H01L 33/00 — Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов

Электролюминесцентный преобразователь изображения

Загрузка...

Номер патента: 165845

Опубликовано: 01.01.1964

Автор: Зыков

МПК: H01L 33/00, H05B 33/02

Метки: электролюминесцентный, изображения

...светонепрони 1 й слой 4, токоподводяополнительные электророводник 8. Слои 2 и 8 ктролюминофора покрыдиэлектрическими плаПри равномерном освещении фотопроводящего слоя его сопротивление, а следовательнс, и напр 51 жение 111 ежду электродом Б и высокопроводиом 8 буде Одинаков по 5 всей длине преобразователя. Это же напряжение приложено и к слОю эЛектролюминофорк, который светится также равномерно.При помощи дополнительных электродов 7в слое электролюминофора создается пере менное электрическое поле, равное по амплитуде и противоположное по фазе основному полю, создаваемому токоподводящими электродами 5 и б. Суммарное электрическое поле в электролюминофоре равняется нулю, элек тролюминофор не светится.При затемнении какого-лиоо участка...

Электролюминесцентный экран с электродами гребенчатой структуры

Загрузка...

Номер патента: 182763

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Фаворин, Соркин

МПК: H01L 33/00, H05B 33/02

Метки: гребенчатой, структуры, электролюминесцентный, электродами, экран

...может быть применена в различного рода устройствах.Растровый электролюминесцентный экран может найти применение: в качестве электролюминесцентного планшета, дающего яркое и контрастное изображение прн записи на нем информации графитовым карандашом; в усилителе яркости изображения; в светозапасаюшем усилителе.5В усилителе света на поверхность стекла,имеющую прозрачные проводящие электроды, выполненные в виде двойной гребенки, наносится слой электролюминофора так, что элек- О тролюминофор лежит только на прозрачныхэлектродах, а промежутки между электродами заполнены смолой, не содержащей в себе электролюминесцентных частиц. Благодаря такому нанесению слоя электролюминофора 5 обеспечивается эффективное использованиефотопроводника для...

192959

Загрузка...

Номер патента: 192959

Опубликовано: 01.01.1967

МПК: H01L 33/00

Метки: 192959

...38 лл-. 1. Оптический индикатор настройки, отци гоиийся тем, что, с целью сццжсния рабо его напряжения ц уменьшения габаритов, о Для настройки радиосхем применялись оптические индикаторы настройки типа бЕ 1 П, Этц вакуумные приборы требуют высокого питающего цапряжеция, имеют большое потрсблеиие и габариты. В связи с этим они не пригодцы для использования при настройке транзисторных схем.Предложен полупроводниковый шдикатор настройки, позволяющий производить настройку при рабочем Напряжении 3 - 5 в, Он вьшолнец из цолупроводцика с цирокой запрещеццой зоной с р-г-переходох с тремя (цги более) выводамц, два или более из которых служат для пропускацця тока электролюминесценции, а третий (или остальные) - для управления площадью...

Многослойный преобразователь излучения

Загрузка...

Номер патента: 200007

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Рождественска, Новицкий, Якобсон, Троскопии

МПК: H01L 33/00, H05B 33/02

Метки: излучения, многослойный

...импед проводника и электроломи металлический диск со стор ватель излучения, еский диск с анис выравнивающей динка и нагрузочюциися тем, что, ансов слоев фото. офора, на стеклооны сетки нанесеИзобретение относится к олюминесцентных усилителей и р р лей.В известных электролюминесцентных преобразователях излучения трудно достичь хорошего согласования импедансов фотопроводящего и электролюминесцентного слоев, так как необходимо, чтобы темновое сопротивление фотопроводника было на несколько порядков больше сопротивления электролюминесцентного слоя.В прелложенном преобразователе согласование фотопроводникового и электролюминесцентного слоя легко достигается шунтированием скорости электролюминофора сопротивлением нагрузочного слоя.Для...

Устройство для возбуждения свечения электролюминесцентного индикатора

Загрузка...

