пор. пока гексановый раствор полностью не впитается пробками.5 Затем пробки упаковывают герметично втрехслойный упаковочный материал: полиэтилен-алюминиевая...

Повязка для лечения ран

Загрузка...

Номер патента: 2000762

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Ерусалимская, Ильичев, Райхер

МПК: A61L 15/24, A61F 13/54

Метки: ран, повязка, лечения

...способности по сравнению с другими угле- родными тканями, используемыми для повязок, заявленная ткань обеспечивает капиллярный эффект, необходимый для "прокачивания" жидкости, выделяемой из раны через капилляры или микропоры угле- родной ткани. В то же время плотность ткани такова, что размеры ячеек, образованных между переплетенными основными и уточными нитями обеспечивают поступление на рану лекарственных веществ, которые могут быть использованы в повязке сверху угле- родной ткани. Для усиления капиллярного эффекта без значительного повышения сорбционной способности и, следовательно, удельной поверхности, активацию углеродной ткани производят электрохимическим методом в5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 щелочной среде с добавлением 320 ь в...