H01L 27/12 — с подложкой из неполупроводника, например диэлектрика

Способ изготовления тонкопленочных или твердых схем

Загрузка...

Номер патента: 191662

Опубликовано: 01.01.1967

Автор: Израйлев

МПК: H01L 27/12

Метки: схем, тонкопленочных, твердых

...отли. елью упрощения пром, для изготовления сублимирующий мате. и кадмий. овленияоснованложкиющим ваарет элев изготочто, с цства схеьзованпинк ил аявлсно 26.И 11.1965 ( 1023991/26-9 ПриоритетОпубликовано 26.1.1967. Бюллетень4Дата опубликования описания 21,П 1,1967 Изьестные способы изготовления тонкопленочных или твердых схем основаны на нанесении на поверхность подложки трафаретапленочного типа с последующим вакуумнымнапылснием через этот трафарет элементов исоединительных проводников изготавливаемой схемы.Предлагаемый способ изготовления тонкоПЛЕНОЧ(ЫХ ИЛИ ТВЕРДЫХ СХСМ ОТЛИЧЯЕТС 51 ТЕМ,что для изготовления трафарета использовансубл 11 миру 1 опп 1 Й материал, папр 11 мер ци 51 кили кадмий. Зто позволяет упростить процесспроизводства...

233103

Загрузка...

Номер патента: 233103

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Грибовский

МПК: H01L 27/12

Метки: 233103

...расплавом шлнкера (прн 60 - 110 С), представляющим собой смесь порошка диэлектрика (напрнмер, стекла, снталла, 30 керамики и т. п,) с органическим термопла2 ЗЗ 1 ОЗ 20 Предмет изобретения Составитель А. Б. КотТехред Л, К, Малова Корректор Л. В. Юшина Редактор Е, Семанова Заказ 488/4 Тираж 437 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Центр, пр. Серова, д. 4 Типография, пр, Сапунова, 2 стичным веществом (например, парафином, воском и т. п.),Шликер охлаждается в форме, отвердевае, и в нем оказываются заармированными все установленные радиоэлементы.Отливка с радиоэлементами, имеющая конфигурацию внутренней полости формы, извлекается из формы и подвергается термической обработке с целью...

Полупроводниковое устройство

Загрузка...

Номер патента: 243076

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Германска, Иностранец

МПК: H01L 27/12

Метки: полупроводниковое

...больших пробивных напряжений из-за того, что р - гг-переходы искривлены вблизи места выхода на поверхность,С целью повышения надежности полупроводниковых устройств в интегральном микроминиатгорном исполнении, в предлагаемом устройстве критические р - гг-переходы выполнены перпендикулярно к изоляционному слою,В полупроводниковой пластине делают односторонние углубления, осаждают тонкий не- проводящий слой, прерываемый в зоне активных структурных элементов, с последующим наращиванием высоколегированного полупроводникового слоя, который отделяют по крайней мере в тех местах, где нет активного элемента. Полупроводниковоно на чертеже.Оно содержит неконтактные площад5 полупроводниковыйдящий слой 4 и полевыи слои а,е устройство изображе...

Теплопередающее устройство для схем с тепловой связью

Загрузка...

Номер патента: 568987

Опубликовано: 15.08.1977

Авторы: Гапоненко, Арямова, Путилин

МПК: H01L 27/12

Метки: теплопередающее, связью, схем, тепловой

...разрезЛ - А фиг. 1.Теплопередающее устройство состоит из кармана 1 монокристаллического кремния, расположенного в диэлектрической подложке 2. В кармане методами полупроводниковой технологии выполнены источники тепла 3, 4 и термочувствительные элементы 5, 6. Между зонами 7 - 10, в которых расположены источники тепла и термочузстзительчыс элементы, расположены зоны 11, 12 и 13, проводимость,которых противоположна проводимости зон 7 - 10,Формирование кармана или островка монокристаллического кремния в виде изогнутого стержня позволяет использовать для размещения теплопроводящего стержня не только длину, но и ширину подложки 2. Бла. годаря этому длина теплопередающего устройства может быть уменьшена в несколько раз,Параметры полупроводника з...

Прибор с интегральной схемой

Загрузка...