Номер патента: 203092

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Маркачев, Веселовский

МПК: H01L 33/00

Метки: индикатора, возбуждения, электролюминесцентного, свечения

...схемы совпадения на диодах 2, 8, резистора 4 и ждущего релаксационного генератора на лампе тлеющего разряда 5 с ограничивающим резистором 6 в цепи анода, стабилизирующим резистором 7 в цепи сетки, разделительным конденсатором 8 и времязадающей цепочки, состоящей из резистора 9 и электролюминесцентного индикатора 10, На вход 11 поступают тактовые импульсы, определяющие частоту возбуждающего электронапряжения.В нормальном состоянии с запоминающего каскада 1 на диод 2 схемы совпадения поступает запрещающий уровень напряжения. Тактовые импульсы на выходе схемы совпадения отсутств то я и электролюм д р е светится.При поступлении с запоминающего каска да 1 на диод 2 схемы совпадения разрешающего уровня напряжения тактовые импульсы с выхода...

Оптический индикатор

Загрузка...

Номер патента: 258458

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Ещин, Игнаткина, Медведев, Меськин

МПК: H01L 33/00

Метки: индикатор, оптический

...и увеличение контрастности границы светящейся области,Это достигается тем, что в предлагаемомоптическом индикаторе одна из областей (рцлц и-) которого имеет форму вытянутого параллелепипеда по крайней мере с двумя контактами ц постоянным сопротивлением ца единицу длины вдоль р - гг-перехода, сопротивление втопой ооластц между ее контактом и любой точкой р - гг-перехода уменьшается, например, по параболе.На фиг. 1 изображен оптический индикаторс оценкой напряжения по длине светящейся линии; на фцг. 2 - то же с оценкой напряжения по длине двух светящихся линий, расположенных под углом одна к другой, (Этот индикатор может быть выполнен в виде двух симметричных индикаторов, представленных на фиг. 1).р-Область пндцкатора (фиг. 1) имеет...

Оптический индикатор

Загрузка...

Номер патента: 302053

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Игнаткина, Медведев, Сильвестрова, Равич, Меськин, Ещин

МПК: H01L 33/00

Метки: оптический, индикатор

...контактам различных областей. Используется зависимость площади или длины светящейся области р - и.перехода от величины контролируемого напряжения.Недостаткоог таких приборов является малая чувствительность при значительном потреблении тока, который необходимо пропускать через сплошной р - гг-переход большой площади.Целью настоящего изобретения является создание прибора, обеспечивающего прп минимальной потребляемой мощности возможность эффективного визу ального контроля с одновременным цифровым отсчетом величины напряжения, а также возможность цветовой фиксации определенных уровней напряжения.Это д Я- щаяся л иостигается тем, что сплошная свет иния заменяется в предлагаемом пр инией из отдельных светярн той же длине и ширине т уменьшение...

Злектролюминесцентный преобразователь изображения

Загрузка...

Номер патента: 374683

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Авторы

МПК: H05B 33/02, H01L 33/00

Метки: изображения, злектролюминесцентный

...1, стеклянной оболочки 2, внешнего проводящего слоя 3, образующего два электрода, электрически изолированные друг от друга.На один из торцов планшайбы, которыи воспринимает падающее излучение, нанесен слой 4 фотопроводника, а на другой торец - проводящий слой 5 в виде мозаики (см. фиг. 2), слой электролюминофора б и прозрачный электрод 7. Электролюминесцентный преобразователь снабжен также источником 8 постоянного напряжения.Питающее постоянное напряжение прикладывается между электродом на торце со слоем фотопроводника 4 и прозрачным электродом374683 25 Ереминарачева ставительТехред Л Наро Корректо ври ак Заказ 249/893 Изд.353 Тираж 780 ПодписноеЦ 11 ИИПИ 1(омитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква,...

401298

Загрузка...

Номер патента: 401298

Опубликовано: 25.09.1974

Авторы: Кириллова, Пекный, Меськин, Равич, Берковская, Подласкин

МПК: H01L 33/00

Метки: 401298

...В соответствии с цз.лененц8 М Ве 11-ЛНЫ Е ВОрстЛепт НЗМВНЛгтсяСДНС ттЯРтоС Т СМеШецня ЦЯ и ЧЕ гтСЯХ И ОСУ гЦЕ,слвтяеся скя 11 црованц Излуч 8 гия, про фцесс продолжается Вредс Т, равное нерцопу чзменения напряжения ЕЗа это врес тслмя высвечивается весь набор излучающихконфигураций К, где г равно тислуЗг.Ет 81 ТЯРНЫХ ЛЧЕЕК.ЯТас., простейшем случае при линейномДЕЛНТЕЛЗ НаНРЛт 8 НИЯ 1, , ", -., ЛЦг-г 4Нтзтгпог ИЗд.:81 ЕНгц анрякеПЛя 1- = ", г.СМ СМ. 0щг раВНОМериой раСВЕТКЕ ВСЕХ фОТОПИОДОВ и ПОГ,:18 ДОтатеЛтОД РаСПОЛОжЕНИИ СВС Тот ПОДО тгВ СПНСгй СТООКЕ За ВрЕЛя 1 Грапцпа тг 81 т ттг). Ю 1 Л 1".: Элед 8 НТОВ РЯВНОт 8 Рто ПЕРОМ 8 Цае" с од;сно края излучателя к другомуЯ ГтцскрвттЬХ НОтОг 81 цт,.,ЬН 1 тянгтлгпепгтт...

327884

Загрузка...

Номер патента: 327884

Опубликовано: 25.10.1974

Авторы: Иванова, Новиков, Круглов, Виолин, Кмита, Павличенко, Бабенко, Боева, Ломакина, Рыжиков, Водаков, Холуянов

МПК: H01L 33/00, H01L 27/00

Метки: 327884

...превышает 5 по крайней мерв в 10 раз сопротивление этого слоя по нормали к переходу.На чертеже изображен многоэлементный индикатор на карбиде кремния еВ пластине 1 карбида кремния,легированной азотом, формируют дввобласти: высокоомную р-область 2толщиной,напримвре Ое 2-Ов 5 мкм и 25 1 слаболегйрованную компенсированнуюсоставитель ЯЛОпешкин Редакгор 1 ЛарИНа ехред Н.СЕг 1 ИНЭ Корректор И Л 6 НИйа11 одиигиое зааз Дг/ над 11 з г о 1 Тираж 1) 1111111111 Государствеииого комитета Совета Мииисгров СССР ио делам изобретений и открытий Москва, 113035, Раушская иаб., 4 Предприятие Патеит, Москва, Г.59, 1 ережковская иаб., 24 область 5 толщиной не более 0,5- 1,2 мкм. Со стороны р-области вышлифовывают ступеньку Ф на глубину порядка 10-15...

Диодный источник света на карбтде кремния

Загрузка...

Номер патента: 438364

Опубликовано: 05.07.1976

Автор: Павличенко

МПК: H01L 33/00

Метки: карбтде, источник, кремния, света, диодный

...раза выше по сравнению с новыми приборами.Значительный эффект наблюдается у карбидокремниевых светодиодов на эпитаксиальных пленках по величине прямого падения напряжения. При комнатной температуре и при токе в 10 ма оно составляет минимально возможную для карбида кремния величину 2,25 - 2,5 в (весьма близкую к контактной разности потенциалов), причем у основной части приборов (85%) оно равно 2,25 - 2,35 в, Таким образом, у преобладающего большинства приборов разброс значений прямого падения напряжения не превышает 5 О/о (в отношении к его минимальному значению), что по крайней мере в 10 - 15 раз ниже по сравнению с приборами на кристаллах ПМХЗ и ОХМЗ. Значения прямого падения напряжения при этом очень незначительно уменьшаются (до 2,2 -...

Полупроводниковый источник света

Загрузка...