Номер патента: 679168

Опубликовано: 05.08.1979

Автор: Тьерри

МПК: H01L 27/12, H01L 29/76

Метки: схемой, интегральной, прибор

...3. Электрод 13 стока может также проходить через отверстие 24 в изоляционном слое до соприкосновения с областью 7транзистора 3. Электрод 25 затвора, которыйможет быть изготовлен из поликристаллического кремния р+.типа, располагается ца изоля.ционцом слое над каналом 19 носителей тока.Верхние части 8 и 20 каналов 7 и 19 со.ответственно являются относительно высокопегированцыь 4 и, в то время как нижние части9 и 21 - спабопегировацные. В устройствеверхние части 8 и 20 областей кацапов 7 и 19могут иметь концецтрашпо введенных приметсей примерно вх 10 атомов/см или да.же больше, обычно примерно до 1 х 10атомов/см";Нижние части 9 и 21 каналов 7 и 19 содержат при.меси проводимости примерно около О з атомов/см. Толщина верхних частей должна...

Гибридная интегральная схема

Загрузка...

Номер патента: 1808148

Опубликовано: 07.04.1993

Автор: Пырченков

МПК: H01L 27/12

Метки: гибридная, интегральная, схема

...кристаллами 3. На выводной рамке 8 находятся планарные контакты 9, сверху устройство закрыто крышкой 10,АЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА изобретения: кристаллы схеы в застывшем расплаве эвсостава, Многослойная анесена над кристаллами по нологии, Металлическая подя шиной питания. 1 ил,В предлагаемои конструкции гибридной интегральной схемы полупроводниковые кристаллы 3, установленные в металлической подложке 2 таким образом, что их лицевая поверхность 5 находится на одном уровне с металлической подложкой 2, образуя монолитную структуру с безрельефной поверхностью, позволяют уменьшить количество планарных операций по созданию многослойной коммутации. что увеличивает надежность устройства. Кроме того, металлическая подложка 2, в которой...

Способ изготовления гибридной интегральной схемы

Загрузка...

Номер патента: 2003207

Опубликовано: 15.11.1993

Автор: Пырченков

МПК: H01L 27/12

Метки: схемы, гибридной, интегральной

...планарной структуры, охлаждают структуру до затвердевания расплава и отделяют промежуточныйноситель. Затем Формируют .ФотолитограФией многослойную коммутацию.В результате погружения кристаллов МС в эвтектический расплав образуется прочное соединение этих элементов между собой и со сплавом, чем достигается высокая механическая прочность многокристальной структуры и надежнрсть ГИС (гибридная интегральная схема). При погружении кристаллов МС в расплав происходит плотное заполнение зазоров между кристаллами, и на стыках кристалл-металл микрорельеф высокого качества за счет приплавления кристаллов, что также новышает надежность устройства.Кристаллы, смонтированные на подложке в застывшем расплаве, находятся в одинаковых условиях для отвода...

Хлоралюминий-(3, 3, 3, 3-тетрахлор)-фталоцианин в качестве основы полупроводникового материала для фотоэлектрических преобразователей

Номер патента: 1614465

Опубликовано: 27.05.1999

Авторы: Смирнов, Шапошников, Шорин, Майзлиш, Федоров, Маслеников

МПК: C09B 47/04, H01L 27/12

Метки: преобразователей, основы, качестве, фотоэлектрических, 3-тетрахлор)-фталоцианин, полупроводникового, хлоралюминий-(3

Хлоралюминий-3,3',3'',3'''-тетрахлор)-фталоцианин формулыв качестве основы полупроводникового материала для фотоэлектрических преобразователей.

Интегральный инвертор и способ его изготовления

Номер патента: 698454

Опубликовано: 10.06.2001

Авторы: Чистяков, Манжа, Басов, Кокин, Гладков, Кремлев

МПК: H01L 27/12

Метки: интегральный, инвертор

1. Интегральный инвертор инжекционного типа, содержащий переключательный n-p-n-транзистор с эпитаксиальной базой и инжектирующий p-n-p-транзистор с инжектором-подложкой, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента усиления n-p-n- и p-n-p-транзисторов, эмиттеры n-p-n-транзистора выполнены в виде локальных n+ скрытых слоев, а под пассивной частью базы n-p-n-транзистора расположен высокоомный слой n-типа проводимости, служащий базой p-n-p-транзистора, толщина которого меньше диффузионной длины неосновных носителей заряда, и частично перекрывающий локальный n+ скрытый слой.2. Способ изготовления интегрального инвертора по п.1, включающий операции...