Номер патента: 316378

Опубликовано: 05.08.1976

Авторы: Круглов, Мохов, Холуянов, Павличенко, Водаков, Кмита, Ломакина, Виолин, Маслаковец, Рыжиков

МПК: H01L 33/00

Метки: света, полупроводниковый, источник

...прибора в области низких температур наличие сильнолегированного низкоомного р . слоя, Такой слой позволяет эффективно инжекти. ровать носители заряда со стороны р - области при низких температурах, так как концентрация дырок в низкоомном сильнолегированном р - слое приотемпературе около 60 С оказывается (несмотря на значительное уменьшение концентрации дырок с понижением температуры в дырочном карбиде кремния) существенно выше, чем концентрация носителей заряда в высокоомном активированном слое. Это обстоятельство влияет и на рабочее напряжение прибора, позволяя снизить его до минимально возможного.31 б 378 Фор мула изобретения Со ставитель М, ЛенешкинаРедактор Б. Федотов Техред Н. Андрийчук Корректор Т. КравченкоЗаказ 5055/423...

Полупроводниковый источник света

Загрузка...

Номер патента: 414950

Опубликовано: 05.08.1977

Авторы: Царенков, Водовозова, Титова, Деготь, Яковлев, Дохман, Именков, Коган

МПК: H01L 33/00

Метки: источник, света, полупроводниковый

...лучей света, падающих на поверхности, их ограничивающие. Таким образом, наличие выпуклости или впадины приводит к повышению внешнего квантового выхода источника света.Геометрические размеры выпуклости или впадины должны быть больше длины волныиз414950 Составитель Г, КорниловаРедактор Б. Федотов Техред 3. Фанта Корректор С Пдтруш 1 одп ис и оеСовета Ииннстроткрытш дп наб д М 5/46Ш 111 И П 11 За,;э в СС дарственного комитата по делам изобретений1 оскца А, Рдушс 1130 Ужгород, ул. 11 ро.гтння, 4 илндл 11 Ш 1" 11 атент", я злучения источника света, чтобы обеспечить тклонение луча. Поверхность выпуклости или впадины не должна располагаться от р-п -перехода на расстоянии меньше диффузионной длины неосновных носителей, чтобы большая...

Светоизлучающий прибор

Загрузка...

Номер патента: 773795

Опубликовано: 23.10.1980

Авторы: Чиковани, Чармакадзе

МПК: H01L 33/00

Метки: прибор, светоизлучающий

...естественные, неконтролируемые примеси из источников окиси бора, цинка, азота,аргона, кобальта, меди и др.Первый контакт 4, например из алюминия, наносится на слой ЯЧИ, второйконтакт 5 образуется нанесением индияна слой бай.При подаче прямого смещения происходит инжекция носителей заряда вбай, имеющая односторонний характер,что обусловливается наличием инжектирующего гетероперехода б между эпитаксиальными слоями Сай 2 и Я РМ 3 ирекомбинацией.в слое Сай.Излучение выводится через сапфировую подложку, а также из слоя А 2 Й,являющегося оптическим окном,Полупроводниковое светоизлучающееустройство характеризуется эффективной инжекцией, малой напряженностьюполя Е1,5 10 В/см весьма высокойравномерностью излучения по всей поверхности...

Эпитаксиальная структура

Загрузка...

Номер патента: 581755

Опубликовано: 23.03.1981

Авторы: Дружинина, Рогулин, Долгинов, Мильвидский

МПК: H01L 33/00

Метки: структура, эпитаксиальная

...типа. Шихта длявыращивания эпитаксиального слоя10Оах 1 п х А 9 5 Ь содержит: индия 4 г,антимонида индия 1,2 г, антимонидагаллия 20 мг, арсенида индия 300 мг.Шихта для выращивания ОаАь 5 Ь содержит:. галлия 3 г, антимонида галлия 500 мг, арсенида галлия 3 мг,цинка 30 мг.Подложку арсенида индия подводятпод расплав для выращиванияОах 1 пл. А 5 Ь 9 при 520 С, а под 20,расплав для выращивания ОаАь 5 Ьок-цпри 500 СПроцесс эпитаксии проводят в режиме принудительного охлаждения раствора-расплава со скоростью0,8 град/мин.Толщины полученных эпитаксиальныхслоев: Оа 1 п Аь 5 Ь.З 20 мкм,ОаА 5 Ь40 мкм. Состав полученныхэпитаксиальных слоев, по данным локального рентгеноспектрального анализа, соответствует Оа 009 и Аь 5 Ьи О А 5 Ь0,09...

Источник света

Загрузка...

Номер патента: 873311

Опубликовано: 15.10.1981

Авторы: Галченков, Патрашин, Абагян, Бондарь

МПК: H01L 33/00

Метки: источник, света

...Техред Ж.Кастелевич орректор В. Синицка Подписноекомитета СССРоткрытийская наб., д. 4/5 ираж 787Государственног делам изобретений Москва, Ж, Ра Филиал ПНП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная В этой конструкции широкозонные эмиттеры образуют р"и-гетеропереходы е активной областью и носители инжек- тируются и активную область каждым иэ эмиттеров. При этом плотность тока через р-й-переход при неизменной общей величине рабочего тока снижается практически вдвое, обеспечивая эффективное уменьшение деградации источника, а следовательно, и значи тельное увеличение срока службы.На чертеже изображен полупроводниковый источник света;Конкретным примером реализации ,предложенной конструкции является по лупреводниковый источник спонтанного излучения...

Источник электромагнитного излучения

Загрузка...

Номер патента: 1117736

Опубликовано: 07.10.1984

Авторы: Яблоновский, Малютенко, Болгов

МПК: H01L 33/00

Метки: источник, электромагнитного, излучения

...из биполярного полупроводника толщиной порядка диффузионной длины, но большей обратной величины коэффициента поглощения междузонного излучения полупроводника с положительным температурным коэффициентом ширины запрещенной зоны, омические контакты 2, которые электрически соединены с узкими гранями 3 и 4, источник электрического поля 10 соединен положительным полюсом через контакту 2, расположенный на грани 3, магнит 5 расположен так, что его си7736 4тельным (1 пЗЬ) температурным коэффи. циентом ширины запрещенной зоны зависимостьРо(Т) монотонно и довольно резко возрастает с температурой. Для1 пЗЬ погрешность на 1 К - в - 3 Ж/градьРеР ЬТРв области 290 К, а для СдНВТеР аТ =1,3 Х/град. Однако для целого рядазадач измерительной техники...

Светоизлучающий диод

Загрузка...

Номер патента: 1032953

Опубликовано: 15.05.1985

Авторы: Сидоров, Рассохин

МПК: H01L 33/00

Метки: диод, светоизлучающий

...обоих выводов, и увеличения тока, протекающего через кристалл (до 100 мА). Однако размер излучающей поверхностиэтого прибора, также как и другихконструкций, содержащих выводырамочного типа, не превышает 5 мм,что не позволяет использовать ихв табло коллективного пользованиябез дополнительного рассеивающегосвет элемента с большим размеромсветящейся поверхности,Целью изобретения, является увеличение излучающей поверхности светодиода при сохранении технологичности его сборки. Поставленная цель достигаетсятем, что в известном светоиэлучающем диоде, содержащем рамочный держатель с выводами и излучающие кристаллы, включенные последовательно,верхние части выводов держателявыполнены под прямым углом к егоплоскости и расположены по меньшеймере в...

Полупроводниковый дискретно-аналоговый индикатор (его варианты)

Загрузка...

Номер патента: 1144575

Опубликовано: 23.03.1986

Авторы: Сыпко, Бушма, Рассохин

МПК: H01L 33/00

Метки: полупроводниковый, индикатор, дискретно-аналоговый, варианты, его

...утомляемости оператора при одновременном сокращении энергозатрат на индикацию.Цель достигатся тем, что в полупроводниковый дискретно-аналоговый индикатор, содержащий М источников излучения прямоугольной формы с размерами а х в, соединенных одноименными полюсами и имеющих один общий и М независимых выводов, введены 2 М прямоугольных источников излучения с размерами а х с, гдевс е - , расположенных попарно симметрично на оси каждого из источниковс размерами а х в, перпендикулярнойпродольной оси индикатора, при этомодни из одчоименных полюсов введенных источников соединены с общимвыводом источников с размерами а хх в, а другие одноименные полюсапопарно симметричных источников излучения соединены между собой и имеют независимые выводы от...

Суперлюминесцентный диод

Загрузка...

Номер патента: 1139337

Опубликовано: 07.10.1987

Авторы: Мезин, Заргарьянц, Курносов

МПК: H01L 33/00

Метки: суперлюминесцентный, диод

...в плоскости 100) изготовлена полупроводниковая структура, представляющая собой последовательнорасположенные и-СаАз - подслой толщиной 8 мкм и и-Сао А 1 р, Аз - ограничивающий слой толщиной 3 мкм (ниж- .няя пассивная область 2), СаАз - ак 5тивный слой 3 толщиной 0,4 мкм ир - и переход 4, образованный междуактивным слоем 3 и верхней пассивнойобластью 5, которая, в свою очередь, ..состоит иэ р-Сао,А 1 З,-Аз ограничива ющего слоя толщиной 1,5 мкм, р-СаАзслоя 6 толщиной 2,5 мкм и и-СаАзслоя 7 толщиной 1,5 мкм. В описаннойструктуре с помощью химического травления создана канавка определенной 15формы глубиной 3,5 мкм. Эта канавкарасположена под углом сС =9 - 16 ксколотым граням структуры. Для обеспечения протекания тока только...

Двойная гетероструктура для излучающих приборов

Загрузка...

Номер патента: 1358017

Опубликовано: 07.12.1987

Авторы: Заргарьянц, Мезин, Курносов

МПК: H01L 33/00

Метки: двойная, приборов, излучающих, гетероструктура

...активной области в рабочем режиме, что ведетк стабилизации параметров излучателя.При этом эффективная излучательнаярекомбинация начинается уже при начальных положительных смещениях, т,е.значительно снижается порог лазернойгенерации. Кроме того, так как у прозрачного для излучения окисла металла ширина запрещенной зоны большеширины запрещенной зоны активного40слоя, происходит эффективное ограничение инжектированных неосновныхносителей через р-п гетеропереход.Следует отметить, что пленка проводящего окисла металла достаточноэластична и практически не создает45дополнительных кристаллических напряжений на гетерогранице при повышениитемпературы активной области во время инжекции носителей, Это понижаетобщий уровень безызлучательной...

Светодиод торцового типа

Загрузка...

Номер патента: 1455373

Опубликовано: 30.01.1989

Авторы: Страхов, Яременко, Карачевцева

МПК: H01L 33/00

Метки: светодиод, типа, торцового

...2Ь/Ь для световода с длиной во1=1,54 мкм, . 5=180 мкм, шириноИ=300 мкм, плотности тока 120 А/при Т=ЗОО К.Светодиод торцового типа содеподложку 1 с последовательно вырными на ней первым эмиттерным сл2, активным слоем 3 и вторым эминым слоем 4. На поверхность подл1 и противоположную поверхностьрого эмиттерного слоя 4 нанесеньтакты 5 и 6. Излучающий кристаллкреплен на держателе 7. Кристалл53734сплошные линии). Вклад излучения, выводимого за счет эффекта многопроходности на длинных диодах, существенно 5выше, чем на коротких, поскольку сростом длины излучающего кристаллауглы падения лучей на контакты, а следовательно, коэффициент отражениявозрастают. При больших значениях1/Ь заметно насыщение яркости и внешний квантовый . выход...

Светоизлучающий инжекционный полупроводниковый прибор

Загрузка...

Номер патента: 1493034

Опубликовано: 23.11.1990

Авторы: Аршинов, Стафеев, Векшина

МПК: H01L 33/00

Метки: полупроводниковый, светоизлучающий, прибор, инжекционный

...подвижных носителей для инверсногоф55 канала, примыкающего к ним,устройство работает следующийобразом. При прямом см.шенин, подаваемом напереход между подобластями 4 н 5,неоснояные носители ннжектируются имв область инверсного канала, гдерекомбинируют с основными носителями.Рекомбинация электронно-дырочных парсопровождается излучением квантовсвета, энергия которых зависит отширины запрещенной зоны уэкоэонногополупроводника с прямой структуройэнергетчческих эон. Непрокомбинированные неосновные носители выбрасываются встроенным полем пространственного заряда перехода поцобласть4 - слой 2 из активной области инверсного канала в примыкающую к ней область слоя 2 и уходят во внешнююцепь. Ускоренный вывод непрокомбинировавших неосновных...

Светодиод

Загрузка...

Номер патента: 867249

Опубликовано: 28.02.1991

Авторы: Абагян, Коташевский, Минаждинов, Невский, Коган, Бондарь, Брагин, Патрашин

МПК: H01L 33/00

Метки: светодиод

...крайней мереодин дополнительный слой, замкнутыйсо слоем того же типа проводимостии Образующий р-и-переход со слоем,на котором он расположен. В этом случае образуется р-и-р(п-р-п)-структура, в которой слои р-типа (и-типа) электрически замкнуты между собой, а ток пропускается обычным образом. Тогда, при сохранении суммарного тока питания, ток, протекающийчерез каждый р-п-переход, равен половине тока питания, а выводимыйсветовой поток равен сумме потоков,выводимых от каждого р-и-перехода ипревышает световой поток, выводимый35 из обычного светодиода при такомже токе питания. При этом площадьзаявляемого светодиода равна площадиобычного светодиодаРабота светодиода осуществляетсяследующим образом,Замыкаются контактыи б. Затемк светодиоду...

Туннельный светодиод

Загрузка...

Номер патента: 1732402

Опубликовано: 07.05.1992

Авторы: Чуйко, Волков

МПК: H01L 33/00

Метки: светодиод, туннельный

...7 к подложке 1. В качествеподложки 1 может быть, например, использован сильнолегированный баЯЬ, ориентированный в направлении 11, толщиной 30мкм, на котором методом газофазной эпи 15 таксии выращена полупроводниковая пленка 2 п -ба ЯЬ с той же кристаллографическойориентацией, что и подложка, толщиной5 мкм и концентрацией примеси Кб == 10 см . Диэлектрическая пленка 5 мо 20 жет быть выполнена из пиролитически нанесенного окисла А 20 з толщиной 50 А,Поверх атой пленки нанесена пленка 3 изр толщиной 0,1 мкм, Металлический контакт 7 к подложке из 1 п, Диэлектрические25 области 6 из А 20 з служат для ограничениятока и уменьшения поверхностных эффектов. Область окна 4 для вывода излученияполучена локальным травлением пленки 3,Туннельный...

Сеть электролюминесцентных диодов

Загрузка...

Номер патента: 1732822

Опубликовано: 07.05.1992

Автор: Ренс

МПК: H01L 33/00, G09F 9/33

Метки: сеть, диодов, электролюминесцентных

...электролюминесцентных диодов, на фиг,2- один из электролюминесцентных диодов полосы на элементе радиатора, соединения которого располагаются в соответствующий ему коллимационный оптический элемент,Сеть электролюминесцентных диодов состоит из множества полупроводниковых кристаллов 1, преимущественно кубической формы, расположеных с постоянным интервалом друг за другом между двумя металлическими накладками 2 и 3 с контактами 4,В каждом кристалле 1 создаются известным образом по крайней мере, две области с проводимостью противоположного типа, формирующие электролюминесцентное соединение.Каждая накладка получается из проводов, выполненных из материала с хорошей электропроводностью и очень хорошей теплоп роводностью; Этот провод...

Полупроводниковый источник света

Загрузка...

Номер патента: 1774400

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Мохов, Водаков, Вольфсон, Роенков, Семенов

МПК: H01L 33/00, H01L 21/363

Метки: света, полупроводниковый, источник

...способствует подавлению не только дефектной ЭЛ, но и других, более низкоэнергетических, нежелательных примесных полос люминесценции (в частности - борной смаксимумом излучения в зеленой области спектра). Концентрация Яп должна быть не16 -Эменее 110 см в материале как и-, так и р-типа. При меньшей концентрации Яп эффективность излучения резко снижается за счет наличия дефектных центров вблизи ри-перехода типа 01 с излучением в зелено- голубой области и ухудшается быстродействие, Верхний уровень легирования Яп.16 -З3 10 см определяется пределом его растворимости в Я 1 С.На чертеже приведена блок-схема устройства,Устройство содержит подложку 1 любого политипа и-типа проводимости, слой 2 и-типа проводимости политипа 4 Н, слой 3...

Индикатор

Загрузка...

Номер патента: 1828556

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Скулаков, Трелина, Пузачев, Горбоносов, Ивашкин, Андреев, Иванова

МПК: H01L 33/00, G09F 9/33

Метки: индикатор

...потки Г 1, Р 2, г-з, Ел, Г 5, Гб. Световойпоток Р 1 направлен в нормали к окну 2 ин. дикатора. Световые потоки Р 2, Гз отражаясьот светоотрэжающих поверхностей 19, 20усиливают яркость периферийных зон индикатора, э световые потоки Гл, Г 5 отражаясь от светоотражающих граней 23, 232призм, усиливают яркость центральной зоны светового поля индикатора. Световыег 1 отоки Г 2, г-з и Г 4, Г 5 направлены по нормали к окну 2. Это обеспецивается за счет того,цто оси кристаллов 10 совпадают с фокальными осями как параболоидов 17, 18, так ис фокальными осями призм 23. Кроме усиления интенсивности светового потока в центральной световой зоне индикатораобеспечивается выравнивание интенсивности светового потока за счет повышения яркости светового...

Полупроводниковая гетероструктура для импульсного излучателя света

Загрузка...

Номер патента: 1837369

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Галченков, Образцов, Стрельченко

МПК: H01L 33/00

Метки: света, гетероструктура, полупроводниковая, импульсного, излучателя

...Й - Р гетеропеехода электроны заполняют свободные сотояния в УБС до уровня, с которого тановится возможным надбарьерная инекция электронов в ШБС, прилежащий к а напряжение на коллекторном переходе е упало ниже величины напряжения лавиного пробоя этого перехода, то приведет кувеличению величины разряда С(сЬ) и, сле 25 30 35 40 45 довательно, уменьшению частоты следования импульсов. Если надбарьерная инжекция электронов в коллекторный переход произойдет позже указанного времени, то это приведет к меньшей величине переразряда С(сЬ), но и в этом случае произойдет уменьшение частоты следования импульсов.Предлагаемая конструкция ГС, реализованная в системе твердых растворов с обратной пропорциональной зависимостью коэффициента...

Полупроводниковый источник света

Номер патента: 1499652

Опубликовано: 30.10.1994

Авторы: Роенков, Мохов, Ломакина, Семенов, Демаков, Федоренко

МПК: H01L 33/00

Метки: источник, полупроводниковый, света

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ИСТОЧНИК СВЕТА, включающий подложку SiC n-типа проводимости, слой SiC p-типа проводимости политипа 4H, легированный aL, слой SiC n-типа проводимости политипа 4H с люминесцентно-активными дефектами, расположенный между ними, и контакты, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности излучения в голубой области спектра и быстродействия, источник света дополнительно содержит слой SiC n-типа проводимости политипа 4H толщиной от 5 до 20 мкм с концентрацией азота от 05 1019 до 1,0 1019 см-3, расположенный между подложкой и слоем SiC n-типа проводимости с...